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公开(公告)号：CN106252400B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201610835934.6
申请日：2016-09-20
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 一种厚膜SOI‑LIGBT器件及其抗闩锁能力的提高方法，包括P型衬底，在P型衬底上设有一层埋氧化层，在埋氧化层上方有N型漂移区，N型漂移区的内部设有P型体区和N型缓冲区，在P型体区表面设有P型阴极接触区和n型阴极接触区，接触区与阴极接触金属层相连，在N型缓冲区的表面设有P型阳极接触区，接触区与阳极接触金属层相连，N型漂移区的表面有场氧化层和导电多晶硅栅极，在阴极接触区、阳极接触区、场氧化层和导电多晶硅栅极的表面设有钝化层，其特征在于，器件阴极外侧设有隔离槽，隔离槽中导电多晶硅与阴极接触区以及阴极金属层短接，此方法增大隔离槽中导电多晶硅与N型漂移区之间电势差，减少流经P型体区中横向沟道的空穴电流，实现了抗闩锁能力的提高。
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公开(公告)号：CN106298901A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610886226.5
申请日：2016-10-10
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/0619 , H01L29/7394
Abstract: 一种高热载流子可靠性的横向绝缘栅双极型晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳区，在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，在场氧化层的右上表面设有多晶硅，其特征在于P型阳区由成行排列的块状P型区构成，在N型缓冲区内设有浮空N型接触区，P型阳区设在浮空N型接触区内且每个块状P型区被浮空N型接触区三面包围；所述场氧化层的另一端向P型阳区延伸并止于所述浮空N型接触区。本发明能降低寄生PNP晶体管的发射效率，降低开态阶段和开关阶段的热载流子损伤，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN106356313A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610972493.4
申请日：2016-11-04
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01L22/30 , G01R31/2601 , G01R31/2608 , H01L22/14
Abstract: 一种横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法及5端口器件，横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法特征为，包括沟道区、鸟嘴区、多晶硅栅场板区及场板末端区电荷泵电流的测试，进行测试时，先在同一晶圆上目标器件旁边制造5端口器件，对辅助5端口器件进行系统搭建并设置测试条件，最后进行电荷泵电流测试操作；一种用于横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法的5端口器件，其特征为，包括一个电荷泵电子提供区和一个电荷泵专用测试电极，所述电荷泵电子提供区和阳极P+区并排处于N型缓冲区的上部，且单独与电荷泵专用测试电极相连；本发明可以解决传统方法不能测试横向绝缘栅双极型晶体管多晶硅栅场板区及场板末端区的界面损伤的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106206711B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201610704134.0
申请日：2016-08-22
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 一种P型埋层AlGaN‑GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成AlN成核层，在AlN成核层上形成本征GaN层，在本征GaN层上形成AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层上表面形成栅氧化层，在栅氧化层上表面形成栅极，在AlGaN掺杂层和栅极上覆盖钝化层，在栅极一侧形成源极，在栅极另一侧形成漏极，所述源极和漏极始于本征GaN层的上部、贯穿AlGaN掺杂层并止于钝化层内，其特征在于，在AlN成核层中形成有P型AlGaN掺杂区埋层，所述P型AlGaN掺杂区埋层上表面与本征GaN层下表面相接触，P型AlGaN掺杂区埋层的一个边界位于栅极下方，另一个边界位于栅极和漏极之间区域的下方。
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公开(公告)号：CN106356313B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201610972493.4
申请日：2016-11-04
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法及5端口器件，横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法特征为，包括沟道区、鸟嘴区、多晶硅栅场板区及场板末端区电荷泵电流的测试，进行测试时，先在同一晶圆上目标器件旁边制造5端口器件，对辅助5端口器件进行系统搭建并设置测试条件，最后进行电荷泵电流测试操作；一种用于横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法的5端口器件，其特征为，包括一个电荷泵电子提供区和一个电荷泵专用测试电极，所述电荷泵电子提供区和阳极P+区并排处于N型缓冲区的上部，且单独与电荷泵专用测试电极相连；本发明可以解决传统方法不能测试横向绝缘栅双极型晶体管多晶硅栅场板区及场板末端区的界面损伤的问题。
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公开(公告)号：CN106298901B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201610886226.5
申请日：2016-10-10
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 一种高热载流子可靠性的横向绝缘栅双极型晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳区，在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，在场氧化层的右上表面设有多晶硅，其特征在于P型阳区由成行排列的块状P型区构成，在N型缓冲区内设有浮空N型接触区，P型阳区设在浮空N型接触区内且每个块状P型区被浮空N型接触区三面包围；所述场氧化层的另一端向P型阳区延伸并止于所述浮空N型接触区。本发明能降低寄生PNP晶体管的发射效率，降低开态阶段和开关阶段的热载流子损伤，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN106252400A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610835934.6
申请日：2016-09-20
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/0684 , H01L29/66325
Abstract: 一种厚膜SOI-LIGBT器件及其抗闩锁能力的提高方法，包括P型衬底，在P型衬底上设有一层埋氧化层，在埋氧化层上方有N型漂移区，N型漂移区的内部设有P型体区和N型缓冲区，在P型体区表面设有P型阴极接触区和n型阴极接触区，接触区与阴极接触金属层相连，在N型缓冲区的表面设有P型阳极接触区，接触区与阳极接触金属层相连，N型漂移区的表面有场氧化层和导电多晶硅栅极，在阴极接触区、阳极接触区、场氧化层和导电多晶硅栅极的表面设有钝化层，其特征在于，器件阴极外侧设有隔离槽，隔离槽中导电多晶硅与阴极接触区以及阴极金属层短接，此方法增大隔离槽中导电多晶硅与N型漂移区之间电势差，减少流经P型体区中横向沟道的空穴电流，实现了抗闩锁能力的提高。
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公开(公告)号：CN106206711A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610704134.0
申请日：2016-08-22
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/0684
Abstract: 一种P型埋层AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成AlN成核层，在AlN成核层上形成本征GaN层，在本征GaN层上形成AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层上表面形成栅氧化层，在栅氧化层上表面形成栅极，在AlGaN掺杂层和栅极上覆盖钝化层，在栅极一侧形成源极，在栅极另一侧形成漏极，所述源极和漏极始于本征GaN层的上部、贯穿AlGaN掺杂层并止于钝化层内，其特征在于，在AlN成核层中形成有P型AlGaN掺杂区埋层，所述P型AlGaN掺杂区埋层上表面与本征GaN层下表面相接触，P型AlGaN掺杂区埋层的一个边界位于栅极下方，另一个边界位于栅极和漏极之间区域的下方。
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