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公开(公告)号：CN101621000B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200910158711.0
申请日：2009-07-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , G05B19/04
CPC classification number: H01L21/31144 , H01J37/32091 , H01J37/32935 , H01L21/0337 , H01L21/31116 , H01L21/31122
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法和控制程序，其与现有技术相比，能够抑制弓弯的产生，并能高精度地进行更精细的加工。本发明的等离子体蚀刻方法在对有机膜(102)进行蚀刻而形成被蚀刻膜(101)的掩模图案时，至少包括：第一有机膜蚀刻工序，其对有机膜(102)的一部分进行蚀刻；处理工序，其在第一有机膜蚀刻工序之后，将含硅膜(103)和有机膜(102)暴露在稀有气体的等离子体中；和第二有机膜蚀刻工序，其在处理工序之后，对有机膜(102)的残留部分进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN102522330A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110435763.5
申请日：2009-12-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供基板处理方法。该基板处理方法能够在处理对象层上形成上表面形状整齐而不出现线条痕迹、并且在底部形状中没有畸变、且防止产生弯曲形状而具有良好的垂直加工形状的孔。作为处理气体使用含有CF4气体、CHF3气体和C4F8气体的混合气体，在处理压力为100mTorr(1.33×10Pa)～150mTorr(2.0×10Pa)的条件下蚀刻作为中间层的BARC膜(53)，接着，作为处理气体使用含有COS气体的气体蚀刻作为下层抗蚀层的ACL膜(52)，之后，作为处理气体使用含有C6F6气体的气体蚀刻作为处理对象层的氧化膜(51)。
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公开(公告)号：CN102347231A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110212805.9
申请日：2011-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，利用含有CF类气体和COS气体的处理气体，通过1个或2个以上的工序，对被处理基板的氧化膜进行等离子体蚀刻，该等离子体处理方法包括：以规定的处理方案对被处理基板的氧化膜进行等离子体蚀刻的工序；对残留于以上述规定的处理方案进行等离子体蚀刻后的被处理基板的硫磺(S)的浓度(残留S浓度)进行掌握的工序；以使得上述残留S浓度为设定值以下的方式，对处理方案的COS气体对CF类气体流量的比(COS/CF)进行调整的工序；和以调整COS/CF而变更后的处理方案进行实际的等离子体蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN102522330B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201110435763.5
申请日：2009-12-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供基板处理方法。该基板处理方法能够在处理对象层上形成上表面形状整齐而不出现线条痕迹、并且在底部形状中没有畸变、且防止产生弯曲形状而具有良好的垂直加工形状的孔。作为处理气体使用含有CF4气体、CHF3气体和C4F8气体的混合气体，在处理压力为100mTorr(1.33×10Pa)～150mTorr(2.0×10Pa)的条件下蚀刻作为中间层的BARC膜(53)，接着，作为处理气体使用含有COS气体的气体蚀刻作为下层抗蚀层的ACL膜(52)，之后，作为处理气体使用含有C6F6气体的气体蚀刻作为处理对象层的氧化膜(51)。
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公开(公告)号：CN101800160B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN200910261675.0
申请日：2009-12-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/31138 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供基板处理方法。该基板处理方法能够在处理对象层上形成上表面形状整齐而不出现线条痕迹、并且在底部形状中没有畸变、且防止产生弯曲形状而具有良好的垂直加工形状的孔。作为处理气体使用含有CF4气体、CHF3气体和C4F8气体的混合气体，在处理压力为100mTorr(1.33×10Pa)～150mTorr(2.0×10Pa)的条件下蚀刻作为中间层的BARC膜(53)，接着，作为处理气体使用含有COS气体的气体蚀刻作为下层抗蚀层的ACL膜(52)，之后，作为处理气体使用含有C6F6气体的气体蚀刻作为处理对象层的氧化膜(51)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102347231B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201110212805.9
申请日：2011-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，利用含有CF类气体和COS气体的处理气体，通过1个或2个以上的工序，对被处理基板的氧化膜进行等离子体蚀刻，该等离子体处理方法包括：以规定的处理方案对被处理基板的氧化膜进行等离子体蚀刻的工序；对残留于以上述规定的处理方案进行等离子体蚀刻后的被处理基板的硫磺(S)的浓度(残留S浓度)进行掌握的工序；以使得上述残留S浓度为设定值以下的方式，对处理方案的COS气体对CF类气体流量的比(COS/CF)进行调整的工序；和以调整COS/CF而变更后的处理方案进行实际的等离子体蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN101800160A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200910261675.0
申请日：2009-12-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/31138 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供基板处理方法。该基板处理方法能够在处理对象层上形成上表面形状整齐而不出现线条痕迹、并且在底部形状中没有畸变、且防止产生弯曲形状而具有良好的垂直加工形状的孔。作为处理气体使用含有CF4气体、CHF3气体和C4F8气体的混合气体，在处理压力为100mTorr(1.33×10Pa)～150mTorr(2.0×10Pa)的条件下蚀刻作为中间层的BARC膜(53)，接着，作为处理气体使用含有COS气体的气体蚀刻作为下层抗蚀层的ACL膜(52)，之后，作为处理气体使用含有C6F6气体的气体蚀刻作为处理对象层的氧化膜(51)。
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公开(公告)号：CN102194686B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201110062422.8
申请日：2011-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/467
CPC classification number: H01L21/31144 , H01J37/32091
Abstract: 本发明提供即使对于深度较深的孔也能够蚀刻成良好的形状的等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和计算机存储介质。本发明的等离子体蚀刻方法，由形成为规定图案的光致抗蚀剂层、位于上述光致抗蚀剂层的下层的有机类的防反射膜、位于上述防反射膜的下层的SiON膜和位于上述SiON膜的下层的无定形碳层构成多层掩膜，利用作为最终的掩膜的无定形碳层的图案，对位于上述无定形碳层的下层的硅氧化膜或硅氮化膜进行等离子体蚀刻，在开始上述硅氧化膜或上述硅氮化膜的等离子体蚀刻时的初始掩膜，是在上述无定形碳层之上残留有上述SiON膜的状态，并且上述无定形碳层的膜厚/残留的上述SiON膜的膜厚≤14。
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公开(公告)号：CN102194686A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110062422.8
申请日：2011-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/467
CPC classification number: H01L21/31144 , H01J37/32091
Abstract: 本发明提供即使对于深度较深的孔也能够蚀刻成良好的形状的等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和计算机存储介质。本发明的等离子体蚀刻方法，由形成为规定图案的光致抗蚀剂层、位于上述光致抗蚀剂层的下层的有机类的防反射膜、位于上述防反射膜的下层的SiON膜和位于上述SiON膜的下层的无定形碳层构成多层掩膜，利用作为最终的掩膜的无定形碳层的图案，对位于上述无定形碳层的下层的硅氧化膜或硅氮化膜进行等离子体蚀刻，在开始上述硅氧化膜或上述硅氮化膜的等离子体蚀刻时的初始掩膜，是在上述无定形碳层之上残留有上述SiON膜的状态，并且上述无定形碳层的膜厚/残留的上述SiON膜的膜厚≤14。
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公开(公告)号：CN101621000A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910158711.0
申请日：2009-07-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , G05B19/04
CPC classification number: H01L21/31144 , H01J37/32091 , H01J37/32935 , H01L21/0337 , H01L21/31116 , H01L21/31122
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法和控制程序，其与现有技术相比，能够抑制弓弯的产生，并能高精度地进行更精细的加工。本发明的等离子体蚀刻方法在对有机膜(102)进行蚀刻而形成被蚀刻膜(101)的掩模图案时，至少包括：第一有机膜蚀刻工序，其对有机膜(102)的一部分进行蚀刻；处理工序，其在第一有机膜蚀刻工序之后，将含硅膜(103)和有机膜(102)暴露在稀有气体的等离子体中；和第二有机膜蚀刻工序，其在处理工序之后，对有机膜(102)的残留部分进行蚀刻。
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