公开(公告)号：CN108369905A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680071744.X

申请日：2016-10-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 斋藤幸正 ,  日向寿树 ,  土桥和也 ,  池田恭子 ,  守谷修司

IPC: H01L21/304 ,  C23C14/02 ,  C23C16/02 ,  H01L21/302

CPC classification number: C23C14/02 ,  C23C16/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及基板清洗装置。对晶圆(W)照射气体团簇从而清洗晶圆(W)的基板清洗装置(100)具有：腔室(1)，其收容晶圆(W)；旋转台(4)，其在腔室(1)内将晶圆(W)支承为能够旋转；喷嘴部(13)，其对支承到旋转台(4)的晶圆(W)照射气体团簇；喷嘴移动部件(10)，其对气体团簇在晶圆(W)上的照射位置进行扫描；排气口(32)，其用于对腔室(1)进行排气；以及控制机构(50)，其以对晶圆(W)的基于旋转台(4)的旋转方向和气体团簇的照射位置的扫描方向进行控制来抑制颗粒再附着于晶圆(W)的方式，控制颗粒的飞散方向。

公开(公告)号：CN105742211B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201510993622.3

申请日：2015-12-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 网仓学 ,  日向寿树

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45587 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/0268 ,  H01J2237/16 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719

Abstract: 本发明提供一种用于在处理容器内独立且面内均匀地对多个基板进行处理的基板处理装置。晶圆处理装置包括：处理容器，其用于气密地容纳晶圆；载置台，其设有多个，该载置台用于在处理容器内载置晶圆；处理气体供给部，其用于自载置台的上方朝向晶圆供给处理气体；排气机构，其用于对处理容器内进行排气；分隔壁，其配置在处理容器内，该分隔壁以与各载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围载置台；以及内壁，其为圆筒形状，该内壁配置在处理容器的底面且以与载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围该载置台，在内壁上形成有狭缝，经由狭缝进行处理空间内的处理气体的排气。在内壁上设有使处理空间内的处理气体以不直接流入狭缝的方式迂回的分隔板。

公开(公告)号：CN108369905B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN201680071744.X

申请日：2016-10-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 斋藤幸正 ,  日向寿树 ,  土桥和也 ,  池田恭子 ,  守谷修司

IPC: H01L21/304 ,  C23C14/02 ,  C23C16/02 ,  H01L21/302

Abstract: 本发明涉及基板清洗装置。对晶圆(W)照射气体团簇从而清洗晶圆(W)的基板清洗装置(100)具有：腔室(1)，其收容晶圆(W)；旋转台(4)，其在腔室(1)内将晶圆(W)支承为能够旋转；喷嘴部(13)，其对支承到旋转台(4)的晶圆(W)照射气体团簇；喷嘴移动部件(10)，其对气体团簇在晶圆(W)上的照射位置进行扫描；排气口(32)，其用于对腔室(1)进行排气；以及控制机构(50)，其以对晶圆(W)的基于旋转台(4)的旋转方向和气体团簇的照射位置的扫描方向进行控制来抑制颗粒再附着于晶圆(W)的方式，控制颗粒的飞散方向。

公开(公告)号：CN108878324B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN201810678335.7

申请日：2015-12-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 网仓学 ,  日向寿树

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种用于在处理容器内独立且面内均匀地对多个基板进行处理的基板处理装置。晶圆处理装置包括：处理容器，其用于气密地容纳晶圆；载置台，其设有多个，该载置台用于在处理容器内载置晶圆；处理气体供给部，其用于自载置台的上方朝向晶圆供给处理气体；排气机构，其用于对处理容器内进行排气；分隔壁，其配置在处理容器内，该分隔壁以与各载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围载置台；以及内壁，其为圆筒形状，该内壁配置在处理容器的底面且以与载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围该载置台，在内壁上形成有狭缝，经由狭缝进行处理空间内的处理气体的排气。在内壁上设有使处理空间内的处理气体以不直接流入狭缝的方式迂回的分隔板。

公开(公告)号：CN108292598A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680069784.0

申请日：2016-10-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 斋藤幸正 ,  日向寿树 ,  土桥和也 ,  池田恭子 ,  守谷修司

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置的腔室清洁方法，对具有腔室(1)、在腔室(1)内保持被处理基板(W)的台(4)、以及向被处理基板(W)照射气体团束的喷嘴部(13)、并具有利用气体团束处理被处理基板(W)的功能的基板处理装置的腔室(1)内实施清洁时，在腔室(1)内设置规定的反射部件(dW、60)，向反射部件(dW、60)照射气体团束(C)，使被反射部件(dW、60)反射的气流碰撞腔室(1)的壁部，而除去附着于腔室(1)的壁部的颗粒(P)。

公开(公告)号：CN108292598B

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN201680069784.0

申请日：2016-10-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 斋藤幸正 ,  日向寿树 ,  土桥和也 ,  池田恭子 ,  守谷修司

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置的腔室清洁方法，对具有腔室(1)、在腔室(1)内保持被处理基板(W)的台(4)、以及向被处理基板(W)照射气体团束的喷嘴部(13)、并具有利用气体团束处理被处理基板(W)的功能的基板处理装置的腔室(1)内实施清洁时，在腔室(1)内设置规定的反射部件(dW、60)，向反射部件(dW、60)照射气体团束(C)，使被反射部件(dW、60)反射的气流碰撞腔室(1)的壁部，而除去附着于腔室(1)的壁部的颗粒(P)。

公开(公告)号：CN108878324A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810678335.7

申请日：2015-12-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 网仓学 ,  日向寿树

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45587 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/0268 ,  H01J2237/16 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719

Abstract: 本发明提供一种用于在处理容器内独立且面内均匀地对多个基板进行处理的基板处理装置。晶圆处理装置包括：处理容器，其用于气密地容纳晶圆；载置台，其设有多个，该载置台用于在处理容器内载置晶圆；处理气体供给部，其用于自载置台的上方朝向晶圆供给处理气体；排气机构，其用于对处理容器内进行排气；分隔壁，其配置在处理容器内，该分隔壁以与各载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围载置台；以及内壁，其为圆筒形状，该内壁配置在处理容器的底面且以与载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围该载置台，在内壁上形成有狭缝，经由狭缝进行处理空间内的处理气体的排气。在内壁上设有使处理空间内的处理气体以不直接流入狭缝的方式迂回的分隔板。

公开(公告)号：CN105742211A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510993622.3

申请日：2015-12-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 网仓学 ,  日向寿树

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45587 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/0268 ,  H01J2237/16 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719

Abstract: 本发明提供一种用于在处理容器内独立且面内均匀地对多个基板进行处理的基板处理装置。晶圆处理装置包括：处理容器，其用于气密地容纳晶圆；载置台，其设有多个，该载置台用于在处理容器内载置晶圆；处理气体供给部，其用于自载置台的上方朝向晶圆供给处理气体；排气机构，其用于对处理容器内进行排气；分隔壁，其配置在处理容器内，该分隔壁以与各载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围载置台；以及内壁，其为圆筒形状，该内壁配置在处理容器的底面且以与载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围该载置台，在内壁上形成有狭缝，经由狭缝进行处理空间内的处理气体的排气。在内壁上设有使处理空间内的处理气体以不直接流入狭缝的方式迂回的分隔板。