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公开(公告)号：CN115472499A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211143850.8
申请日：2022-09-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/331 , H01L21/329 , H01L29/73 , H01L29/868
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括：在衬底上形成基本功能层；在基本功能层上形成导电掩膜层；刻蚀导电掩膜层，以在导电掩膜层上形成向下凹陷的窗口；在导电掩膜层和窗口上形成绝缘介质层；刻蚀绝缘介质层，以在窗口内形成侧墙，侧墙位于导电掩膜层的侧壁；在侧墙之间形成载流子提供层；在窗口的外围刻蚀导电掩膜层、基本功能层，以形成向下凹陷的台面；以及在台面、导电掩膜层、载流子提供层和侧墙上形成钝化层。本发明还公开了一种利用上述的制作方法得到的半导体器件，该半导体器件为双极型晶体管或者pin结二极管。
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公开(公告)号：CN109920727B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910192567.6
申请日：2019-03-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 本公开提供一种在侧向外延薄膜上自对准形成图形及制备外延材料的方法，包括：S1：制备图形化衬底；S2：在图形化衬底上通过侧向外延合并生长的方式，制备表面合并的侧向外延薄膜；S3：通过在步骤S1所制备的图形化衬底背面进行曝光处理使得在步骤S2所制备的侧向外延薄膜上自对准形成图形并制备自对准图形化光刻胶；进一步的可继续后续步骤制备外延材料，S4：以步骤S3所制备的自对准图形化光刻胶为掩膜对侧向外延薄膜进行加工；以及S5：清除自对准图形化光刻胶掩膜，完成外延材料的制备。
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公开(公告)号：CN111341893B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010145389.4
申请日：2020-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种AlGaN基二极管，包括：在衬底上依次外延生长的AlN层、有源层与P型层，其中，所述P型层的边缘区域经向下刻蚀直至AlN层内，形成第一台面，所述第一台面上外延生长有N型层。通过本公开提供的AlGaN基二极管，可以降低器件制备的难度。
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公开(公告)号：CN109560784A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201710893347.7
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种兰姆波谐振器及其制备方法，其中兰姆波谐振器包括自下而上的衬底、底电极层、单晶氮化物薄膜层及叉指电极，其中：在底电极层与单晶氮化物薄膜层之间还具有AlN成核层；衬底在正对底电极层的区域具有一凹槽，以使部分/全部的底电极层处于悬空状态；叉指电极位于底电极层的正上方。因此，本发明由于在底电极层与单晶氮化物薄膜层之间形成有覆盖底电极层的AlN成核层，一方面消除了底电极层在高温形成单晶氮化物薄膜层的过程中，表面变粗糙和极易与氨气发生反应的问题，另一方面为后续其他材料层的高温生长提供了理想的模板，因此为研制单晶氮化物基兰姆波谐振器奠定了基础。
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公开(公告)号：CN109534278A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811296447.2
申请日：2018-11-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: B81B7/02 , B81B7/0009 , B81C1/00246
Abstract: 本发明提供了两种声学滤波器与高电子迁移率晶体管的异构集成结构及其制备方法，该发明解决的技术问题是减小了功放模块的尺寸，使系统小型化；同时，减小了传统分立封装技术中器件间连接引入的寄生电感和互感，提升了功率模块特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107634734A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710893349.6
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 声表面波谐振器、滤波器及其制备方法，其中声表面波谐振器自下而上包括：衬底层、叉指电极及单晶氮化物薄膜层，还包括介于叉指电极和单晶氮化物薄膜层之间的AlN成核层；该AlN成核层覆盖于叉指电极的上表面、侧面及叉指电极中各电极单元之间的间隔区域，该AlN成核层的边缘与衬底层的边缘平齐；单晶氮化物薄膜层的上表面与水平面平行。因此，本发明的谐振器结构，在叉指电极与单晶氮化物薄膜层之间形成有覆盖叉指电极的AlN成核层，一方面消除了叉指电极在高温形成单晶氮化物薄膜层的过程中，表面变粗糙和极易与氨气发生反应的问题；另一方面为后续其他材料层的高温生长提供了理想的模板，因此为研制单晶氮化物声表面波谐振器及滤波器奠定了基础。
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公开(公告)号：CN106531871A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611234219.3
申请日：2016-12-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/48 , H01L33/005 , H01L33/54
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片的图形化基板结构及其制备方法，涉及半导体制备技术领域。本发明通过图形化处理在基板上形成具有反射层的凹坑群，凹坑剖面结构的侧边与水平方向形成一定的角度，以对LED芯片端面出射的光线进行反射来改变其传播方向，从而减少光的吸收与损耗，有效提高了LED的出光效率。同时，本发明提出了其相应的制备方法，能够清晰、明确地制备得到该种图形化基板。
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公开(公告)号：CN106374032A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201611001710.1
申请日：2016-11-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种单晶体声波器件及制备方法，属于体声波滤波器领域。其中制备方法包括：步骤A：在第一衬底上制备压电薄膜；步骤B：去除所述第一衬底；以及步骤C：在压电薄膜下制备底部电极。本发明在硅衬底上制备了高质量单晶氮化物压电薄膜，进一步制备高性能单晶体声波器件，提高了体声波器件性能。
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公开(公告)号：CN106328778A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610825825.6
申请日：2016-09-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 北京半导体照明科技促进中心
CPC classification number: H01L33/0062 , H01L33/20
Abstract: 一种隐形切割制备倒梯形台状衬底的LED芯片的方法，包括：在衬底的正面生长外延层，并形成多个LED单元；将所述衬底减薄；将激光焦点聚焦在衬底的内部，切割，形成第一道改质层及第二道改质层；使形成的跑道左向及右向多道改质层位于跑道左侧及右侧的同一斜面内，形成基片；将基片背面粘在蓝膜上，置于裂片机上；将劈刀对准跑道中线进行裂片；其中Δx是激光焦点沿水平方向移动的单位距离，Δz是激光焦点沿竖直方向移动的单位距离。本发明具有工艺简单及效率高的优点，可有效提高LED的光提取效率。
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公开(公告)号：CN103943737B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410181967.4
申请日：2014-04-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种紫外发光二极管器件的制备方法。该紫外发光二极管器件的制备方法通过AlGaN电子阻挡层205和p型AlGaN层206的总厚度小于该电极层最底层金属层的金属材料的等离激元耦合距离的方式有效精确控制有源区到金属等离激元的距离，消除了工艺工程中对有源区造成损伤的风险，提高了紫外发光二极管器件发光效率。
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