公开(公告)号：CN115472735A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202210982255.7

申请日：2022-08-16

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 邓维礼 ,  张洪瑞 ,  杨维清 ,  田果 ,  杨涛 ,  熊达

IPC: H01L41/22 ,  H01L41/18 ,  H01L41/08

Abstract: 本发明公开了一种ZnO‑Si p‑n结压电器件及其制备方法，其制备方法依次包括以下步骤：在具有底部电极的基底表面，通过射频磁控溅射沉积氧化锌种子层，然后浸入生长液中浸泡，再清洗和烘干，制得氧化锌种子层上生长的氧化锌纳米棒；通过射频磁控溅射沉积p型Si薄膜；旋涂溶解有聚甲基丙烯酸甲酯的有机溶剂，然后烘干，再沉积银，制得ZnO‑Si p‑n结压电器件。本发明的制备方法简单、易操作，制得的ZnO‑Si p‑n结压电器件压电性能好，当Si薄膜载流子浓度为7.88×1018cm‑3时，其输出电压和电流分别达到了0.8V和40nA。

公开(公告)号：CN115362568A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202180027058.3

申请日：2021-04-01

Applicant: SABIC环球技术有限责任公司

Inventor： S·古哈沙库尔塔 ,  T·霍艾克斯拉姆波尔图斯 ,  R·贾纳帕西布霍特拉文卡塔 ,  D·欧文斯

IPC: H01L41/18

Abstract: 一种可成型用于柔性和/或薄膜应用的具有压电特性的聚合物复合材料，其中所述聚合物复合材料包括聚合物基体和包埋入聚合物基体的压电陶瓷填料。所述聚合物基体可包括至少两种聚合物：第一聚合物和第二聚合物。第一聚合物可以是氟化聚合物，第二聚合物可以与第一聚合物相容和介电常数可以小于约20。所述压电陶瓷填料可以是掺锂的铌酸钾钠(KNLN)，和可以为所述聚合物复合材料的约40‑70vol％。剩余的30‑60vol％可以为所述聚合物基体，其本身可以为约5‑20wt％的第二聚合物和80‑95wt％的氟化聚合物。

公开(公告)号：CN115362567A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202180027037.1

申请日：2021-04-01

Applicant: SABIC环球技术有限责任公司

Inventor： S·古哈沙库尔塔 ,  T·霍艾克斯拉姆波尔图斯 ,  R·贾纳帕西布霍特拉文卡塔 ,  D·欧文斯 ,  P·玛褚坤特巴达理奈斯

IPC: H01L41/18

Abstract: 一种可成型用于柔性和/或薄膜应用的具有压电特性的聚合物复合材料，其中所述聚合物复合材料包括聚合物基体和包埋入聚合物基体的压电陶瓷填料。所述聚合物基体可包括至少两种聚合物：第一聚合物和第二聚合物。第一聚合物可以是氟化聚合物，第二聚合物可以与第一聚合物相容和介电常数可以小于约20。所述压电陶瓷填料可以是无铅陶瓷填料如钛酸钡，和可以为所述聚合物复合材料的约40‑70vol％。剩余的30‑60vol％可以为所述聚合物基体，其本身可以为约5‑20wt％的第二聚合物和80‑95wt％的氟化聚合物。

公开(公告)号：CN115244720A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180019823.7

申请日：2021-03-02

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 芦川辉男 ,  平口和男 ,  香川裕介 ,  三好哲

IPC: H01L41/09 ,  H04R7/04 ,  H04R17/00 ,  H01L41/047 ,  H01L41/053 ,  H01L41/083 ,  H01L41/18 ,  H01L41/193 ,  H01L41/253

Abstract: 本发明提供一种可获得高压电特性，并且容易确保与电极层的电接点的层叠压电元件及电声换能器。该层叠压电元件，其层叠2层以上的压电膜而成，该压电膜依次层叠第1保护层、第1电极层、压电体层、第2电极层和第2保护层而成，各压电体层沿厚度方向极化，在各压电膜中，在压电体层的极化方向的上游侧配置有第1电极，在下游侧配置有第2电极，2层以上的压电膜分别具有：与相邻的压电膜粘接的粘接部；及至少第1电极层和第1保护层或第2电极层和第2保护层从粘接部朝向面方向的外侧突出且不与相邻的压电膜粘接的突出部，在各压电膜的突出部形成有各压电膜的第1电极层彼此电连接的第1接点及各压电膜的第2电极层彼此电连接的第2接点中的至少一个。

公开(公告)号：CN113463199B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202110529082.9

申请日：2021-05-14

Applicant: 广州市艾佛光通科技有限公司

Inventor： 李国强

IPC: C30B29/40 ,  C23C16/06 ,  C23C16/24 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  C30B23/00 ,  C30B23/02 ,  C30B29/68 ,  H01L41/18 ,  H01L41/316 ,  H01L41/39

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种高质量单晶氮化铝薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括在第一基板上依次生长单晶氧化锌薄膜、单晶氮化铝成核层、单晶氮化铝薄膜；然后在单晶氮化铝薄膜上沉积键合层；将第二基板与键合层键合；最后去除第一基板和氧化锌薄膜。本发明通过生长氧化锌薄膜，降低了氮化铝薄膜与基板之间的晶格失配。采用PLD沉积法，沉积温度低，降低了薄膜制备过程由于热效应造成的缺陷，从而提高了氮化铝薄膜的晶体质量。本发明制备的氮化铝薄膜上方有一层氮化铝薄膜，其可以继续生长氮化铝薄膜，从而控制氮化铝薄膜的厚度。

公开(公告)号：CN115132916A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210856897.2

申请日：2022-07-20

Applicant: 广东奥迪威传感科技股份有限公司

Inventor： 邱䶮 ,  柯超群 ,  石鹏

IPC: H01L41/37 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L41/193

Abstract: 本发明涉及一种压电材料制备方法及压电材料，通过定位组件将至少一个压电陶瓷柱定位于模具中；定位组件与模具之间界定形成容纳压电陶瓷柱的至少部分的灌注腔，通过灌注工艺向灌注腔内灌注基体材料，以包裹位于灌注腔内的压电陶瓷柱，通过固化工艺固化基体材料以形成压电元件；压电元件包括固化后的基体材料和包裹于基体材料内的压电陶瓷柱，以预设厚度切割压电元件以得到压电材料。本申请通过定位组件对压电陶瓷柱在模具的灌注腔中进行定位，再将基体材料灌注至包裹压电陶瓷柱，从而能够通过简单的制备工艺，制备压电陶瓷柱根据需求布置于基体材料中的压电材料。

公开(公告)号：CN112563407B

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202011421531.X

申请日：2020-12-08

Applicant: 之江实验室

Inventor： 任丹阳 ,  施钧辉 ,  尹永刚 ,  陈睿黾

IPC: H01L41/37 ,  H01L41/193 ,  H01L41/187 ,  H01L41/18 ,  B29C43/58 ,  B29C43/02

Abstract: 本发明是一种基于PVDF‑TrFE的复合压电材料的制备方法，包括以下步骤；称取聚合物PVDF‑TrFE粉末；将模具内胆放入压片模具内，再将称好的聚合物PVDF‑TrFE粉末倒入热压模具中；将上述制好的模具放入热压装置中，进行热压制备，而后进行脱模，脱模后得到PVDF‑TrFE基体；将制得的复合压电材料在一定；用切割机将制备的复合压电材料切割，厚度为0.5‑2mm条件下进行热压定型；用砂纸打磨，露出压电单晶相，最终制备成为具有一定的柔性的1‑3型复合压电薄板，有效的改良了PVDF‑TrFE压电复合材料性能，从而使得这种复合材料在换能器、能量收集等方面具有更加广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN115050888A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210188165.0

申请日：2022-02-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 森下纯平

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H04R17/00 ,  B06B1/06

Abstract: 压电薄膜包含第一压电层和直接重叠于第一压电层的第二压电层。第一压电层包含钙钛矿型氧化物的四方晶1。第二压电层包含钙钛矿型氧化物的四方晶2。四方晶1的(001)面在压电薄膜的表面的法线方向dn上取向。四方晶2的(001)面在压电薄膜的表面的法线方向dn上取向。四方晶1的(001)面的间隔为c1。四方晶1的(100)面的间隔为a1。四方晶2的(001)面的间隔为c2。四方晶2的(100)面的间隔为a2。c2/a2大于c1/a1。c1/a1为1.015以上且1.050以下。

公开(公告)号：CN112928199B

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202110127772.1

申请日：2021-01-29

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 郭益平 ,  余迪 ,  刘家栋

IPC: H01L41/113 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L41/37 ,  G01B7/16

Abstract: 本发明涉及一种高灵敏柔性传感器及其制备方法和应用，其制备方法包括以下步骤：(1)配制BTS前驱体溶液；(2)制备BTS‑GFF压电纤维布，将BTS前驱体溶液浸渍玻璃纤维布(GFF)后，再经热处理，得到BTS‑GFF压电纤维布；(3)制作BTS‑GFF/PVDF压电复合材料，将BTS‑GFF压电纤维布夹设在PVDF层之间，得到BTS‑GFF/PVDF压电复合材料；(4)将BTS‑GFF/PVDF压电复合材料的上下两面溅射银电极，接线封装，即可得到高灵敏柔性传感器，该柔性传感器用于检测手指弯曲率、屈曲平面微小形变或头部运动检测。与现有技术相比，本发明制备方法简单，不仅具有较好的柔性且压电相连续分布，具有大的输出信号和优异的抗疲劳性等优点，可以将机械能转化为电能。

公开(公告)号：CN109314177B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN201780034575.7

申请日：2017-10-18

Applicant: CK高新材料有限公司

Inventor： 金亨俊 ,  朴明仙 ,  李钟勋 ,  姜地求 ,  金南锡

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  G06F3/01

Abstract: 根据一实施例的柔性触觉驱动器包括：能够弯曲的触觉传递部，包括能够对于外部磁场发生反应而极化的磁性粒子，以及含有所述磁性粒子的矩阵层；磁场生成部，位于所述磁场传递部的下方，向所述触觉传递部施加磁场；以及膜形状的弹性部件，固定为其至少一部分与所述磁场生成部的上面实现面接触，并且与所述触觉传递部的上面及下面中任一个面实现面接触的方式。