公开(公告)号：CN108922920A

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201810886804.4

申请日：2018-08-06

Applicant: 上海长园维安微电子有限公司

Inventor： 蒋骞苑 ,  王允 ,  苏海伟 ,  赵德益 ,  杜牧涵 ,  赵志方 ,  张彩霞 ,  徐亚静 ,  冯星星 ,  吴青青 ,  张利明

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/861 ,  H01L21/285 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/8613 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/417 ,  H01L29/6609

Abstract: 本发明公开了一种大浪涌单向TVS器件，包括P型衬底硅片、正面N+区，背面N+区，所述P型衬底硅片正面设有绝缘介质层，所述正面N+区通过接触孔引出正面阴极金属，所述背面N+区和P衬底硅片同时引出背面阳极金属，使得背面N+区和P衬底硅片短接。本发明通过在衬底片背面增加的N+区域，形成寄生NPN晶体管，并对和域同时做金属引出，使寄生NPN晶体管的发射极与基极短接，实现了在同等面积条件下，大幅度提高了TVS的浪涌能力，所获得的TVS器件具有大功率、体积小、集成度高、成本低等优点。

公开(公告)号：CN211208450U

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201921699866.0

申请日：2019-10-12

Applicant: 上海长园维安微电子有限公司

Inventor： 蒋骞苑 ,  苏海伟 ,  赵德益 ,  李洪 ,  赵志方 ,  吕海凤 ,  张啸 ,  王允 ,  张彩霞

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/02

Abstract: 本实用新型提出了一种具有低触发电压的TVS器件，在P型衬底层上具有一层N型埋层，所述N型埋层上生长有P型外延层，在P型外延层上方设置有若干N阱区域和P阱区域，在N阱区域及P阱区域的表面有多个深槽，并在深槽内分别形成若干N+区和P+区，在至少一N+区内淀积有N+多晶硅，至少一P+区内形成PLD区，在N阱区域和P阱区域上方设置有一氧化层，氧化层外表面上设置有第一N+多晶硅，在该N+多晶硅外表面设置有第一介质层，在P型外延层上方淀积设置有若干第二介质层，介质层上设置有接触孔，在所述接触孔上分别淀积有至少一阴极和至少一阳极，本实用新型能够降低器件的触发电压，同时保持了其导通电阻极低的特性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208781854U

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201821258814.5

申请日：2018-08-06

Applicant: 上海长园维安微电子有限公司

Inventor： 蒋骞苑 ,  王允 ,  苏海伟 ,  赵德益 ,  杜牧涵 ,  赵志方 ,  张彩霞 ,  徐亚静 ,  冯星星 ,  吴青青 ,  张利明

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/861 ,  H01L21/285 ,  H01L21/329

Abstract: 本实用新型公开了一种大浪涌单向TVS器件，包括P型衬底硅片、正面N+区，背面N+区，所述P型衬底硅片正面设有绝缘介质层，所述正面N+区通过接触孔引出正面阴极金属，所述背面N+区和P衬底硅片同时引出背面阳极金属，使得背面N+区和P衬底硅片短接。本实用新型通过在衬底片背面增加的N+区域，形成寄生NPN晶体管，并对和域同时做金属引出，使寄生NPN晶体管的发射极与基极短接，实现了在同等面积条件下，大幅度提高了TVS的浪涌能力，所获得的TVS器件具有大功率、体积小、集成度高、成本低等优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利