公开(公告)号：CN101393871B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200810145511.7

申请日：2004-09-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  水原秀树 ,  中村岳史

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/498 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/16 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H05K3/244 ,  H05K3/305 ,  H05K3/3452 ,  H05K3/381 ,  H05K2201/0989 ,  H05K2203/049 ,  H05K2203/095 ,  Y10S438/906 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种层积半导体芯片的半导体装置及其制造方法。其在电极膜表面形成粘合膜，再在其上形成覆盖膜。粘合膜的构成材料使用镍、铬、钼、钨、铝及这些金属的合金等。覆盖膜的材料使用金、银、白金及这些金属的合金等。

公开(公告)号：CN100541749C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200510059261.1

申请日：2005-03-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  井上恭典 ,  水原秀树

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76814 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，敷金属夹层孔通过如下工序形成：照射激光在绝缘树脂膜上形成开口的第一工序；通过干式蚀刻在绝缘树脂膜上形成开口的第二工序；在等离子氛围气下进行反向溅射的第三工序。

公开(公告)号：CN101419949A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200810212821.6

申请日：2005-06-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  水原秀树 ,  井上恭典

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/538 ,  H01L27/01 ,  H01L21/48 ,  H01L21/84 ,  H05K1/18 ,  H05K1/05 ,  H05K3/46 ,  H05K3/38

CPC classification number: H01L24/82 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/2413 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种电路装置及其制造方法，通过在表面粗糙度Ra为0.3～10μm的金属性基体部件上设置埋入绝缘树脂膜中的多个半导体元件及无源元件等电路元件，在基体部件和绝缘树脂膜之间作用锚固效应，提高基体部件和绝缘树脂膜的附着性。

公开(公告)号：CN101312169A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810142810.5

申请日：2008-01-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 柳瀬康行 ,  冈山芳央 ,  柴田清司 ,  井上恭典 ,  水原秀树 ,  臼井良辅 ,  山本哲也 ,  吉井益良男

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本发明提供一种半导体模块、半导体模块的制造方法以及便携式设备，其目的在于提高半导体模块的电极部的连接可靠性。在半导体模块中成为半导体基板的安装面的表面(特别是在外周缘部)形成有半导体元件的电极。为了进一步加宽该电极的间隔，在电极上形成绝缘层，并且形成贯通该绝缘层与电极连接的多个突起部以及一体地设置有这些突起部的再布线图案。再布线图案具有设置突起部的突起区域和与突起区域连接并延伸的布线区域。在此，绝缘层在突起部间形成为具有凹状的上表面，布线区域中的再布线图案则沿着该上表面形成。由此，与突起区域中的再布线图案相比，布线区域中的再布线图案以更向半导体基板的侧凹陷的状态形成。

公开(公告)号：CN100421249C

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200410083359.6

申请日：2004-09-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  水原秀树 ,  中村岳史

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/498 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/16 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H05K3/244 ,  H05K3/305 ,  H05K3/3452 ,  H05K3/381 ,  H05K2201/0989 ,  H05K2203/049 ,  H05K2203/095 ,  Y10S438/906 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种层积半导体芯片的半导体装置及其制造方法。其在电极膜表面形成粘合膜，再在其上形成覆盖膜。粘合膜的构成材料使用镍、铬、钼、钨、铝及这些金属的合金等。覆盖膜的材料使用金、银、白金及这些金属的合金等。

公开(公告)号：CN100418202C

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200310119584.6

申请日：2003-12-04

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 臼井良辅 ,  水原秀树 ,  五十岚优助 ,  坂本则明

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/48 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/4835 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85009 ,  H01L2224/85013 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种电路装置的制造方法，使用等离子体除去导电图案21表面上黏附的污染物，提高导电图案21和密封树脂28的粘附。通过选择地蚀刻导电箔10形成分离槽11，形成导电图案21。在导电图案21的规定位置安装半导体元件22A等电路元件，并和导电图案21电连接。通过自导电箔10上方照射等离子体除去分离槽11表面黏附的污染物。

公开(公告)号：CN100413056C

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200510074719.0

申请日：2005-05-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 五十岚优助 ,  中村岳史 ,  井上恭典 ,  水原秀树 ,  臼井良辅

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/50 ,  H01L23/28 ,  H01L23/34 ,  H01L23/40 ,  H05K1/05 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L41/083

CPC classification number: H05K3/421 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5383 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/056 ,  H05K3/0035 ,  H05K3/284 ,  H05K3/423 ,  H05K3/4647 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/09563 ,  H05K2201/096 ,  H05K2203/0369 ,  H05K2203/0554 ,  H05K2203/1476 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种电路装置及其制造方法，用于贯通绝缘层，将层积的多个配线层相互连接。本发明的混合集成电路装置(10)及其制造方法中，介由第一绝缘层(17A)层积第一导电膜(28A)，通过构图第一导电膜(28A)，形成第一配线层(18A)。其次，介由第二绝缘层(17B)层积第二导电膜(28B)。而且，通过部分地除去所希望位置的第二绝缘层(17B)和第二导电膜(28A)，形成将配线层相互间连接的连接部(25)。

公开(公告)号：CN1725474A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510082134.3

申请日：2005-06-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  水原秀树 ,  井上恭典

IPC: H01L23/12 ,  H05K1/03 ,  H05K13/00 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/82 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/2413 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种电路装置及其制造方法，通过在表面粗糙度Ra为0.3～10μm的金属性基体部件上设置埋入绝缘树脂膜中的多个半导体元件及无源元件等电路元件，在基体部件和绝缘树脂膜之间作用锚固效应，提高基体部件和绝缘树脂膜的附着性。

公开(公告)号：CN1702863A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510074687.4

申请日：2005-05-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  水原秀树 ,  井上恭典 ,  五十岚优助 ,  中村岳史

IPC: H01L27/00 ,  H01L23/12 ,  H05K1/05 ,  H05K3/38

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种电路装置，可抑制绝缘层从衬底剥离的现象。该电路装置包括：衬底，其以含有第一金属层、第二金属层、第三金属层的金属为主体，其中，第一金属层具有第一热膨胀系数，第二金属层形成于第一金属层上且具有第二热膨胀系数，第三金属层形成于第二金属层上且具有第三热膨胀系数；绝缘层，其形成于衬底上；导电层，其形成于绝缘层上；电路元件，其和导电层电连接。

公开(公告)号：CN1505124A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310119585.0

申请日：2003-12-04

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 臼井良辅 ,  水原秀树 ,  五十岚优助 ,  坂本则明

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/48 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85913 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/284 ,  H05K3/381 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015

Abstract: 一种电路装置的制造方法，通过向在导电配线层上形成的外敷层树脂照射等离子体，提高外敷层树脂和密封树脂层的粘附。设置介由层间绝缘层22层积的第一导电膜23A及第二导电膜23B。通过选择地除去第一导电膜形成第一导电配线层12A，并由外敷层树脂18覆盖第一导电配线层。通过在外敷层树脂18上照射等离子体进行其表面的粗糙化。形成密封树脂17，以覆盖粗糙化的外敷层树脂18表面及电路元件13。