公开(公告)号：CN1259269C

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN200410016260.4

申请日：2004-02-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 夏义本 ,  王林军 ,  张明龙 ,  杨莹 ,  汪琳

IPC: C03C17/22

Abstract: 本发明涉及一种微条气体室探测器复合基板的制造方法，它是采用射频等离子体辅助化学气相沉积法由D263玻璃上沉积类金刚石膜而制成。对光学玻璃D263预处理，放入高真空反应室中沉积，然后在氮气气氛炉中退火处理而制得复合基板。本发明通过施加偏压、增加磁场和退火处理来获得高质量类金刚石膜/D263玻璃复合基板，可克服薄膜与衬底应力大、结合力差等问题，使探测器电荷积累效应小和基板稳定性好。本发明制作工艺简单、制作周期快、成本低廉和实用性强。

公开(公告)号：CN1558711A

公开(公告)日：2004-12-29

申请号：CN200410016257.2

申请日：2004-02-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  夏义本 ,  张明龙 ,  汪琳 ,  杨莹

IPC: H05K1/03

Abstract: 本发明涉及一种微条气体室探测器基板的制造方法，它是采用热丝化学气相沉积法由硅基片上沉积CVD金刚石膜而制成。先对n型(100)单晶硅基片预处理，然后放入热丝化学气相沉积装置的真空反应室中充入反应气体乙醇和氢气，经氢等离子体清洗、碳化、偏压增强成核、生长四个过程制得基板毛胚，再经激光法抛光和清洁处理而制得。本发明通过控制金刚石晶粒的择优生长和采用激光抛光法两种途径获得高质量、低表面粗糙度的金刚石薄膜基板，可克服目前探测器电荷积累效应大和基板不稳定性，是一种理想的微条气体室探测器基板。本发明制作工艺简单、成本低廉、实用性强和无毒无害。

公开(公告)号：CN1547043A

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN200310109274.6

申请日：2003-12-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  夏义本 ,  沈沪江 ,  张明龙

IPC: G01T1/24

Abstract: 本发明涉及一种微条粒子探测器及其制备方法。本发明的微条粒子探测器，包括衬底及其表面涂层以及顶电极和背电极，衬底采用[100]硅片；在该衬底的上表面是[100]定向的金刚石薄膜涂层；在金刚石薄膜涂层的表面是顶电极，顶电极由铬金复合而成，并经光刻处理成条宽和间距均为25μm的微条电极，每条微条电极有镁铝丝引线引出；衬底的下表面是背电极，该背电极也是铬金复合电极。本发明的探测器的制备方法包括如下步骤：氢等离子原位刻蚀、硅表面渗碳、成核过程、金刚石表面生长过程和表面蒸镀铬金复合电极。本发明的粒子探测器生产成本低，有利于工业化生产。且本发明的探测器的各项性能完全可与探测器级天然金刚石相媲美。因而具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN1286351C

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200410016257.2

申请日：2004-02-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  夏义本 ,  张明龙 ,  汪琳 ,  杨莹

IPC: H05K1/03 ,  C23C16/27

Abstract: 本发明涉及一种微条气体室探测器基板的制造方法，它是采用热丝化学气相沉积法由硅基片上沉积CVD金刚石膜而制成。先对n型(100)单晶硅基片预处理，然后放入热丝化学气相沉积装置的真空反应室中充入反应气体乙醇和氢气，经氢等离子体清洗、碳化、偏压增强成核、生长四个过程制得基板毛胚，再经激光法抛光和清洁处理而制得。本发明通过控制金刚石晶粒的择优生长和采用激光抛光法两种途径获得高质量、低表面粗糙度的金刚石薄膜基板，可克服目前探测器电荷积累效应大和基板不稳定性，是一种理想的微条气体室探测器基板。本发明制作工艺简单、成本低廉、实用性强和无毒无害。

公开(公告)号：CN1265210C

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200310109274.6

申请日：2003-12-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  夏义本 ,  沈沪江 ,  张明龙

IPC: G01T1/24

Abstract: 本发明涉及一种以硅片上定向生长[100]晶面金刚石薄膜为基体材料制成的微条粒子探测器及其制备方法。本发明的微条粒子探测器，包括衬底及其表面涂层以及顶电极和背电极，衬底采用[100]硅片；在该衬底的上表面是[100]定向的金刚石薄膜涂层；在金刚石薄膜涂层的表面是顶电极，顶电极由铬金复合而成，并经光刻处理成条宽和间距均为25μm的微条电极，每条微条电极有镁铝丝引线引出；衬底的下表面是背电极，该背电极也是铬金复合电极。本发明的探测器的制备方法包括如下步骤：氢等离子原位刻蚀、硅表面渗碳、成核过程、金刚石表面生长过程和表面蒸镀铬金复合电极。本发明以硅片上定向生长[100]金刚石薄膜来制备粒子探测器，解决了任意取向多晶金刚石薄膜综合性能差的问题，同时解决了采用探测器级天然金刚石而造成的价格昂贵的问题，降低了生产成本，有利于工业化生产。因而具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN1557758A

公开(公告)日：2004-12-29

申请号：CN200410016260.4

申请日：2004-02-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 夏义本 ,  王林军 ,  张明龙 ,  杨莹 ,  汪琳

IPC: C03C17/22

Abstract: 本发明涉及一种微条气体室探测器复合基板的制造方法，它是采用射频等离子体辅助化学气相沉积法由D263玻璃上沉积类金刚石膜而制成。对光学玻璃D263预处理，放入高真空反应室中沉积，然后在氮气气氛炉中退火处理而制得复合基板。本发明通过施加偏压、增加磁场和退火处理来获得高质量类金刚石膜/D263玻璃复合基板，可克服薄膜与衬底应力大、结合力差等问题，使探测器电荷积累效应小和基板稳定性好。本发明制作工艺简单、制作周期快、成本低廉和实用性强。