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公开(公告)号：CN211428149U
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202020272517.7
申请日：2020-03-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本实用新型涉及一种功率晶体管用的热沉结构，其包括具有凹槽的吸热构件及与吸热构件相连的散热构件，吸热构件通过其凹槽来容纳功率晶体管的塑封主体，并至少与塑封主体的两个表面进行面接触。该热沉结构提高了其对功率晶体管的散热效率，由此可以提高功率晶体管的运行稳定性。
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公开(公告)号：CN211428140U
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202020186451.X
申请日：2020-02-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种器件级封装模块以及一种设置有该器件级封装模块的电路板。在本实用新型中，器件级封装模块包括基板以及盖板，由盖板设置在基板上形成空腔框架，在空腔框架外设置密封层，由密封层形成了用于容纳邦定线的空腔，空腔为真空空腔。本实用新型由于设置有空腔，封装结构不会与邦定线接触，无论是在生产制造过程中，还是在使用过程中，封装结构都不会对邦定线产生冲击，其解决了现有技术中对于功率半导体模块的封装所存在的可能会造成邦定线冲断的问题。进一步地，空腔采用真空空腔结构，其能够避免空腔内存在水分以及有害气体情况的出现，能够提高对芯片等元件的保护。
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公开(公告)号：CN211350580U
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202020297245.6
申请日：2020-03-11
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/495 , H01L25/18
Abstract: 本申请涉及智能功率模块技术领域，公开了一种芯片及电子器件，芯片包括垂直互联的电子封装基板和导线框架，其中：电子封装基板与导线框架之间电连接；电子封装基板上安装有多个功率半导体芯片，每一个功率半导体芯片包括：栅极、第一发射极和第二发射极，且每一个功率半导体芯片与电子封装基板之间电连接；导线框架上安装有多个驱动控制芯片，每一个驱动控制芯片与导线框架之间电连接；每一个驱动控制芯片的驱动电极与对应的功率半导体芯片上的栅极之间通过金属引线连接。本申请公开的芯片，通过在芯片表面互联使用导线框架，替代了铝线，散热效果更好，可靠性及电流密度得到提升。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211182210U
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201921897573.3
申请日：2019-11-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/331
Abstract: 本申请涉及半导体器件技术领域，公开了一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件，其中，功率半导体器件的终端结构包括：衬底和位于衬底上的外延层；位于外延层内的耐压环、位于外延层内且位于耐压环外围的截止环、依次设置于耐压环和截止环上的介质层、金属层和钝化层，耐压环、截止环、介质层、金属层和钝化层形成耐压终端结构；其中，截止环的外侧设有划片槽，截止环与划片槽之间的部位设有凹陷，钝化层伸入凹陷内以包覆截止环和金属层。本申请公开的功率半导体结构的终端结构，保证了器件的可靠性，能够进一步降低器件的漏电水平，有效降低器件损耗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211150549U
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201922049952.3
申请日：2019-11-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31
Abstract: 本实用新型公开一种封装器件及改善其载体分层的引线框架，引线框架包括正面用于设置芯片的基岛和分别与所述基岛相连的散热部、引脚，其中所述基岛的外侧壁呈倾斜状，且从所述基岛的背面至正面向远离所述基岛中部的方向倾斜，所述基岛的背面与正面相对。如此设置，通过塑封体塑封基岛后，外侧壁嵌入塑封体里面，增加引线框架与塑封体的接触面积，改善封装后引线框架与塑封体出现的分层现象，减少水气和异物浸入的可能性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN211150545U
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202020132543.X
申请日：2020-01-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/427
Abstract: 本实用新型提出了一种用于封装结构的均热板，所述均热板包括形成密闭腔室的均热板壳体，所述密闭腔室内设置有低沸点液体，所述均热板壳体的内壁上设置有工质回流层，所述工质回流层呈毛细结构。本实用新型还提供了一种快速散热封装结构，包含上述的均热板，本实用新型的快速散热封装结构，采用均热板替代传统基板，及时将芯片产生的热量，传导到均热板表面上，然后再由均热板迅速传导到散热器上，实现点‑面传导，从而降低芯片的工作结温，提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN211088282U
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201922050171.6
申请日：2019-11-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/868 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L21/329
Abstract: 本实用新型提供了一种快恢复二极管，涉及半导体技术领域。其中，快恢复二极管包括：晶圆；设置于所述晶圆上的元胞区，所述元胞区包括第一离子部和第二离子部，所述第一离子部沿预设方向间隔分布，相邻两个所述第一离子部之间设置有所述第二离子部。本申请在元胞区设置有第一离子部及第二离子部，其中，第一离子部与第二离子部可以为浓度不同的掺杂离子类型，形成第一离子部与第二离子部相间分布的主结区域，由此可兼顾第一离子部离子浓度下快恢复二极管的优势、第二离子部浓度下快恢复二极管的优势，有效改善快恢复二极管的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210926012U
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201922036724.2
申请日：2019-11-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L25/16
Abstract: 本实用新型提供一种可调节电阻的功率模块，包括功率模块主体、可调电阻和栅极本体，栅极本体分别连接发射极引脚、集电极引脚和栅极引脚。其中，发射极引脚和集电极引脚分别与功率模块主体连接。栅极引脚和栅极本体通过可调电阻连接。本实用新型提供的可调节电阻的功率模块，能够极其方便地根据实际需要来调整栅极电阻，使得功率模块的栅极电阻与开启阈值电压和开通关断延迟时间很好地匹配。
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公开(公告)号：CN210640256U
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201921741802.2
申请日：2019-10-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/20
Abstract: 本实用新型公开了一种氮化镓功率器件；包括由下至上依次连接的衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层、p型氮化镓块层和栅金属块层；所述栅金属块层包括相连接的第一栅金属层和第二栅金属层；所述第一栅金属层与所述p型氮化镓块层欧姆接触，所述第二栅金属层与所述p型氮化镓块层肖特基接触。本实用新型的氮化镓功率器件采用欧姆栅和肖特基栅混合金属栅极结构，结合二者各自的优势，提高器件阈值电压，降低栅极漏电，同时增强器件输出电流能力，避免了HEMT器件出现误开通问题，提高了器件的可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210628290U
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201921399261.X
申请日：2019-08-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L25/18 , H01L21/60
Abstract: 本实用新型提供了一种功率模块及电器设备，该功率模块包括：衬底，衬底的一侧为电路层；设置在电路层上的至少一个第一芯片，且每个第一芯片与电路层电连接；镶嵌在衬底上的印刷电路板，且印刷电路板外露在电路层一侧；且印刷电路板与至少一个第一芯片电连接；设置在印刷电路板的至少一个第二芯片，且每个第二芯片与所述印刷电路板电连接。在上述技术方案中，通过采用将印刷电路板镶嵌在衬底中承载芯片，方便了芯片的设置，并且通过芯片可以通过印刷电路板、衬底直接散热，提高了散热效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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