-
公开(公告)号：CN101866860A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010186273.1
申请日：2010-05-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/812 , H01L29/12
Abstract: 本发明涉及一种基于ZnO薄膜半导体场效应晶体管的制备方法，属于无机非金属材料器件制备工艺技术领域。本发明的主要特点是：采用高热导率自支撑金刚石薄膜作为衬底材料。并采用添加缓冲层方法，在其上制备n型ZnO薄膜，同时在ZnO薄膜上再制备源、漏和栅电极，最终制得具有高沟道迁移率的ZnO薄膜半导体场效应晶体管(MESFET)器件。器件的场效应迁移率高达3.5cm2/v·s。器件可在350℃下稳定工作。
-
公开(公告)号：CN100587980C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200810034103.4
申请日：2008-02-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于(100)定向金刚石薄膜的共面栅结构紫外光探测器器件的制备方法。属紫外光探测器器件制备工艺技术领域。本发明共面栅紫外光探测器的特点是在金刚石薄膜表面为一对叉指电极，衬底硅背面为一背电极；采用光刻方法制作表面叉指电极；使用磁控溅射法制作背电极；在薄膜表面的叉指电极上镀覆有金薄膜，而背电极为铝金属膜。在工作时，在叉指电极的两半电极上分别加上正的高压和正的低压，背电极则加上负高压，探测信号从阳极读出，因此收集信号都是电子，由于电子迁移率高，所以探测器的灵敏度得到很大提高，而且具有极快的响应时间。
-
公开(公告)号：CN101325227A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810040632.5
申请日：2008-07-16
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种ZnO/纳米金刚石薄膜紫外光探测器制备方法，属纳米无机化合物能源材料制造工艺技术领域。该方法是将ZnO薄膜以磁控溅射法沉积在纳米金刚石薄膜上，以高纯ZnO陶瓷靶为溅射靶材，通入氩气，调节流量为40标准毫升/分；调节反应气压为0.3Pa；溅射功率300W；溅射时间1.5小时；采用了剥落光刻技术在高度定向的ZnO薄膜表面实现微米级的叉指电极，制备共面栅ZnO/纳米金刚石薄膜共面栅紫外光探测器。
-
公开(公告)号：CN101235485A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810034108.7
申请日：2008-02-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种纳米金刚石薄膜窗口的制备方法，属化学气相沉积工艺及激光窗口材料制作技术领域。本发明通过对热丝化学气相沉积工艺的改进，采用了负偏压来增强金刚石薄膜在生长过程中的气相沉积；在钽丝和硅片底座之间施加上负偏压。高温电离的等离子体(主要是H+)。在电压作用下，向硅衬底的轰击大大加强，因而提高了硅衬底上金刚石核的成核密度和均匀化，从而降低薄膜的表面粗糙度，减少膜表面光的散射和反射，进而提高了膜表面对光的透过率。另外，通过采用氢气刻蚀和退火处理，减少了金刚石薄膜的石墨含量，大大提高了金刚石薄膜的光透过率，符合作为激光窗口材料的要求。
-
公开(公告)号：CN1928151A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610029240.X
申请日：2006-07-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种厚度可控的三层式金刚石薄膜的制备方法，属无机非金属材料化学气相沉积工艺技术领域。本发明主要解决金刚石薄膜粗糙度与厚度之间的矛盾，采用现有的热丝化学气相沉积实验装置，调节控制碳源浓度、沉积温度、反应气压、施加偏压等参数，在硅片上沉积三层式金刚石薄膜。本发明方法可直接得到厚度大且非常平整的金刚石膜，因而不需要对该薄膜进行后期抛光处理。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1300046C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200410067786.5
申请日：2004-11-03
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/117 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种氧化铝－金刚石复合材料的制造方法，属无机复合材料制造工艺技术领域。本发明的制备工艺方法，其特征在于先由金刚石微粉均匀分布于纯氧化铝陶瓷体系中并通过热压烧结制成两相共存的复合基底，然后在此复合基底上，用热丝化学气相沉积法生长金刚石薄膜，最终制成具有大面积金刚石薄膜的氧化铝－金刚石复合材料；本发明的具体步骤包括：纯氧化铝陶瓷体系的制备、添加助烧剂、合成煅烧、添加金刚石微粉、复合基底的热压烧结、化学气相沉积金刚石薄膜，最后制成本发明的新型氧化铝－金刚石复合材料。本发明的复合材料适合于制作大规模集成电路的基片材料，可用作封装管壳的基片材料。
-
公开(公告)号：CN1286351C
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200410016257.2
申请日：2004-02-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种微条气体室探测器基板的制造方法，它是采用热丝化学气相沉积法由硅基片上沉积CVD金刚石膜而制成。先对n型(100)单晶硅基片预处理，然后放入热丝化学气相沉积装置的真空反应室中充入反应气体乙醇和氢气，经氢等离子体清洗、碳化、偏压增强成核、生长四个过程制得基板毛胚，再经激光法抛光和清洁处理而制得。本发明通过控制金刚石晶粒的择优生长和采用激光抛光法两种途径获得高质量、低表面粗糙度的金刚石薄膜基板，可克服目前探测器电荷积累效应大和基板不稳定性，是一种理想的微条气体室探测器基板。本发明制作工艺简单、成本低廉、实用性强和无毒无害。
-
公开(公告)号：CN1265210C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200310109274.6
申请日：2003-12-11
Applicant: 上海大学
IPC: G01T1/24
Abstract: 本发明涉及一种以硅片上定向生长[100]晶面金刚石薄膜为基体材料制成的微条粒子探测器及其制备方法。本发明的微条粒子探测器，包括衬底及其表面涂层以及顶电极和背电极，衬底采用[100]硅片；在该衬底的上表面是[100]定向的金刚石薄膜涂层；在金刚石薄膜涂层的表面是顶电极，顶电极由铬金复合而成，并经光刻处理成条宽和间距均为25μm的微条电极，每条微条电极有镁铝丝引线引出；衬底的下表面是背电极，该背电极也是铬金复合电极。本发明的探测器的制备方法包括如下步骤：氢等离子原位刻蚀、硅表面渗碳、成核过程、金刚石表面生长过程和表面蒸镀铬金复合电极。本发明以硅片上定向生长[100]金刚石薄膜来制备粒子探测器，解决了任意取向多晶金刚石薄膜综合性能差的问题，同时解决了采用探测器级天然金刚石而造成的价格昂贵的问题，降低了生产成本，有利于工业化生产。因而具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN103746036B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410001040.8
申请日：2014-01-02
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极制备方法。该制备方法主要包括非晶碳石墨层的制备、金属Pt和Au的制备以及退火处理，此外利用磁控溅射和离子溅射方法在金刚石薄膜上沉积制备C-Pt-Au三层体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明采用的非晶碳石墨作为金属与金刚石的中间层，起到增强附着力的作用，以及三层C-Pt-Au欧姆电极具有较高的IV性能、较低的薄膜漏电流，其电阻率得到明显改善、使器件的性能得到提高。
-
公开(公告)号：CN103746036A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410001040.8
申请日：2014-01-02
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022408 , H01L31/1804
Abstract: 本发明涉及一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极制备方法。属于金刚石辐射探测器制造工艺技术领域。本发明的要点是利用磁控溅射和离子溅射方法在金刚石薄膜上沉积制备C-Pt-Au三层体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明的三层C-Pt-Au欧姆电极是有较高的IV性能、较低的薄膜漏电流，其电阻率得到明显改善、使器件的性能得到提高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
51
records
(took 0.018 seconds)
