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公开(公告)号：CN108923446A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810579058.4
申请日：2018-06-07
Applicant: 国网天津市电力公司电力科学研究院 , 国网天津市电力公司 , 国家电网公司 , 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种光伏/储能一体化系统中储能容量的配置方法，其技术特点在于：包括以下步骤：步骤1、以某地光伏/储能系统项目为参考，建立包括铅酸电池储能系统和铅炭电池储能系统的光伏/储能一体化系统；步骤2、制定合适的能量管理策略以分别控制铅酸电池储能系统和铅炭电池储能系统的功率流动；步骤3、建立分别用于削峰填谷和平抑波动的铅酸电池储能系统和铅炭电池储能系统，对不同功能条件下的储能容量进行设计计算；步骤4、在得出系统分别进行削峰填谷和平抑波动时储能系统的容量后，搭建对应的仿真模型进行仿真。本发明将铅酸电池和铅炭电池组合起来作为储能系统，并通过合适的能量管理策略用于控制储能系统进行削峰填谷和平抑波动。
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公开(公告)号：CN104600120A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510021174.0
申请日：2015-01-15
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/42364
Abstract: 一种P型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：N型衬底、N型外延层，在N型外延层中形成有P型轻掺杂漏区和N阱，N阱的一侧和所述P型轻掺杂漏区的一侧相接触；在所述P型轻掺杂漏区中形成有P型重掺杂漏区；在所述N阱中形成有P型重掺杂源区，在N阱的另一侧形成有N型重掺杂引出区，N型重掺杂引出区穿过N型外延层与N型硅衬底相接触；在N阱上形成有栅氧化层，且栅氧化层的两个边界分别位于P型重掺杂源区及P型轻掺杂漏区的边界上方；在N型重掺杂引出区和P型重掺杂源区上连接有源极金属，在P型重掺杂漏区上连接有漏极金属，其特征在于，所述栅氧化层为阶梯状，在栅氧化层的下方设有P型掺杂区且所述P型掺杂区位于N阱中。
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公开(公告)号：CN104600120B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201510021174.0
申请日：2015-01-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种P型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：N型衬底、N型外延层，在N型外延层中形成有P型轻掺杂漏区和N阱，N阱的一侧和所述P型轻掺杂漏区的一侧相接触；在所述P型轻掺杂漏区中形成有P型重掺杂漏区；在所述N阱中形成有P型重掺杂源区，在N阱的另一侧形成有N型重掺杂引出区，N型重掺杂引出区穿过N型外延层与N型硅衬底相接触；在N阱上形成有栅氧化层，且栅氧化层的两个边界分别位于P型重掺杂源区及P型轻掺杂漏区的边界上方；在N型重掺杂引出区和P型重掺杂源区上连接有源极金属，在P型重掺杂漏区上连接有漏极金属，其特征在于，所述栅氧化层为阶梯状，在栅氧化层的下方设有P型掺杂区且所述P型掺杂区位于N阱中。
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公开(公告)号：CN108923446B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201810579058.4
申请日：2018-06-07
Applicant: 国网天津市电力公司电力科学研究院 , 国网天津市电力公司 , 国家电网公司 , 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种光伏/储能一体化系统中储能容量的配置方法，其技术特点在于：包括以下步骤：步骤1、以某地光伏/储能系统项目为参考，建立包括铅酸电池储能系统和铅炭电池储能系统的光伏/储能一体化系统；步骤2、制定合适的能量管理策略以分别控制铅酸电池储能系统和铅炭电池储能系统的功率流动；步骤3、建立分别用于削峰填谷和平抑波动的铅酸电池储能系统和铅炭电池储能系统，对不同功能条件下的储能容量进行设计计算；步骤4、在得出系统分别进行削峰填谷和平抑波动时储能系统的容量后，搭建对应的仿真模型进行仿真。本发明将铅酸电池和铅炭电池组合起来作为储能系统，并通过合适的能量管理策略用于控制储能系统进行削峰填谷和平抑波动。
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