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公开(公告)号：CN114656950A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210203880.7
申请日：2022-03-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种绿光磷化铟量子点的制备方法，先制备均匀的铟(In)前驱体溶液，并制备磷(P)前驱体溶液，备用；然后在20‑60℃的第一温度下，向在所述步骤a中制备的In前驱体溶液中加入在所述步骤a中制备的P前驱体溶液，并使混合溶液保持至少1h，形成InP纳米晶核，得到InP纳米晶核产物溶液；再降温到不高于室温50℃下，向在所述步骤b中制备的InP纳米晶核产物溶液中，继续加入合成外部壳层所需要的前体物质，并调至230‑310℃的第三温度，形成具有壳层包覆的InPQDs。本发明制得绿光InPQDs并提高其光学性能，其峰位在520～535nm，PLQY大于70％。本发明通过卤素配体交换的方式，在绿光InPQDs合成后进行处理，从而提高了InPQDs的光学性能。
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公开(公告)号：CN111192971B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202010024260.8
申请日：2020-01-10
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种低滚降准二维钙钛矿发光二极管及其制备方法，从下而上依次设置阴极、空穴传输层、空穴传输层与发光层界面修饰层、钙钛矿发光层、发光层与电子传输界面修饰层、电子传输层、电子注入层、阳极。本发明通过修饰空穴传输层与钙钛矿发光层的界面，不仅减小空穴层与发光层间的空穴注入势垒，改善空穴的注入效率，并且能阻挡空穴层对钙钛矿层的淬灭，提高钙钛矿层的发光效率。本发明还修饰钙钛矿发光层与电子传输层的界面，不仅能钝化钙钛矿表面的缺陷态，同时改善发光层的薄膜质量，抑制非辐射复合，从而进一步提高器件发光效率。
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公开(公告)号：CN111192971A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010024260.8
申请日：2020-01-10
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种低滚降准二维钙钛矿发光二极管及其制备方法，从下而上依次设置阴极、空穴传输层、空穴传输层与发光层界面修饰层、钙钛矿发光层、发光层与电子传输界面修饰层、电子传输层、电子注入层、阳极。本发明通过修饰空穴传输层与钙钛矿发光层的界面，不仅减小空穴层与发光层间的空穴注入势垒，改善空穴的注入效率，并且能阻挡空穴层对钙钛矿层的淬灭，提高钙钛矿层的发光效率。本发明还修饰钙钛矿发光层与电子传输层的界面，不仅能钝化钙钛矿表面的缺陷态，同时改善发光层的薄膜质量，抑制非辐射复合，从而进一步提高器件发光效率。
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公开(公告)号：CN110054214A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910202479.X
申请日：2019-03-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于三氟乙酸盐诱导的小晶粒CsPbX3钙钛矿薄膜的制备方法，首先制备CsPbX3钙钛矿前驱体溶液，然后采用旋涂工艺，将CsPbX3钙钛矿前驱体溶液设置于衬底上并固化退火成膜。在紫外灯的照射下，CsPbX3钙钛矿薄膜会根据卤素X的不同而呈现不同的颜色。本发明摒弃了传统用于制备CsPbX3钙钛矿薄膜的铯源溴化铯(CsBr)，采用三氟乙酸铯(CsTFA)作为新的铯源，制备的钙钛矿薄膜成本明显减少，采用本发明制备的CsPbX3薄膜相比于传统方法制备的CsPbX3薄膜稳定性得到明显提高，钙钛矿粒径得到明显的减小，制备工艺更加环保和绿色健康。
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公开(公告)号：CN109971481A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910196909.1
申请日：2019-03-15
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于外延生长InP壳层发光的无镉量子点的制备方法，以宽带隙量子点为核，外延均匀生长窄带隙的InP壳层作为发光中心，并继续宽带隙梯度壳层的包覆。所制备量子点能够通过调节InP壳层厚度得到相应发光峰位，且其具有较窄的发射光谱，发光效率和稳定性也有了显著的提高。ZnSe量子点的尺寸分布非常均一，半峰宽窄，在ZnSe核的基础上进行窄带隙InP发光层的包覆不仅能够有效保证量子点的尺寸均一性，还便于通过控制InP的厚度来精确调控发光峰位。因此，本发明外延生长窄带隙InP壳层发光且能保持窄半峰宽的方法，在磷化铟壳层基础上继续包覆梯度壳层，进一步提高了无镉量子点的量子产率和稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109686850A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811585972.6
申请日：2018-12-24
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供一种非PEDOT:PSS倒置串联量子点发光器件及其制备方法，在第一空穴注入层和第二电子传输层之间设置第二界面修饰层组成串联连接两个电致发光单元的连接层复合结构。本发明增加在一个电致发光单元的空穴注入层和另一个电致发光单元的电子传输层之间设置界面修饰层，通过空穴注入层/界面修饰层/电子传输层形成复合连接结构，作为连接层串联连接两个电致发光单元，该量子点发光器件适用于红、黄、绿、蓝四种颜色发光并能够有效地提高器件发光效率、亮度及寿命。
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公开(公告)号：CN107104193A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710302633.1
申请日：2017-05-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种具有多层周期掺杂结构的复合空穴传输层、LED器件结构、应用和制备方法，本发明通过在量子点发光器件的空穴有机传输层中掺入金属氧化物材料，并制备出以此掺杂有机层为结构单元的具有多层周期掺杂的空穴传输层（Hole Transport Layer,HTL），显著地提高了器件的空穴注入能力，从而改善了器件中载流子的注入平衡。同时系统地研究了金属氧化物掺杂材料在空穴传输层的掺杂比例对器件发光性能的影响。该结构不局限于量子点LED，其器件结构可移植到其他类型光电器件。
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公开(公告)号：CN115347136B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202210204912.5
申请日：2022-03-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种三维混卤素蓝光钙钛矿发光二极管器件的制备方法，将三氟乙酸铯、溴化铅、氯化铅和溴化铯溶解于二甲基亚砜中，制备混合溶液，在不低于60℃加热搅拌至少4h，得到摩尔浓度不低于0.2M三维混卤素钙钛矿前驱体溶液，过滤后氮气环境保存以备使用；然从下而上首先是采用基底，在所述基底上设有ITO阳极；在ITO阳极顶部依次设有空穴传输层、界面修饰层、钙钛矿发光层、电子传输层、电子注入层和电极修饰层、阴极，得到三维混卤素蓝光钙钛矿发光二极管器件。本发明通过在三维混卤素钙钛矿前驱体溶液中引入三氟乙酸铯，TFA‑中的C＝O可以与晶界处未配位的Pb2+结合，抑制离子迁移，使得该器件具有优异的光谱稳定性和较好的器件性能。
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公开(公告)号：CN118755470A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410520382.4
申请日：2024-04-28
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了绿光钙钛矿量子点复合材料、方法、发光层、二极管及设备；所述钙钛矿量子点由热注入方法合成，包括将铯源与油酸、十八烯反应制备铯源前驱体溶液，铯源包括碳酸铯和/或硬质酸铯；将氧化铅、溴苯乙酮、与十八烯、油酸在第一温度下反应，随后升温至第二温度与油胺反应，获得铅源前驱体溶液；将铯源前驱体溶液在第三温度下注入于铅源前驱体溶液中反应，形成钙钛矿量子点原液；对钙钛矿量子点原液进行提纯，并经过二苯基磷氧配体交换钝化处理，得到绿光钙钛矿量子点复合材料，绿光钙钛矿量子点复合材料包括二苯基磷氧修饰的铯铅溴钙钛矿量子点。本发明通过二苯基磷氧对钙钛矿量子点进行配体交换处理，钝化了铅缺陷，表现出高色纯度和杰出的发光稳定性。
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公开(公告)号：CN114864840B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202210204873.9
申请日：2022-03-03
Applicant: 上海大学
IPC: H10K50/844 , H10K71/00
Abstract: 本发明公开了一种蓝光钙钛矿发光二极管的制备方法，包括如下步骤：制备钝化剂TMBBr、制备TMB2PbBr4溶液、合成CsPbBr3粉末、制备准二维蓝光钙钛矿PEAxPA2‑x(CsPbBr3)n‑1PbBr4:TMBBr前驱体溶液、制备三维混卤素钙钛矿发光二极管器件。本分引用双(三氟甲基磺酰基)酰亚胺钠作为氧化镍(NiOx)的界面修饰层，通过在准二维钙钛矿前驱体溶液中引入4‑(三氟甲基)苯甲酰胺氢溴酸盐，使得该器件具有优异的光谱稳定性和较好的器件性能。
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