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公开(公告)号：CN108878270A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201711108346.3
申请日：2017-11-09
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L21/18
CPC classification number: H01L21/187
Abstract: 本发明公开了一种小型化高功率密度TVS器件及其制造方法，其包括：所述器件包括两个完全相同的TVS芯片，且该两个芯片按照轴对称且晶向对准的方式键合在一起，键合后芯片上下两面金属化且通过锡焊连接固定框架。本发明两个芯片通过Bonding设备实现预键合，高温N2氛围下退火，进一步强化键合强度，从而实现小型化大功率密度TVS器件，满足户外更高浪涌能量的冲击要求。改善现有双芯片叠片工艺的低良率、芯片偏移、倾斜、电压单边不良、漏电流偏大、锡珠等异常。
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公开(公告)号：CN109300994A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811130910.6
申请日：2018-09-27
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/861 , H01L29/0684 , H01L29/66136
Abstract: 本发明公开了一种伪负阻型低残压TVS器件及其制备方法，其特征在于，包括采用薄片负阻工艺与辐照改性工艺。TVS器件在防护雷击浪涌时，较低的残压有利于更好的保护后级电路。高的浪涌能力有利于适用更高浪涌等级要求。且负阻稳定点不能低于工作电压(针对于电源口，如低于工作电压会造成回路电压倒灌入TVS器件)。本发明使用P型薄片负阻工艺和辐照改性工艺相结合，在降低残压、提高浪涌能力的同时实现负阻稳定点电压可控。
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公开(公告)号：CN108417566A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201711397731.4
申请日：2017-12-21
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种两通路TVS器件，其包括三颗TVS芯片，其中两颗TVS芯片并联后与第三颗TVS芯片串联组成所述两通路TVS器件。传统TVS器件是单路器件，通过单芯片或者两颗芯片或者多颗芯片串联叠加实现，无法在得到大浪涌能力的同时对两路电路同时保护。本发明通过两颗芯片并联后与第三颗芯片叠加的方法，让器件同时兼备大浪涌能力和多路保护的特性，并且器件具有封装体积小，成本低的优点。
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公开(公告)号：CN108428697A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201711097623.5
申请日：2017-11-09
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
CPC classification number: H01L2224/33 , H01L25/18 , H01L25/50
Abstract: 本发明公开了一种低电容双向带负阻TVS器件及其制备方法，包括上下叠合的一颗低电容TSS芯片和一颗TVS芯片，所述低电容TSS芯片和所述TVS芯片上下两面分别与框架焊接在一起，且中间的框架为所述低电容TSS芯片和所述TVS芯片共用。传统TVS器件抗浪涌能力和芯片版面是正比例关系，无法在得到大浪涌能力的同时得到小的器件电容。本发明通过叠片封装的方法，让器件同时兼备大浪涌能力和低电容的特性，并且器件具有封装体积小，成本低，可靠性高的优点。
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公开(公告)号：CN207602520U
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201721500424.X
申请日：2017-11-09
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L21/18
Abstract: 本实用新型公开了一种高功率密度TVS器件，其包括：所述器件包括两个完全相同的TVS芯片，且该两个芯片按照轴对称且晶向对准的方式键合在一起，上下两面金属化且通过锡焊连接固定框架。本实用新型两个芯片通过设备实现预键合，高温N2氛围下退火，进一步强化键合强度，从而实现大功率密度TVS器件，满足户外更高浪涌能量的冲击要求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210325788U
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201921700972.6
申请日：2019-10-12
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种大通流低残压TVS浪涌防护器件，其包括两颗TVS芯片和一颗TSS芯片，其中一颗TVS芯片与一颗TSS芯片串联后与第二颗TVS芯片并联组成所述器件。传统TVS器件工作电压越高抗瞬态浪涌能力越低，例如58V TVS芯片的抗浪涌能力仅有29V TVS芯片的一半左右。本实用新型通过低电压TVS芯片与TSS芯片串联形成耐高压组合，然后再与一颗TVS芯片并联，以达到进一步降低残压的目的。
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公开(公告)号：CN207651480U
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201721805043.2
申请日：2017-12-21
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种两通路TVS器件，其包括三颗TVS芯片，其中两颗TVS芯片并联后与第三颗TVS芯片串联组成所述两通路TVS器件。传统TVS器件是单路器件，通过单芯片或者两颗芯片或者多颗芯片串联叠加实现，无法在得到大浪涌能力的同时对两路电路同时保护。本实用新型通过两颗芯片并联后与第三颗芯片叠加的方法，让器件同时兼备大浪涌能力和多路保护的特性，并且器件具有封装体积小，成本低的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210272350U
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201921722504.9
申请日：2019-10-12
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/495
Abstract: 本实用新型提出了一种双通路高浪涌大通流TSS器件,包括：TSS芯片1,放置在第一框架的焊接区域上，第一框架和TSS芯片1通过焊料粘结；TSS芯片1朝下与第二框架的正面焊接区域粘结凝固；TSS芯片2,放置在第三框架的焊接区域上，第三框架和TSS芯片2通过焊料粘结，TSS芯片2未粘结的另一面焊接区第二框架的另一面对齐叠片通过焊料进行粘结；本实用新型能够大大缩小TSS器件占板面积，同时具有抗高浪涌和大通流的防护特点。
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公开(公告)号：CN207602569U
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201721485595.X
申请日：2017-11-09
Applicant: 上海长园维安微电子有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种低电容双向带负阻TVS器件及其制备方法，包括上下叠合的一颗低电容TSS芯片和一颗TVS芯片，所述低电容TSS芯片和所述TVS芯片上下两面分别与框架焊接在一起，且中间的框架为所述低电容TSS芯片和所述TVS芯片共用。传统TVS器件抗浪涌能力和芯片版面是正比例关系，无法在得到大浪涌能力的同时得到小的器件电容。本实用新型通过叠片封装的方法，让器件同时兼备大浪涌能力和低电容的特性，并且器件具有封装体积小，成本低，可靠性高的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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