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公开(公告)号：CN108369905B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201680071744.X
申请日：2016-10-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , C23C14/02 , C23C16/02 , H01L21/302
Abstract: 本发明涉及基板清洗装置。对晶圆(W)照射气体团簇从而清洗晶圆(W)的基板清洗装置(100)具有：腔室(1)，其收容晶圆(W)；旋转台(4)，其在腔室(1)内将晶圆(W)支承为能够旋转；喷嘴部(13)，其对支承到旋转台(4)的晶圆(W)照射气体团簇；喷嘴移动部件(10)，其对气体团簇在晶圆(W)上的照射位置进行扫描；排气口(32)，其用于对腔室(1)进行排气；以及控制机构(50)，其以对晶圆(W)的基于旋转台(4)的旋转方向和气体团簇的照射位置的扫描方向进行控制来抑制颗粒再附着于晶圆(W)的方式，控制颗粒的飞散方向。
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公开(公告)号：CN108475629B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201680079440.8
申请日：2016-12-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 土桥和也
IPC: H01L21/304
Abstract: 作为团簇生成气体，使用基于能量K与指标C之积Φ的值选择的气体，其中，上述能量K是由下式(1)给出的从团簇喷嘴喷出时的团簇生成气体的单分子或单原子的能量，上述指标C是由下式(2)给出的表示气体的团簇化容易程度的指标，其中，kB是玻尔兹曼常数，γ是团簇生成气体的比热容比，m是团簇生成气体的质量，v是团簇生成气体的速度，T0是气体供给温度，Tb是团簇生成气体的沸点。
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公开(公告)号：CN113169062A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980077095.8
申请日：2019-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种基板清洗方法，包括：在处理容器的内部布置基板的工序；从布置在所述处理容器的内部的气体喷嘴的喷射口喷射气体的工序；使通过来自所述气体喷嘴的气体的喷射而产生的垂直冲击波与所述基板的主表面碰撞的工序；以及通过使所述垂直冲击波与所述基板的所述主表面碰撞，从而将附着在所述基板的所述主表面上的颗粒去除的工序。
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公开(公告)号：CN110462794A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880020478.7
申请日：2018-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 向基板(S)照射气体团簇来对基板(S)进行规定的处理的气体团簇处理装置(100)具备：处理容器(1)；气体供给部(13)，其供给用于生成气体团簇的气体；质量流量控制器(14)，其控制从气体供给部(13)供给的气体的流量；团簇喷嘴(11)，其以规定的供给压力供给用于生成气体团簇的气体，将该气体喷出至被保持真空的处理容器内来通过绝热膨胀使该气体团簇化；以及压力控制部(15)，其设置于质量流量控制器(14)与团簇喷嘴(11)的之间的配管(12)，并且具有对用于生成气体团簇的气体的供给压力进行控制的背压控制器(17)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108475629A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680079440.8
申请日：2016-12-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 土桥和也
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/304
Abstract: 作为团簇生成气体，使用基于能量K与指标C之积Φ的值选择的气体，其中，上述能量K是由下式(1)给出的从团簇喷嘴喷出时的团簇生成气体的单分子或单原子的能量，上述指标C是由下式(2)给出的表示气体的团簇化容易程度的指标，其中，kB是玻尔兹曼常数，γ是团簇生成气体的比热容比，m是团簇生成气体的质量，v是团簇生成气体的速度，T0是气体供给温度，Tb是团簇生成气体的沸点。
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公开(公告)号：CN108292598A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680069784.0
申请日：2016-10-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/302 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置的腔室清洁方法，对具有腔室(1)、在腔室(1)内保持被处理基板(W)的台(4)、以及向被处理基板(W)照射气体团束的喷嘴部(13)、并具有利用气体团束处理被处理基板(W)的功能的基板处理装置的腔室(1)内实施清洁时，在腔室(1)内设置规定的反射部件(dW、60)，向反射部件(dW、60)照射气体团束(C)，使被反射部件(dW、60)反射的气流碰撞腔室(1)的壁部，而除去附着于腔室(1)的壁部的颗粒(P)。
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公开(公告)号：CN102347231B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201110212805.9
申请日：2011-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，利用含有CF类气体和COS气体的处理气体，通过1个或2个以上的工序，对被处理基板的氧化膜进行等离子体蚀刻，该等离子体处理方法包括：以规定的处理方案对被处理基板的氧化膜进行等离子体蚀刻的工序；对残留于以上述规定的处理方案进行等离子体蚀刻后的被处理基板的硫磺(S)的浓度(残留S浓度)进行掌握的工序；以使得上述残留S浓度为设定值以下的方式，对处理方案的COS气体对CF类气体流量的比(COS/CF)进行调整的工序；和以调整COS/CF而变更后的处理方案进行实际的等离子体蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN102437001A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110287175.1
申请日：2011-09-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
CPC classification number: H01L21/306 , C23C14/02 , C23C14/165 , C23C14/568 , H01M4/0421 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及真空处理装置、真空处理方法以及微细加工装置。在真空室(31)内设置有喷嘴部(5)，按照与喷嘴部(5)的喷出口对置的方式保持硅基板(W)。以0.3MPa～2.0MPa从喷嘴部(5)的基端侧供给例如ClF3气体以及Ar气体，使该混合气体从喷嘴部(5)的顶端侧向1Pa～100Pa的真空气氛喷出。由此混合气体进行绝热膨胀，Ar原子、ClF3的分子结合在一起成为气体团簇(C)。在该气体团簇(C)未离子化的情况下，向硅基板(W)的表面部喷射，使该表面部多孔质化。而且在不破坏真空的情况下，在其它的真空室(41)中对该硅基板(W)的表面进行锂的溅射成膜。
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公开(公告)号：CN101010448A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200680000710.8
申请日：2006-06-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4404 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/4412 , C23C16/45525 , C23C16/45561 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种在半导体处理装置中使用的构成部件(10)，其包括：规定构成部件的形状的基材(10a)和覆盖基材的规定表面的保护膜(10c)。保护膜(10c)由选自铝、硅、铪、锆和钇的第一元素的氧化物的无定形体构成。保护膜(10c)具有小于1％的孔隙率和1nm～10μm的厚度。
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