公开(公告)号：CN107342325B

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201710530003.X

申请日：2017-06-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  李胜 ,  薛颖 ,  童鑫 ,  叶然 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括器件部分和终端部分以及P型衬底，在P型衬底的上方设有高压N型区、N型漂移区、位于器件部分的P型体区4A1和位于终端部分的由器件部分P型体区4A1扩散形成的P型体区4A2，在高压N型区上方还设有栅氧化层和多晶硅栅场板，器件部分还包括设在N型漏区、N型源区和P型区以及金属接触，其特征在于，在N型漂移区内设有浅槽隔离区，所述浅槽隔离区呈直条形状，浅槽隔离区是由器件部分延伸至终端部分，即浅槽隔离区的宽度与N型漂移区的宽度相同，并且终端部分的P型体区4A2和N型漂移区上方不设有N型漏区、N型源区、P型区和金属接触。本发明可以保持LDMOS器件各性能参数不变的情况下提高其击穿电压。

公开(公告)号：CN106252400B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201610835934.6

申请日：2016-09-20

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  李秀军 ,  叶然 ,  魏家行 ,  杨翰琪 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 一种厚膜SOI‑LIGBT器件及其抗闩锁能力的提高方法，包括P型衬底，在P型衬底上设有一层埋氧化层，在埋氧化层上方有N型漂移区，N型漂移区的内部设有P型体区和N型缓冲区，在P型体区表面设有P型阴极接触区和n型阴极接触区，接触区与阴极接触金属层相连，在N型缓冲区的表面设有P型阳极接触区，接触区与阳极接触金属层相连，N型漂移区的表面有场氧化层和导电多晶硅栅极，在阴极接触区、阳极接触区、场氧化层和导电多晶硅栅极的表面设有钝化层，其特征在于，器件阴极外侧设有隔离槽，隔离槽中导电多晶硅与阴极接触区以及阴极金属层短接，此方法增大隔离槽中导电多晶硅与N型漂移区之间电势差，减少流经P型体区中横向沟道的空穴电流，实现了抗闩锁能力的提高。

公开(公告)号：CN106340500B

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201610835860.6

申请日：2016-09-20

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  叶然 ,  魏家行 ,  宋海洋 ,  王宁 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49 ,  H01L25/16

Abstract: 一种具有不同截面直径焊线的功率模块，具有更低的工作结温以及更均匀的芯片温度分布，包括：散热底板，在散热底板上设有覆铜陶瓷基板，所述覆铜陶瓷基板包括陶瓷基板，在陶瓷基板的下表面上设有覆铜且覆铜设在散热底板的上表面上，在覆铜陶瓷基板上至少设有2个端子，所述端子连接于位于所述端子下方并设在陶瓷基板的上表面上的覆铜片上，在需要实现连接的两个端子中的一个端子下方的覆铜片上连接有功率芯片，所述功率芯片通过一排使用高电导率金属材料的焊线与所述需要实现连接的两个端子中的另一个端子连接，同一功率芯片上的焊线的截面直径反比于所述同一功率芯片上该焊线的端部焊点至与所述同一功率芯片所连接的端子之间的距离。

公开(公告)号：CN107342325A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710530003.X

申请日：2017-06-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  李胜 ,  薛颖 ,  童鑫 ,  叶然 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括器件部分和终端部分以及P型衬底，在P型衬底的上方设有高压N型区、N型漂移区、位于器件部分的P型体区4A1和位于终端部分的由器件部分P型体区4A1扩散形成的P型体区4A2，在高压N型区上方还设有栅氧化层和多晶硅栅场板，器件部分还包括设在N型漏区、N型源区和P型区以及金属接触，其特征在于，在N型漂移区内设有浅槽隔离区，所述浅槽隔离区呈直条形状，浅槽隔离区是由器件部分延伸至终端部分，即浅槽隔离区的宽度与N型漂移区的宽度相同，并且终端部分的P型体区4A2和N型漂移区上方不设有N型漏区、N型源区、P型区和金属接触。本发明可以保持LDMOS器件各性能参数不变的情况下提高其击穿电压。

公开(公告)号：CN104022111B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201410269632.8

申请日：2014-06-17

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  叶然 ,  王剑峰 ,  孙陈超 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L27/02

Abstract: 一种具有双向防护能力的静电放电保护结构，包括P型衬底，N型阱区、第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区，第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、第三N型重掺杂区和第四N型重掺杂区，第一场氧化层、第二场氧化层、第三场氧化层、第四场氧化层和栅氧化层，栅多晶硅层，第一金属层，第二金属层，第三金属层，第四金属层，第五金属层，金属层二。本发明结构在正负方向上都具有耐压能力，保证了该结构不会影响内部电路的正常工作，且遇到静电放电脉冲时能够提供正负两个方向的静电放电电流泄放路径，达到静电放电保护的目的，可以用于需要双向静电放电保护的集成电路。

公开(公告)号：CN110808287B

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN201911058197.3

申请日：2019-10-31

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  杨玲 ,  叶然 ,  卢丽 ,  王琪朝 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 一种优品质因数横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底，在P型衬底的上方设有N型区，在N型区的上方有P型体区和N型漂移区，在P型体区内设有N型源区和P型区，在N型漂移区内设有N型漏区，在N型漏区、N型源区和P型区上设有金属接触，在N型区的上方设有栅氧化层，在栅氧化层上方覆盖有多晶硅栅场板，在栅氧化层和N型漏区之间设有场氧层，在场氧层上方设有源级场板，其特征在于，所述源级场板由一排相互间隔排列且相抵的低位源级场板和高位源级场板组成，高位源级场板与N型漂移区之间的距离大于低位源级场板与N型漂移区之间的距离。本发明可在击穿电压基本不变的基础上，获得较优的品质因数。

公开(公告)号：CN111426927A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201811583501.1

申请日：2018-12-24

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘斯扬 ,  李智超 ,  叶然 ,  卢丽 ,  孙伟锋 ,  苏巍 ,  马书嫏 ,  华晓春 ,  顾力晖 ,  林峰

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件动态电学应力施加装置，包括：信号发生器、光耦保护模块、栅脉冲驱动模块、高压控制模块和所述n个被测功率半导体器件，其中，所述信号发生器、所述光耦保护模块、所述栅脉冲驱动模块依次串接至所述n个被测功率半导体器件栅极，所述高压控制模块与所述n个被测功率半导体器件漏极相连，所述n个被测功率半导体器件源级接地。本发明还涉及一种功率半导体器件动态电学应力测试方法。本发明能够同时完成对一个或多个被测功率半导体器件进行动态电学应力的施加，通过光耦保护模块实现了信号发生器与高压电路的光电隔离，方便对被测功率半导体器件退化参数的监测，提高了动态电学应力条件下热载流子可靠性测试的效率。

公开(公告)号：CN110808287A

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201911058197.3

申请日：2019-10-31

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  杨玲 ,  叶然 ,  卢丽 ,  王琪朝 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 一种优品质因数横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底，在P型衬底的上方设有N型区，在N型区的上方有P型体区和N型漂移区，在P型体区内设有N型源区和P型区，在N型漂移区内设有N型漏区，在N型漏区、N型源区和P型区上设有金属接触，在N型区的上方设有栅氧化层，在栅氧化层上方覆盖有多晶硅栅场板，在栅氧化层和N型漏区之间设有场氧层，在场氧层上方设有源级场板，其特征在于，所述源级场板由一排相互间隔排列且相抵的低位源级场板和高位源级场板组成，高位源级场板与N型漂移区之间的距离大于低位源级场板与N型漂移区之间的距离。本发明可在击穿电压基本不变的基础上，获得较优的品质因数。

公开(公告)号：CN106356313B

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201610972493.4

申请日：2016-11-04

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  杨翰琪 ,  薛颖 ,  叶然 ,  魏家行 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26

Abstract: 一种横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法及5端口器件，横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法特征为，包括沟道区、鸟嘴区、多晶硅栅场板区及场板末端区电荷泵电流的测试，进行测试时，先在同一晶圆上目标器件旁边制造5端口器件，对辅助5端口器件进行系统搭建并设置测试条件，最后进行电荷泵电流测试操作；一种用于横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法的5端口器件，其特征为，包括一个电荷泵电子提供区和一个电荷泵专用测试电极，所述电荷泵电子提供区和阳极P+区并排处于N型缓冲区的上部，且单独与电荷泵专用测试电极相连；本发明可以解决传统方法不能测试横向绝缘栅双极型晶体管多晶硅栅场板区及场板末端区的界面损伤的问题。

公开(公告)号：CN106129117A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610616608.6

申请日：2016-07-29

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  任晓飞 ,  李秀军 ,  叶然 ,  方云超 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7825

Abstract: 一种高可靠性的横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有P型外延层，在P型外延层的内部设有P型体区和N型漂移区，在P型体区内设有N型源区和P型体接触区，在N型漂移区中设有N型缓冲层，在N型缓冲层中设有N型漏区，在P型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅并延伸至场氧化层上表面，所述可降低热载流子效应的结构为由多个沟槽构成的沟槽阵列，位于多晶硅栅下方的场氧化层区域，且沟槽阵列由多晶硅填充并与多晶硅栅连接。引入的沟槽阵列能够有效降低栅氧化层和场氧化层交界位置处的碰撞电离峰值，减低器件的热载流子退化，进而提高器件的可靠性。