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公开(公告)号：CN102560565A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210027790.3
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于绝缘硅(SOI)和电铸技术的金属纳米线阵及其制备方法，该金属纳米线阵的各金属线之间由掺杂硅介质材料填充，其制备流程包括：选取SOI，并在其上下表面各沉积一层氮化硅薄膜；采用光刻及干法刻蚀，在SOI下底面氮化硅膜层上制作一个开口，露出体硅表面；采用氢氧化钾湿法腐蚀，以氮化硅为掩蔽层将露出的体硅表面腐蚀完毕，露出二氧化硅表面；在SOI的上表面涂覆光刻胶，通过光刻和刻蚀制作纳米通孔；将具有纳米通孔的SOI器件电铸，获得掺杂硅包裹的金属线条；采用干法刻蚀将氮化硅去除，并用氢氟酸溶液去除二氧化硅，完成金属纳米线阵的制备。本发明不易损伤，且采用SOI片进行制作，避免了掺杂不均、掺杂层厚度难控制等缺点。
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公开(公告)号：CN101724811B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910243548.8
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种基于亚波长金属孔阵列的电磁吸收体，制作步骤：(1)选择石英基片，并将其表面抛光；然后采用真空蒸镀，在表面抛光后的石英基片表面沉积一层厚度大于50纳米的金膜；(2)在金膜表面蒸镀一层厚度为35纳米至45纳米的SiO2膜，并在所述SiO2膜上均匀涂覆一层光刻胶；(3)采用电子束光刻的方法，在光刻胶上制备出亚波长介质柱结构，所述亚波长介质柱结构的周期为235纳米-245纳米，占空比为1∶1.35-1∶1.45；(4)采用真空蒸镀技术，在已成型光刻胶上蒸镀厚度为20纳米至25纳米的金膜；(5)采用去胶液，将亚波长介质柱结构和蒸镀在亚波长介质柱结构上的金膜除去，基于亚波长金属孔阵列的电磁完美吸收体制作完成。本发明具有制作简便，厚度小，入射角度大的特性，在电磁能量吸收、转换等领域具有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN101424758B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200810227029.8
申请日：2008-11-19
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种制作基于金属覆盖层的负折射人工材料的方法，包括：选择石英基片，并将其表面抛光；然后在其表面蒸镀一层SiO2膜；在SiO2膜表面蒸镀一层铬膜，并在其上均匀涂覆一层光刻胶；采用电子束光刻的方法，在光刻胶上制备出介质光栅结构；采用湿法腐蚀技术，将光刻胶作为掩模，腐蚀掉裸露在外的铬膜；采用干法腐蚀技术，将铬膜作为掩模，在高纯SiO2膜上刻蚀出介质光栅结构，去除铬膜；采用真空蒸镀技术，在SiO2光栅结构上蒸镀厚度为h的金属层，基于金属覆盖层的负折射人工材料制作完成。本发明具有制作简便，单层损耗小，单层正入射的特性，在磁共振、近场光学、隐身材料等领域具有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN101724811A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910243548.8
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种基于亚波长金属孔阵列的电磁完美吸收体，制作步骤：(1)选择石英基片，并将其表面抛光；然后采用真空蒸镀，在表面抛光后的石英基片表面沉积一层厚度大于50纳米为的金膜；(2)在金膜表面蒸镀一层厚度为35纳米至45纳米的SiO2膜，并在所述SiO2膜上均匀涂覆一层光刻胶；(3)采用电子束光刻的方法，在光刻胶上制备出亚波长介质柱结构，所述亚波长介质柱结构的周期为235纳米-245纳米，占空比为1∶1.35-1∶1.45；(4)采用真空蒸镀技术，在已成型光刻胶上蒸镀厚度为20纳米至25纳米的金膜；(5)采用去胶液，将亚波长介质柱结构和蒸镀在亚波长介质柱结构上的金膜除去，基于亚波长金属孔阵列的电磁完美吸收体制作完成。本发明具有制作简便，厚度小，入射角度大的特性，在电磁能量吸收、转换等领域具有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN101063810A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710099701.5
申请日：2007-05-29
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/00
Abstract: 紫外光照微纳图形气压压印和光刻两用复制装置，包括主机大基板、压模移动台系统、均匀照明系统、压模架、压模、基片、对准系统、基片升降系统、承片调平台系统、花样镜、压镜和控制系统，在主机大基板上固定有压模移动台系统和在其内部的承片调平台系统，XY压模移动台上支撑有压模架和花样镜或压镜，吸附着压模或掩模，基片或硅片被吸附于承片调平台系统上，均匀照明系统位于压模的上方，对准系统连接在均匀照明系统的一侧，工作台系统和均匀照明系统的探测输出信号送至控制系统进行处理，用于控制。本发明具有微纳图形气压压印和光刻两方面的功能，且操作使用方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101055419A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710099107.6
申请日：2007-05-11
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明微纳结构压印复制用紫外光固化自由基型刻蚀胶，其组成为：固化主体1－双酚A环氧丙烯酸酯或酚醛环氧丙烯酸酯占24－ 48％，固化主体2兼稀释剂－－三丙二醇类丙烯酸酯占20－46％，固化助剂－－二季戊四醇六丙烯酸酯或GP－537或GP－71－SS占5－16％，光引发剂－－2，4，6－甲基苯甲酰基二苯基氧化膦占5－16％，各组分的重量之和为100％。除此之外，为调节溶液粘度添加稀释剂1，6－己二醇二丙烯酸酯，到溶液粘度满足要求为止。本发明的刻蚀胶与其它胶相比较，具有固化速度快、收缩小、粘度低、黏附力高、抗蚀性强、配制工艺简便，易于推广应用的特点。
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公开(公告)号：CN1800975A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510126215.9
申请日：2005-11-28
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 分步重复光照纳米压印装置，由压力驱动系统、Z向校准机构、双路CCD对准系统、倾斜校准机构、压模、基片、XYθ工件台、基片承片调平系统、大机台柜、控制系统、主机大底板和紫光均匀照明系统及机架等部分组成，能装载基片的承片调平系统安装于XYθ工件台上，机架上安装了压力驱动系统、Z向校准机构、倾斜校准机构和压模，双路CCD对准系统和紫光均匀照明系统，它既不需要弹性印章或铸模，也不需要加高温、高压和降温，只需普通紫光照射，应用CCD图像高精度对准，就能分步重复廉价制作出较复杂多层结构、较大有效工作面积和有利于推广应用的纳米图形结构。
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公开(公告)号：CN1799852A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510130741.2
申请日：2005-12-27
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 圆弧导轨纳米压印倾斜校正机构，由上中下圆弧导轨、限位外套、压模卡盘、压模、基片、钢球或滚柱、上下隔离架、拉簧和拉簧挂销组成，上中下圆弧导轨之间有钢球或滚柱，并通过拉簧拉紧连接，下圆弧导轨与装有压模的压模卡盘相接，正对压模的下方是基片，限位外套安装在上圆弧导轨上，它的下方四周对下圆弧导轨的旋转角度范围起限位作用。当压模和基片由于不平行，在下压时某处先接触，压模可绕过压模下表面中心点的Y或X轴线作微滚动旋转，达到压模和基片的完全平行贴合与压紧，不产生对准偏离与在水平面内旋转，使纳米压印套准精度大幅提高，制作出复杂多层的纳米图形结构，该机构用常规设备加工，制作方便，成本低廉，应用广泛。
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公开(公告)号：CN1785679A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510130612.3
申请日：2005-12-15
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 多铰链纳米压印压模倾斜校正机构，由上连接套(1)、上铰链(2)、下铰链(3)、压模(5)和压模卡盘(4)组成，上连接套(1)与上铰链(2)的铰链座连接，下铰链(3)的铰链座与上铰链(2)的上中间框连接，下铰链(3)的下中间框与压模卡盘(4)连接，下压力通过上连接套、上下铰链和压模卡盘作用在压模上，向下与基片压紧时，上下铰链产生微转动，自动调整压模(5)和基片(6)两者的不平行，由于x、y两方向倾斜校正旋转中心都位于压模的下表面中心，压模下压转动而带来横向移动很小，使纳米压印套准精度大幅提高，制作出复杂多层的纳米图形结构和器件。
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公开(公告)号：CN103926707B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410165583.3
申请日：2014-04-23
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种波导共振耦合表面等离子体光场的激发和调控方法，采用器件主要由透明基底、纳米结构层和波导共振多层膜构成。对于确定波长的平面波照射透明基底，透明基底上的纳米结构层将照明平面波衍射为各级次平面波。利用波导共振多层膜的共振耦合特性，对于各级次平面波透射波导共振多层膜后将产生特定单一级次的表面等离子体光场，波导共振多层膜材料的虚部吸收小、激发产生的表面等离子体光场强度高，最终可以在波导共振多层膜的上表面形成纵向5nm～50nm范围内倏逝的表面等离子体光场。本发明的方法对波导共振多层膜的厚度误差、粗糙度要求低，有望用于超分辨显微的结构照明、表面等离子体干涉光刻、表层显微、表面等离子体生物传感等领域。
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