公开(公告)号：CN104600120B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201510021174.0

申请日：2015-01-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  孙陈超 ,  王剑锋 ,  叶然 ,  张春伟 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

Abstract: 一种P型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：N型衬底、N型外延层，在N型外延层中形成有P型轻掺杂漏区和N阱，N阱的一侧和所述P型轻掺杂漏区的一侧相接触；在所述P型轻掺杂漏区中形成有P型重掺杂漏区；在所述N阱中形成有P型重掺杂源区，在N阱的另一侧形成有N型重掺杂引出区，N型重掺杂引出区穿过N型外延层与N型硅衬底相接触；在N阱上形成有栅氧化层，且栅氧化层的两个边界分别位于P型重掺杂源区及P型轻掺杂漏区的边界上方；在N型重掺杂引出区和P型重掺杂源区上连接有源极金属，在P型重掺杂漏区上连接有漏极金属，其特征在于，所述栅氧化层为阶梯状，在栅氧化层的下方设有P型掺杂区且所述P型掺杂区位于N阱中。

公开(公告)号：CN103838939B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201410126962.1

申请日：2014-03-31

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  叶伟 ,  叶然 ,  马荣晶 ,  周雷雷 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种垂直型场效应晶体管直流特性和电容特性仿真方法，包括以下步骤：步骤10)获取直流特性测试数据文件；步骤20）根据漂移区特性建立漂移区电阻；步骤30）建立垂直型场效应晶体管直流特性模型；步骤40）电容CiSS、CrSS测试，并通过计算得到CGS、CGD与漏极电压相对应的电容值，获取CGS、CGD的测试数据文件，步骤50）建立垂直型场效应晶体管电容CGD模型；步骤60）建立垂直型场效应晶体管电容CGS模型，本发明中垂直型场效应晶体管的直流特性模型可以解决BSIM3V3模型本身不具备垂直型场效应晶体管所具有的准饱和特性的问题，并且弥补了垂直型场效应晶体管电容模型的空白。

公开(公告)号：CN106340500A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610835860.6

申请日：2016-09-20

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  叶然 ,  魏家行 ,  宋海洋 ,  王宁 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49 ,  H01L25/16

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49 ,  H01L25/16

Abstract: 一种具有不同截面直径焊线的功率模块，具有更低的工作结温以及更均匀的芯片温度分布，包括：散热底板，在散热底板上设有覆铜陶瓷基板，所述覆铜陶瓷基板包括陶瓷基板，在陶瓷基板的下表面上设有覆铜且覆铜设在散热底板的上表面上，在覆铜陶瓷基板上至少设有2个端子，所述端子连接于位于所述端子下方并设在陶瓷基板的上表面上的覆铜片上，在需要实现连接的两个端子中的一个端子下方的覆铜片上连接有功率芯片，所述功率芯片通过一排使用高电导率金属材料的焊线与所述需要实现连接的两个端子中的另一个端子连接，同一功率芯片上的焊线的截面直径反比于所述同一功率芯片上该焊线的端部焊点至与所述同一功率芯片所连接的端子之间的距离。

公开(公告)号：CN106252400A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610835934.6

申请日：2016-09-20

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  李秀军 ,  叶然 ,  魏家行 ,  杨翰琪 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66325

Abstract: 一种厚膜SOI-LIGBT器件及其抗闩锁能力的提高方法，包括P型衬底，在P型衬底上设有一层埋氧化层，在埋氧化层上方有N型漂移区，N型漂移区的内部设有P型体区和N型缓冲区，在P型体区表面设有P型阴极接触区和n型阴极接触区，接触区与阴极接触金属层相连，在N型缓冲区的表面设有P型阳极接触区，接触区与阳极接触金属层相连，N型漂移区的表面有场氧化层和导电多晶硅栅极，在阴极接触区、阳极接触区、场氧化层和导电多晶硅栅极的表面设有钝化层，其特征在于，器件阴极外侧设有隔离槽，隔离槽中导电多晶硅与阴极接触区以及阴极金属层短接，此方法增大隔离槽中导电多晶硅与N型漂移区之间电势差，减少流经P型体区中横向沟道的空穴电流，实现了抗闩锁能力的提高。

公开(公告)号：CN106024905A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610614208.1

申请日：2016-07-29

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  薛颖 ,  叶然 ,  陈欣 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1008

Abstract: 一种低导通电阻横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底，在P型衬底的上方设有高压N型区，在高压N型区的上方设有N型漂移区和P型体区，在N型漂移区内设有N型漏区、浅槽隔离区，在P型体区内设有N型源区和P型区，在高压N型区的上方设有栅氧化层且所述栅氧化层的两端分别延伸至P型体区和第一浅槽隔离区的上方，在栅氧化层上方设有多晶硅栅场板，在N型漏区、N型源区和P型区的上设有金属接触。其特征在于，所述浅槽隔离区包括间隔、对称排列的第一浅槽隔离区和第二浅槽隔离区，所述第二浅槽隔离区两端内缩且短于所述第一浅槽隔离区。本发明可以在击穿电压几乎不变的基础上，获得极低的导通电阻。