公开(公告)号：CN102763196B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201180010143.5

申请日：2011-02-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  岩谷产业株式会社

Inventor： 星野聪彦 ,  松井英章 ,  成岛正树

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32816 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814

Abstract: 提供一种能够在保持图案形状的状态下清洗至图案底部的清洗方法。在保持为真空状态的处理容器（100）内对晶片（W）上的膜上形成有规定图案的晶片（W）进行清洗的方法，包括：利用所希望的清洁气体对通过蚀刻处理形成有规定图案的晶片（W）上的膜进行清洗的工序（前工序）；在前工序后，利用氧化性气体使图案表面的残渣氧化的工序（氧化工序）；和利用还原性气体使上述被氧化的残渣还原的工序（还原工序）。氧化工序和还原工序连续执行（连续工序）。前工序和连续工序中所使用的气体，通过从内部压力（PS）保持为比处理容器（100）的内部压力（P0）高的气体喷嘴（110）放出至处理容器（100）内而被团簇化。

公开(公告)号：CN102763196A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201180010143.5

申请日：2011-02-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  岩谷产业株式会社

Inventor： 星野聪彦 ,  松井英章 ,  成岛正树

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32816 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814

Abstract: 提供一种能够在保持图案形状的状态下清洗至图案底部的清洗方法。在保持为真空状态的处理容器（100）内对晶片（W）上的膜上形成有规定图案的晶片（W）进行清洗的方法，包括：利用所希望的清洁气体对通过蚀刻处理形成有规定图案的晶片（W）上的膜进行清洗的工序（前工序）；在前工序后，利用氧化性气体使图案表面的残渣氧化的工序（氧化工序）；和利用还原性气体使上述被氧化的残渣还原的工序（还原工序）。氧化工序和还原工序连续执行（连续工序）。前工序和连续工序中所使用的气体，通过从内部压力（PS）保持为比处理容器（100）的内部压力（P0）高的气体喷嘴（110）放出至处理容器（100）内而被团簇化。

公开(公告)号：CN102754194A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201180008696.7

申请日：2011-02-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  岩谷产业株式会社

Inventor： 星野聪彦 ,  松井英章 ,  成岛正树

IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/32 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C14/046 ,  C23C14/221 ,  C23C16/0281 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种基板的配线方法，其能够将Cu埋入至在基板上形成的配线用图案的底部。该基板的配线方法是在保持为真空状态的处理容器（100）内对形成有配线用图案的基板进行配线的方法，其特征在于：包括用所期望的清洗气体清洗晶片上的配线用图案的前工序和在前工序之后使用团簇化后的金属气体（金属气体团簇Cg）在配线用图案内埋入金属纳米粒子的埋入工序。

公开(公告)号：CN102754194B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201180008696.7

申请日：2011-02-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  岩谷产业株式会社

Inventor： 星野聪彦 ,  松井英章 ,  成岛正树

IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/32 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C14/046 ,  C23C14/221 ,  C23C16/0281 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种基板的配线方法，其能够将Cu埋入至在基板上形成的配线用图案的底部。该基板的配线方法是在保持为真空状态的处理容器（100）内对形成有配线用图案的基板进行配线的方法，其特征在于：包括用所期望的清洗气体清洗晶片上的配线用图案的前工序和在前工序之后使用团簇化后的金属气体（金属气体团簇Cg）在配线用图案内埋入金属纳米粒子的埋入工序。

公开(公告)号：CN102437001A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110287175.1

申请日：2011-09-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  岩谷产业株式会社

Inventor： 土桥和也 ,  布濑晓志 ,  星野聪彦 ,  妹尾武彦 ,  吉野裕

IPC: H01J37/32 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01L21/306 ,  C23C14/02 ,  C23C14/165 ,  C23C14/568 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/386 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及真空处理装置、真空处理方法以及微细加工装置。在真空室(31)内设置有喷嘴部(5)，按照与喷嘴部(5)的喷出口对置的方式保持硅基板(W)。以0.3MPa～2.0MPa从喷嘴部(5)的基端侧供给例如ClF3气体以及Ar气体，使该混合气体从喷嘴部(5)的顶端侧向1Pa～100Pa的真空气氛喷出。由此混合气体进行绝热膨胀，Ar原子、ClF3的分子结合在一起成为气体团簇(C)。在该气体团簇(C)未离子化的情况下，向硅基板(W)的表面部喷射，使该表面部多孔质化。而且在不破坏真空的情况下，在其它的真空室(41)中对该硅基板(W)的表面进行锂的溅射成膜。

公开(公告)号：CN108780760A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780015668.5

申请日：2017-03-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 菊田真也 ,  星野聪彦 ,  福岛誉史 ,  小柳光正 ,  李康旭

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/52 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明提供一种使用液体进行的芯片部件相对于基板的校准的方法。在一个实施方式中，向基板供给液体，接下来，在液体上配置芯片部件。基板具有包括具有在一个方向延伸得较长的矩形形状的搭载区域的第一面。芯片部件的第二面具有与搭载区域的形状大致一致的矩形形状，具有与搭载区域的面积大致一致的面积。搭载区域具有第一区域和第二区域。第一区域针对液体的润湿性比第二区域针对该液体的润湿性大。第一区域相对于穿过搭载区域的一对长边的中间的第一中心线对称地设置，并且相对于穿过搭载区域的一对短边的中间的第二中心线对称地设置，具有各自具有矩形形状的多个局部区域。液体被向第一区域供给。

公开(公告)号：CN100382251C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN03812483.1

申请日：2003-07-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本乡俊明 ,  星野聪彦

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J2237/336 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3121

Abstract: 一种形成绝缘膜的方法，它包括将低能量等离子体照射配置在电子器件用基片上的固化性材料含有膜，使所述固化性材料含有膜固化。该方法可以用于防止将过分的热加在该膜上，同时形成高质量的导电膜。

公开(公告)号：CN1836316A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200480023656.X

申请日：2004-09-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木胜 ,  星野聪彦 ,  井出真司 ,  柏木勇作

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明涉及降低通过化学蒸镀法形成的含有Si、O和CH的绝缘膜的介电常数的方法。向等离子体处理装置的反应容器内供给含有氢原子的加工气体。向反应容器内导入微波并供给均匀的电磁波，由此在反应容器内产生含有氢游离基的等离子体。通过照射于绝缘膜的等离子体含有的氢游离基，改变绝缘膜的结构，降低介电常数。经过径向槽天线向反应容器内供给微波。

公开(公告)号：CN119836684A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202380063881.9

申请日：2023-08-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 斯克特·莱费夫雷 ,  亚当·吉尔迪亚 ,  星野聪彦 ,  索菲娅·马德隆 ,  三村勇之

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种方法，其包括在第一衬底上提供第一键合表面，该第一键合表面包括可热固化或可光固化的键合层。该方法包括在第二衬底上提供第二键合表面。该方法包括通过使该第一键合表面与第二键合表面之间进行物理接触来将该第一衬底键合到该第二衬底上。该方法进一步包括向该键合层施加热能或光。

公开(公告)号：CN119631173A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202380057065.7

申请日：2023-07-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 坎达巴拉·塔皮利 ,  蔡洙杜 ,  星野聪彦 ,  金昊珍 ,  亚当·吉尔迪亚

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/768 ,  H01L21/18

Abstract: 本发明披露了用于形成半导体器件的设备和方法。该半导体器件可以包括多个半导体晶片。该多个半导体晶片可以具有设置在其上的电介质键合层。可以处理该电介质键合层以增加与其他半导体晶片的键合能。可以将对键合层施加过处理的晶片键合到另一个晶片。