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公开(公告)号：CN105823904A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610160263.8
申请日：2016-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01P15/09 , G01C19/5656
CPC classification number: G01P15/09 , G01C19/5656 , G01P2015/0862
Abstract: 本发明提供一种双自由度MEMS压电梁结构，包括：一衬底电极，该衬底电极为矩形；一锚点，其制作在衬底电极背面纵向的一侧；一第一压电层，其制作在衬底电极上；一夹层电极，其制作在第一压电层上；一第二压电层，其制作在夹层电极上；一第一上电极，其制作在第二压电层上横向的一侧，其宽度小于第二压电层的二分之一；一第二上电极，其制作在第二压电层上横向的另一侧；一第三上电极，其制作在第二压电层上横向的中间；该第一上电极、第二上电极和第三上电极不接触。本发明具有正交误差小、机电转换效率高的特点。
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公开(公告)号：CN105810813A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610159349.9
申请日：2016-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L41/047 , H01L41/09
CPC classification number: H01L41/047 , H01L41/0475 , H01L41/094
Abstract: 本发明提供一种压电执行梁结构，包括：一衬底电极，该衬底电极为矩形；一锚点，其制作在衬底电极上背面纵向的一侧；一压电层，其制作在衬底电极上；一第一上电极，其制作在压电层上横向的一侧；一第二上电极，其制作在压电层上横向的另一侧，该第一上电极和第二上电极不接触。本发明具有压电位移响应大、结构和制备工艺简单、可靠性高的特点。
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公开(公告)号：CN104655261A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510062395.2
申请日：2015-02-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种电容式超声传感器，包括：低阻硅衬底；在低阻硅衬底上形成的氧化硅层；于氧化硅层中形成的二维空腔阵列结构；在二维空腔阵列结构之上形成的振膜；以及在振膜上沉积金属铝形成的上电极，该上电极为图形阵列，并且上电极图形阵列中的图形与二维空腔阵列结构的图形一一对应分布，彼此连接在一起。本发明将硅衬底与SOI片进行湿法和干法表面活化处理，采用低温硅片直接键合技术，制备的电容式超声传感器具有微型化、可靠性高、重复性好、工艺步骤较少、制作周期短等优点，并且工艺温度较低，易与IC电路集成，实现芯片的整体封装。
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公开(公告)号：CN102594290B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201210052015.3
申请日：2012-03-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路，包括：一MEMS谐振器；一低通滤波器，该低通滤波器的输入端与MEMS谐振器的输出端连接；一高增益反相器，该高增益反相器的输入端与低通滤波器的输出端连接；一窄脉冲发生器，该窄脉冲发生器的输入端与高增益反相器的输出端连接，该窄脉冲发生器的输出端与MEMS谐振器输入端连接，形成闭合回路。本发明提供的采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路，其可降低相位噪声，具有功耗低及设计成本低的优点。
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公开(公告)号：CN103641063A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310706907.5
申请日：2013-12-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种制备图形化多孔硅结构的方法，包括：步骤1：在硅片上依次淀积氧化硅和氮化硅，形成双层掩膜结构；步骤2：在硅片上双层掩膜结构的表面定义氮化硅／氧化硅掩膜图形窗口区域，然后采用干法刻蚀依次去掉该图形窗口区域中的氮化硅和氧化硅层，露出硅片的表面；步骤3：对露出的硅片表面进行湿法腐蚀，形成硅腔结构；步骤4：采用水热腐蚀方法在硅腔结构内形成多孔硅层，完成图形化多孔硅结构的制备。本发明提供的掩膜体系可以实现不同厚度和图形尺寸的多孔硅图形、单面／双面多孔硅图形及自支撑多孔硅图形等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101644691B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200810118013.3
申请日：2008-08-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种电学测试的汞探针装置，其特征在于，包括：一基座，该基座为扁平状的圆柱体，在基座的中心处纵向开有一细水银槽，在基座的中心处细水银槽的周围开有圆环形的水银槽；在基座的左侧圆柱体侧壁上开有一左水银槽，该左水银槽与圆环形的水银槽连通；与左水银槽相对的位置开有一右水银槽，该右水银槽与细水银槽垂直连通；与左、右水银槽垂直，在基座的上面分别开有一与左、右水银槽连通的左、右水银通道；一左推杆，该左推杆的一端插入在左水银槽内；一右推杆，该右推杆的一端插入在右水银槽内。
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公开(公告)号：CN101447775B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200710178327.8
申请日：2007-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提出了一种采用立方相碳化硅材料制作的微机电系统谐振器件及其制作方法。本发明提出的谐振器件是一种静电感应激励方式的谐振器件，振动模式为横向振动和纵向振动。本发明提出的谐振器件采用衬底/隔离层1/隔离层2/牺牲层/立方相碳化硅结构层材料体系：即在衬底和立方相碳化硅材料层之间生长1-2层隔离层和1层牺牲层。以此来实现器件工作层和衬底之间的隔离和器件牺牲层厚度的精确控制。通过采用立方相碳化硅材料作为结构层材料能够有效提高谐振器件的工作频率。
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公开(公告)号：CN101644691A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200810118013.3
申请日：2008-08-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种电学测试的汞探针装置，其特征在于，包括：一基座，该基座为扁平状的圆柱体，在基座的中心处纵向开有一细水银槽，在基座的中心处细水银槽的周围开有圆环形的水银槽；在基座的左侧圆柱体侧壁上开有一左水银槽，该左水银槽与圆环形的水银槽连通；与左水银槽相对的位置开有一右水银槽，该右水银槽与细水银槽垂直连通；与左、右水银槽垂直，在基座的上面分别开有一与左、右水银槽连通的左、右水银通道；一左推杆，该左推杆的一端插入在左水银槽内；一右推杆，该右推杆的一端插入在右水银槽内。
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公开(公告)号：CN118833773A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410429986.8
申请日：2024-04-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体为一种基于聚酰亚胺牺牲层的RF MEMS开关的制备方法，S1、在衬底上制备隔离层；S2、在绝缘隔离层上制备金属共面波导以及开关驱动电极；S3、在金属共面波导上旋涂聚酰亚胺牺牲层，并固化；S4、在聚酰亚胺牺牲层上沉积SiO2薄膜；S5、以图形化的SiO2薄膜作为硬掩膜刻蚀触点凹窝；S6、以厚光刻胶作为掩膜刻蚀锚点通孔；S7、去除SiO2薄膜和厚光刻胶；S8、在图形化聚酰亚胺牺牲层上电镀金属悬臂梁；S9、去除聚酰亚胺牺牲层。本发明能够实现精确的小尺寸图形转移，得到具有高平整度和良好触点凹窝形貌的高质量聚酰亚胺牺牲层，进而提升RF MEMS开关的可靠性和寿命。
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公开(公告)号：CN115394606A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202110568371.X
申请日：2021-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种MEMS开关，包括：衬底；第一触点(5)和第二触点(7)，设置在衬底上；可变形的导电悬臂(8)，导电悬臂的第一端与第一触点(5)电连接；以及第一可动触点(9)，设置在导电悬臂(8)的第二端，使得导电悬臂(8)通过第一可动触点(9)与第二触点(7)可断开地电连接，其中，导电悬臂(8)和第一可动触点(9)中的至少一个由钪合金制备而成。本公开通过优化MEMS开关悬臂梁和可动触点的材料选择，在金属中掺入不同比例的钪，提升了开关的寿命和可靠性。
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