公开(公告)号：CN119990603A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510053629.0

申请日：2025-01-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 李兵兵 ,  陈欣 ,  庄伟超 ,  孙丽艳 ,  殷国栋 ,  刘萌萌 ,  黄成亚

IPC: G06Q10/0631 ,  G06Q10/047 ,  G06Q50/06 ,  G06N5/01

Abstract: 本发明公开了面向电动汽车充电网络设计的最优调度方法及系统，涉及电动汽车车队路由技术领域。本发明包括：根据电池实际充电过程和电池磨损情况，定义充电函数及磨损成本函数；根据磨损成本和充电状态之间的单调关系，构建对应的磨损成本函数的数学模型，并设置约束条件；采用CWIGALNS的三阶段高效启发式算法求解磨损成本函数的数学模型，得到最优调度方案。本发明充分考虑充电过程对电动汽车调度的影响，能够系统分析、解决电动汽车配送服务与充电调度的协同优化问题，降低物流运营成本。

公开(公告)号：CN119990489A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510053599.3

申请日：2025-01-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 李兵兵 ,  陈欣 ,  庄伟超 ,  孙丽艳 ,  殷国栋 ,  刘萌萌 ,  黄成亚

IPC: G06Q10/047 ,  G06F18/15 ,  G06F18/213 ,  G06F18/25 ,  G06N3/045 ,  G06N3/0442 ,  G06N3/0455 ,  G06N3/092 ,  G06N3/048 ,  G06F123/02

Abstract: 本发明公开了大规模电动汽车车队运营的路径优化方法、系统及设备，涉及汽车路径规划技术领域。本发明包括：基于图结构对带时间窗的电动汽车路由问题进行定义，基于强化学习角度描述带时间窗电动汽车路由问题；构建注意力模型，用于聚合图结构的局部和全局信息；采用随机抽样法对图结构求解结果进行采样；最后采用rollout基线策略梯度算法对注意力模型进行训练。本发明能够在确保客户的位置和时间的条件下，快速、高效地为电动汽车车队寻找最短路径，做出路由决策，使得车队行驶的总距离最小，且具备极大的可扩展性，可支持超大规模电动汽车车队运营实例。

公开(公告)号：CN106024905B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201610614208.1

申请日：2016-07-29

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  薛颖 ,  叶然 ,  陈欣 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692

Abstract: 一种低导通电阻横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底，在P型衬底的上方设有高压N型区，在高压N型区的上方设有N型漂移区和P型体区，在N型漂移区内设有N型漏区、浅槽隔离区，在P型体区内设有N型源区和P型区，在高压N型区的上方设有栅氧化层且所述栅氧化层的两端分别延伸至P型体区和第一浅槽隔离区的上方，在栅氧化层上方设有多晶硅栅场板，在N型漏区、N型源区和P型区的上设有金属接触。其特征在于，所述浅槽隔离区包括间隔、对称排列的第一浅槽隔离区和第二浅槽隔离区，所述第二浅槽隔离区两端内缩且短于所述第一浅槽隔离区。本发明可以在击穿电压几乎不变的基础上，获得极低的导通电阻。

公开(公告)号：CN106206711B

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201610704134.0

申请日：2016-08-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  陈欣 ,  魏家行 ,  杨翰琪 ,  任晓飞 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 一种P型埋层AlGaN‑GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成AlN成核层，在AlN成核层上形成本征GaN层，在本征GaN层上形成AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层上表面形成栅氧化层，在栅氧化层上表面形成栅极，在AlGaN掺杂层和栅极上覆盖钝化层，在栅极一侧形成源极，在栅极另一侧形成漏极，所述源极和漏极始于本征GaN层的上部、贯穿AlGaN掺杂层并止于钝化层内，其特征在于，在AlN成核层中形成有P型AlGaN掺杂区埋层，所述P型AlGaN掺杂区埋层上表面与本征GaN层下表面相接触，P型AlGaN掺杂区埋层的一个边界位于栅极下方，另一个边界位于栅极和漏极之间区域的下方。

公开(公告)号：CN106328700B

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201610705225.6

申请日：2016-08-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  魏家行 ,  陈欣 ,  李秀军 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 一种增强型绝缘埋层AlGaN‑GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成有AlN成核层，在AlN成核层上形成有本征GaN层，在本征GaN层上形成有AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层上表面形成栅绝缘层，在栅绝缘层上形成栅极，在AlGaN掺杂层上部形成源极且所述源极位于栅极的一侧，栅极的另一侧形成漏极，所述源极和漏极始于AlGaN掺杂层上部并止于本征GaN层内部，贯穿AlGaN掺杂层，在栅极、源极和漏极上形成有钝化层，其特征在于，在本征GaN层的内部设有绝缘层，所述绝缘层位于栅极正下方且始于AlGaN掺杂层下表面并止于AlN成核层上表面。

公开(公告)号：CN106328700A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610705225.6

申请日：2016-08-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  魏家行 ,  陈欣 ,  李秀军 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0649

Abstract: 一种增强型绝缘埋层AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成有AlN成核层，在AlN成核层上形成有本征GaN层，在本征GaN层上形成有AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层上表面形成栅绝缘层，在栅绝缘层上形成栅极，在AlGaN掺杂层上部形成源极且所述源极位于栅极的一侧，栅极的另一侧形成漏极，所述源极和漏极始于AlGaN掺杂层上部并止于本征GaN层内部，贯穿AlGaN掺杂层，在栅极、源极和漏极上形成有钝化层，其特征在于，在本征GaN层的内部设有绝缘层，所述绝缘层位于栅极正下方且始于AlGaN掺杂层下表面并止于AlN成核层上表面。

公开(公告)号：CN106206711A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610704134.0

申请日：2016-08-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  陈欣 ,  魏家行 ,  杨翰琪 ,  任晓飞 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/0684

Abstract: 一种P型埋层AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成AlN成核层，在AlN成核层上形成本征GaN层，在本征GaN层上形成AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层上表面形成栅氧化层，在栅氧化层上表面形成栅极，在AlGaN掺杂层和栅极上覆盖钝化层，在栅极一侧形成源极，在栅极另一侧形成漏极，所述源极和漏极始于本征GaN层的上部、贯穿AlGaN掺杂层并止于钝化层内，其特征在于，在AlN成核层中形成有P型AlGaN掺杂区埋层，所述P型AlGaN掺杂区埋层上表面与本征GaN层下表面相接触，P型AlGaN掺杂区埋层的一个边界位于栅极下方，另一个边界位于栅极和漏极之间区域的下方。

公开(公告)号：CN106024905A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610614208.1

申请日：2016-07-29

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  薛颖 ,  叶然 ,  陈欣 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1008

Abstract: 一种低导通电阻横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底，在P型衬底的上方设有高压N型区，在高压N型区的上方设有N型漂移区和P型体区，在N型漂移区内设有N型漏区、浅槽隔离区，在P型体区内设有N型源区和P型区，在高压N型区的上方设有栅氧化层且所述栅氧化层的两端分别延伸至P型体区和第一浅槽隔离区的上方，在栅氧化层上方设有多晶硅栅场板，在N型漏区、N型源区和P型区的上设有金属接触。其特征在于，所述浅槽隔离区包括间隔、对称排列的第一浅槽隔离区和第二浅槽隔离区，所述第二浅槽隔离区两端内缩且短于所述第一浅槽隔离区。本发明可以在击穿电压几乎不变的基础上，获得极低的导通电阻。

公开(公告)号：CN216985171U

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202220123385.0

申请日：2022-01-17

Applicant: 东南大学附属中大医院

Inventor： 陈欣

IPC: A61B50/33

Abstract: 本实用新型涉及医护器材技术领域，且公开了一种稳定性高方便清洁的的磁吸式治疗盘，包括治疗盘，所述治疗盘左右两侧固定连接有托把，所述治疗盘底部内固定连接有安装机构，所述安装机构顶部固定连接有拆卸机构，所述安装机构包括安装块，所述安装块设置于治疗盘底部内，所述治疗盘底部对应安装块开设有底槽，所述安装块内底部转动连接有转杆，所述转杆底部固定连接有扭块。该稳定性高方便清洁的的磁吸式治疗盘，通过设置的安装机构，可以快速的对装置底部的安装块进行安装与拆卸，方便后期对底部零部件的检修与更换，同时在底部安装块拆卸后底槽为均匀圆柱型凹槽，方便后期对装置整体进行清洁和消毒。