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公开(公告)号：CN107342325B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201710530003.X
申请日：2017-06-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括器件部分和终端部分以及P型衬底，在P型衬底的上方设有高压N型区、N型漂移区、位于器件部分的P型体区4A1和位于终端部分的由器件部分P型体区4A1扩散形成的P型体区4A2，在高压N型区上方还设有栅氧化层和多晶硅栅场板，器件部分还包括设在N型漏区、N型源区和P型区以及金属接触，其特征在于，在N型漂移区内设有浅槽隔离区，所述浅槽隔离区呈直条形状，浅槽隔离区是由器件部分延伸至终端部分，即浅槽隔离区的宽度与N型漂移区的宽度相同，并且终端部分的P型体区4A2和N型漂移区上方不设有N型漏区、N型源区、P型区和金属接触。本发明可以保持LDMOS器件各性能参数不变的情况下提高其击穿电压。
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公开(公告)号：CN107342325A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710530003.X
申请日：2017-06-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括器件部分和终端部分以及P型衬底，在P型衬底的上方设有高压N型区、N型漂移区、位于器件部分的P型体区4A1和位于终端部分的由器件部分P型体区4A1扩散形成的P型体区4A2，在高压N型区上方还设有栅氧化层和多晶硅栅场板，器件部分还包括设在N型漏区、N型源区和P型区以及金属接触，其特征在于，在N型漂移区内设有浅槽隔离区，所述浅槽隔离区呈直条形状，浅槽隔离区是由器件部分延伸至终端部分，即浅槽隔离区的宽度与N型漂移区的宽度相同，并且终端部分的P型体区4A2和N型漂移区上方不设有N型漏区、N型源区、P型区和金属接触。本发明可以保持LDMOS器件各性能参数不变的情况下提高其击穿电压。
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公开(公告)号：CN106356313A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610972493.4
申请日：2016-11-04
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01L22/30 , G01R31/2601 , G01R31/2608 , H01L22/14
Abstract: 一种横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法及5端口器件，横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法特征为，包括沟道区、鸟嘴区、多晶硅栅场板区及场板末端区电荷泵电流的测试，进行测试时，先在同一晶圆上目标器件旁边制造5端口器件，对辅助5端口器件进行系统搭建并设置测试条件，最后进行电荷泵电流测试操作；一种用于横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法的5端口器件，其特征为，包括一个电荷泵电子提供区和一个电荷泵专用测试电极，所述电荷泵电子提供区和阳极P+区并排处于N型缓冲区的上部，且单独与电荷泵专用测试电极相连；本发明可以解决传统方法不能测试横向绝缘栅双极型晶体管多晶硅栅场板区及场板末端区的界面损伤的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106024905B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201610614208.1
申请日：2016-07-29
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/0653 , H01L29/0692
Abstract: 一种低导通电阻横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底，在P型衬底的上方设有高压N型区，在高压N型区的上方设有N型漂移区和P型体区，在N型漂移区内设有N型漏区、浅槽隔离区，在P型体区内设有N型源区和P型区，在高压N型区的上方设有栅氧化层且所述栅氧化层的两端分别延伸至P型体区和第一浅槽隔离区的上方，在栅氧化层上方设有多晶硅栅场板，在N型漏区、N型源区和P型区的上设有金属接触。其特征在于，所述浅槽隔离区包括间隔、对称排列的第一浅槽隔离区和第二浅槽隔离区，所述第二浅槽隔离区两端内缩且短于所述第一浅槽隔离区。本发明可以在击穿电压几乎不变的基础上，获得极低的导通电阻。
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公开(公告)号：CN105489602A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201511017594.8
申请日：2015-12-29
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0259
Abstract: 一种具有低触发电压的静电放电保护器件，包括：P型衬底，在P型衬底上设有P型外延，在P型外延上设有N型漂移区，在N型漂移区内设有N型漏区、浅槽隔离区和第一场氧化层，在P型外延上还设有栅氧化层、N型源区、P型体区，在栅氧化层上设有多晶硅栅，在N型漏区、多晶硅栅、N型源区和P型体区的上表面分别设有穿通钝化层的漏极金属接触、栅极金属接触、源极金属接触和体区金属接触。其特征在于，在所述的N型源区和P型体区之间设有深槽隔离区和片状场氧化层构成的隔离且所述深槽隔离区与片状场氧化层呈间隔排布。本发明可以降低器件的触发电压，提高二次击穿电流，增强器件在ESD过程中的鲁棒性。
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公开(公告)号：CN106356313B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201610972493.4
申请日：2016-11-04
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法及5端口器件，横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法特征为，包括沟道区、鸟嘴区、多晶硅栅场板区及场板末端区电荷泵电流的测试，进行测试时，先在同一晶圆上目标器件旁边制造5端口器件，对辅助5端口器件进行系统搭建并设置测试条件，最后进行电荷泵电流测试操作；一种用于横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法的5端口器件，其特征为，包括一个电荷泵电子提供区和一个电荷泵专用测试电极，所述电荷泵电子提供区和阳极P+区并排处于N型缓冲区的上部，且单独与电荷泵专用测试电极相连；本发明可以解决传统方法不能测试横向绝缘栅双极型晶体管多晶硅栅场板区及场板末端区的界面损伤的问题。
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公开(公告)号：CN105489602B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201511017594.8
申请日：2015-12-29
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种具有低触发电压的静电放电保护器件，包括：P型衬底，在P型衬底上设有P型外延，在P型外延上设有N型漂移区，在N型漂移区内设有N型漏区、浅槽隔离区和第一场氧化层，在P型外延上还设有栅氧化层、N型源区、P型体区，在栅氧化层上设有多晶硅栅，在N型漏区、多晶硅栅、N型源区和P型体区的上表面分别设有穿通钝化层的漏极金属接触、栅极金属接触、源极金属接触和体区金属接触。其特征在于，在所述的N型源区和P型体区之间设有深槽隔离区和片状场氧化层构成的隔离且所述深槽隔离区与片状场氧化层呈间隔排布。本发明可以降低器件的触发电压，提高二次击穿电流，增强器件在ESD过程中的鲁棒性。
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公开(公告)号：CN106024905A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610614208.1
申请日：2016-07-29
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/0657 , H01L29/1008
Abstract: 一种低导通电阻横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底，在P型衬底的上方设有高压N型区，在高压N型区的上方设有N型漂移区和P型体区，在N型漂移区内设有N型漏区、浅槽隔离区，在P型体区内设有N型源区和P型区，在高压N型区的上方设有栅氧化层且所述栅氧化层的两端分别延伸至P型体区和第一浅槽隔离区的上方，在栅氧化层上方设有多晶硅栅场板，在N型漏区、N型源区和P型区的上设有金属接触。其特征在于，所述浅槽隔离区包括间隔、对称排列的第一浅槽隔离区和第二浅槽隔离区，所述第二浅槽隔离区两端内缩且短于所述第一浅槽隔离区。本发明可以在击穿电压几乎不变的基础上，获得极低的导通电阻。
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