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公开(公告)号：CN101702508A
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200910199068.6
申请日：2009-11-19
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
Abstract: 本发明涉及一种新型的双向阻断型浪涌保护器件，由耗尽型场效应晶体管和电阻构成，第一、第二耗尽型场效应晶体管的源极分别与第三耗尽型场效应晶体管的源极和漏极相串联，第一耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输入端相连，栅极与第二耗尽型场效应晶体管的源极相连；第二耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输出端相连，栅极与第一耗尽型场效应晶体管的源极相连；第三耗尽型场效应晶体管的栅极与第一、第二电阻均相连，第一电阻的另一端与模块输入端相连，第二电阻的另一端与模块输出端相连。本发明形成类似可重置保险丝的可变电阻电路，可无限次重复阻断复位，双向阻断型浪涌保护器件还可实现正反向浪涌的阻断，提升阻断型浪涌保护器件的性能。
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公开(公告)号：CN110600469A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910966061.6
申请日：2019-10-12
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种新型的降低正向残压的单向保护器件，其特征在于，包括N型衬底硅片，在N型衬底片正面有推结较深的P型扩散区和推结较深的N型扩散区，在推结较深的P型扩散区有推结较浅的N型杂质扩散区和P型杂质扩散区，推结较深的N型扩散区通过金属与P型杂质扩散区相连，N型杂质扩散区通过氧化层开孔蒸发金属作为整个器件阴极引出；器件背面有推结较深的N型扩散区和推结较浅的P型杂质扩散区，两个扩区通过金属相连形成器件阳极引出。本发明通过在单向负阻结构中增加PNPN器件，并且将PNPN器件的门极通过电阻短路到阳极，从而实现了一种新型的降低正向残压的单向保护器件。
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公开(公告)号：CN110600467A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910965446.0
申请日：2019-10-12
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提出了一种利用纵向三极管触发表面可控硅结构的TVS器件，包括一半导体主体，所述半导体主体包括表面结可控硅结构和纵向NPN结构，所述可控硅结构的阳极与半导体主体的对通隔离通过金属连接，当所述纵向NPN结构击穿时，所述表面结可控硅结构触发，本发明通过增加了触发结构来提供电压或者电流，以降低触发电压同时增大维持电压，使可控硅结构的TVS性能趋于理想。
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公开(公告)号：CN110556416A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910966060.1
申请日：2019-10-12
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L27/02 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开了一种低残压大浪涌单向骤回TVS器件及其制造方法，包括包括N型衬底，N型衬底上方设置P型外延层，P型外延层上设置SN层和SP层，SN层和SP层通过深槽隔离trench，本发提出的器件在提供低漏电流的同时不仅将击穿电压降低，而且大幅提升了击穿方向的峰值电流IPP，同时降低了正向导通方向和负向击穿方向的钳位电压，使得被保护器件完全处于安全区内，使得该器件具有大功率、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN105489612B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201510886621.9
申请日：2015-12-07
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L29/861 , H01L21/84
Abstract: 本发明涉及一种基于SOI基底的低漏电低电容TVS阵列及其制备方法，基于SOI基底的低漏电低电容TVS阵列包括：n型的SOI基底、p+区、n+区、p区、氮化硅隔离、电极，所述的n型SOI基底由Si衬底、SiO2层和n型Si三层结构构成，在P型和/或N型Si衬底上通过扩散或离子注入形成高掺杂PN结，形成PN结区域和中央的TVS区域。本发明所述基于SOI基底的低漏电低电容TVS阵列和现有技术中的TVS器件相比有效的降低了器件的寄生电容和漏电流，降低了器件的功耗，进一步提高了器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109119381A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810887472.1
申请日：2018-08-06
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L23/29
Abstract: 本发明公开了一种提高N衬底单向负阻型TVS芯片封装良率的胶水，其成分配比如下：银粉70-85wt％；改性环氧树脂7.5-15wt％；碳酸酯7.5-15wt％。本发明开发的新型胶水具有阻抗更小、散热更好、流通性更低的优点，同时采用刷胶工艺，避免了侧面溢胶问题，降低了短路风险，避免了浪涌冲击时爆管和毛刺问题，提高了产品稳定性，同时大大提升了封装极限能力，能够达到芯片版面与载体尺寸比例为1：1的水平，使得产品具有超低的正负向残压，能够超越目前市面上的所有同类产品。
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公开(公告)号：CN108922920A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810886804.4
申请日：2018-08-06
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/861 , H01L21/285 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/8613 , H01L21/2855 , H01L29/0684 , H01L29/417 , H01L29/6609
Abstract: 本发明公开了一种大浪涌单向TVS器件，包括P型衬底硅片、正面N+区，背面N+区，所述P型衬底硅片正面设有绝缘介质层，所述正面N+区通过接触孔引出正面阴极金属，所述背面N+区和P衬底硅片同时引出背面阳极金属，使得背面N+区和P衬底硅片短接。本发明通过在衬底片背面增加的N+区域，形成寄生NPN晶体管，并对和域同时做金属引出，使寄生NPN晶体管的发射极与基极短接，实现了在同等面积条件下，大幅度提高了TVS的浪涌能力，所获得的TVS器件具有大功率、体积小、集成度高、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN108922885A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810885772.6
申请日：2018-08-06
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L29/861
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L27/0255 , H01L27/0296 , H01L29/8611
Abstract: 本发明公开了一种大功率单向TVS器件，其特征在于：在硅片上进行双面版图设计，其中：硅片正面版图包括P+区、N+区、接触孔、正面阴极金属；N+区在中心区域，P+区围绕N+区呈环状结构，同时P+区与N+区之间存在间隔；接触孔只打开正面N+区，使得正面阴极金属通过接触孔只引出N+区；硅片背面版图包括P+区、N+区、背面阳极金属；硅片背面无介质层，背面阳极金属直接与硅片背面整体全部接触，即将硅片背面的P+区和N+区进行短接引出。本发明通过对芯片的正面和背面都进行版图设计，大幅度提升了TVS器件的浪涌电流能力，同时具有更低的钳位电压，且不需要额外增大版面。
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公开(公告)号：CN108878270A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201711108346.3
申请日：2017-11-09
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L21/18
CPC classification number: H01L21/187
Abstract: 本发明公开了一种小型化高功率密度TVS器件及其制造方法，其包括：所述器件包括两个完全相同的TVS芯片，且该两个芯片按照轴对称且晶向对准的方式键合在一起，键合后芯片上下两面金属化且通过锡焊连接固定框架。本发明两个芯片通过Bonding设备实现预键合，高温N2氛围下退火，进一步强化键合强度，从而实现小型化大功率密度TVS器件，满足户外更高浪涌能量的冲击要求。改善现有双芯片叠片工艺的低良率、芯片偏移、倾斜、电压单边不良、漏电流偏大、锡珠等异常。
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公开(公告)号：CN108417613A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201710346858.7
申请日：2017-05-16
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/8613 , H01L29/0688 , H01L29/66136
Abstract: 本发明公开了一种带有反并联二极管的双向TVS器件及其制备方法，包括一P型硅衬底，所述P型硅衬底正面均设有N型掺杂区域和P型掺杂区域，所述P型硅衬底正面的N型掺杂区域做金属引出，所述P型硅衬底背面的N型掺杂区域和P型掺杂区域做互连金属引出；所述P型硅衬底背面的N型掺杂区域和P型掺杂区域间距大于等于零。本发明的器件结构对于保护下一级OVP电路具有更加优秀的性能，由于N+浓度较低使其具有超低的电容，这大大提高了TVS器件对信号的响应速度，可以应用在保护高频数据接口电路上。该结构的超低漏电流对器件自身的耗电和散热优势明显。
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