公开(公告)号：CN210403715U

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201921744581.4

申请日：2019-10-17

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 杨发森 ,  史波 ,  肖婷 ,  敖利波

IPC: H01L23/495

Abstract: 本申请提供了一种引线框架，包括基体及第一引脚、第二引脚和第三引脚，第二引脚和基体的连接区与第一引脚和基体的连接区的距离小于第二引脚和基体的连接区与第三引脚与基体的连接区的距离，第三引脚与基体的连接区朝向第二引脚与基体的连接区的方向延伸，使得第三引脚与基体的连接区的面积大于第二引脚与基体的连接区的面积。本申请的引线框架增大了第三引脚与基体连接区的过电流能力。同时，该引线框架增大了塑封材料与引线框架的粘接面积，提高了密着性能，改善了封装分层现象。

公开(公告)号：CN210200738U

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201921418921.4

申请日：2019-08-28

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 史波 ,  曾丹 ,  肖婷 ,  敖利波 ,  刘勇强

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  G01K7/16 ,  G01K1/14

Abstract: 本实用新型涉及检测的技术领域，公开一种半导体功率器件，包括：衬底、形成于衬底内的结构层、形成于衬底一侧表面的金属连接层；其中：衬底包括沿衬底厚度方向排列的P型层和位于P型层背离金属连接层一侧的N型层以形成P-N结，衬底形成有开口位于P型层背离N型层一侧表面的电阻沟槽；金属连接层包括测温电阻引出端；结构层包括测温电阻，测温电阻位于电阻沟槽内，测温电阻朝向金属连接层的一端与测温电阻引出端连接、且远离金属连接层的一端伸入至N型层内，且测温电阻与P型层和N型层之间绝缘，能够解决现有技术中对功率器件工作时温度不准确的技术问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN209658160U

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201920647522.9

申请日：2019-05-07

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 敖利波 ,  曾丹 ,  刘勇强 ,  陈兆同 ,  史波

IPC: H01L23/367 ,  H01L25/07 ,  H01L21/50

Abstract: 本实用新型涉及电子技术领域，公开了一种功率模块，该功率模块包括基板、设置于基板一侧的功率芯片组、设置于基板另一侧的散热器以及设置于功率芯片组背离基板一侧的散热桥；功率芯片组包括至少两个功率芯片；散热桥包括散热桥导电层以及散热桥导热层，散热桥导电层与每个功率芯片第一面上的电极电连接，散热桥导热层包括正投影覆盖基板的中间区域以及与中间区域连接且伸出基板的边缘区域，中间区域位于散热桥导电层背离功率芯片组的一侧，边缘区域形成有朝向基板所在平面弯折的弯折结构，弯折结构与散热器连接。该功率模块中功率芯片上的热量既能从基板上导出至散热器，又能从散热桥导出至散热器，能够利用一个散热器实现双面散热。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN209526080U

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201920641003.1

申请日：2019-05-06

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 敖利波 ,  史波 ,  曾丹 ,  刘勇强 ,  陈兆同

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/065

Abstract: 本实用新型公开了一种智能功率模块。其中，该智能功率模块包括：第一树脂层和第二树脂层，分层设置在智能功率模块的芯片和引线框架外部，用于为上述芯片提供电性保护，上述芯片至少包括：功率芯片和驱动芯片；上述功率芯片，设置在上述第一树脂层内，上述第一树脂层的外表面印刷有导电膏体；上述驱动芯片，设置在上述第二树脂层内，与上述功率芯片连接，用于对上述功率芯片进行驱动控制。本实用新型解决了传统的智能功率模块采用引线键合的方式电性连接导致杂散电感偏高，电流承载能力不足等的技术问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN209434191U

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201822014521.9

申请日：2018-12-03

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 肖婷 ,  史波 ,  曾丹 ,  廖勇波 ,  敖利波

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

Abstract: 本实用新型公开了一种沟槽型功率器件，该器件包括有若干个元胞，每个所述元胞包括：元胞沟槽、形成于所述元胞沟槽侧壁上的多晶硅层、以及填充在所述元胞沟槽内的填充金属层；其中，所述填充金属层、所述多晶硅层、以及所述元胞沟槽的内壁之间分别绝缘设置。通过在元胞沟槽的侧壁上形成多晶硅(栅)，形成多晶硅-填充金属层-多晶硅的复合结构，有利于改善器件使用过程中的Cgc反向电容，改善芯片开关特性，同时能降低开关损耗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208422903U

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201821259335.5

申请日：2018-08-06

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 梁赛嫦 ,  马颖江 ,  史波 ,  江伟

IPC: H01L23/495 ,  H01L29/739

Abstract: 本实用新型涉及晶体管封装技术领域，公开了一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构，该沟槽型绝缘栅双极型晶体管封装结构包括：沟槽型绝缘栅双极型晶体管，沟槽型绝缘栅双极型晶体管包括与发射极电连接的发射极金属层以及位于发射极金属层一侧的沟槽型栅极；引线框架，引线框架包括用于固定沟槽型绝缘栅双极型晶体管的芯片放置区以及发射极引出端；连接发射极金属层与发射极引脚的第一焊线，第一焊线一端与发射极金属层背离沟槽型栅极的表面连接形成条形的第一焊点，另一端与发射极引出端连接形成第二焊点，且第一焊点的延伸方向垂直于沟槽型栅极沟槽的延伸方向。该封装结构减小了单个沟槽的应力，提高了焊线良率，提高了芯片的可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207517698U

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201721425169.7

申请日：2017-10-31

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 史波

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/423

Abstract: 本实用新型公开了一种绝缘栅双极型晶体管器件和电力电子设备，以改善绝缘栅双极型晶体管器件的综合性能，提高其的适用性。绝缘栅双极型晶体管器件包括栅极结构，所述栅极结构包括多个平面栅单元和多个沟槽栅单元，其中：所述多个平面栅单元位于同一层面，所述多个沟槽栅单元位于所述多个平面栅单元的一侧，且与所述多个平面栅单元所在的层面相交，每个所述平面栅单元与至少两个相邻的所述沟槽栅单元连接。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN216054693U

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202121710191.2

申请日：2021-07-26

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 赵健康 ,  史波 ,  廖勇波 ,  江伟

IPC: H01L23/498

Abstract: 涉及功率半导体器件封装技术领域，本实用新型提供了一种功率模块和功率器件，所述功率模块包括绝缘基板、焊盘以及芯片；所述绝缘基板包括相互背离的第一表面以及第二表面，所述第二表面用于对接于散热器，所述第一表面开设有用于装配所述焊盘的连接槽；所述焊盘包括第一端面、侧面以及第二端面，所述第二端面对接于所述连接槽的底壁，所述侧面对接于所述连接槽的侧壁，所述第一端面供所述芯片焊接连接；所述功率器件包括所述功率模块；相比于传统的用于绝缘的矽胶片，本实用新型提供的所述绝缘基板具有优秀的耐磨性，其能够解决因为矽胶片磨损而导致元器件和散热器短路的问题。

公开(公告)号：CN215815865U

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202121614626.3

申请日：2021-07-15

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 江伟 ,  史波 ,  曾丹 ,  肖婷 ,  廖勇波

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/00

Abstract: 本申请涉及电力电子技术领域，具体而言，涉及一种半导体模块及封装结构，包括相互连接的第一组件和第二组件，其中：第一组件包括第一基板，第一基板上设置有功率芯片；第二组件包括设置于第一基板上的第二基板，第二基板上设置有控制芯片和引脚。本实用新型提供了一种将控制芯片设置于第二基板上，通过第二基板同时作为控制芯片和引脚的载体，减小了封装过程中高度方向上的公差累积，同时还可以减小制作难度和制作成本。

公开(公告)号：CN215578555U

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202121180861.4

申请日：2021-05-28

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 黄玲 ,  史波 ,  江伟 ,  杨景城 ,  秦明柳谦

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/495 ,  H01L23/488 ,  H02M1/00

Abstract: 本申请属于电路技术领域，涉及一种智能功率器件和变频设备。其中，智能功率器件包括基板以及安装在基板上的功率芯片；基板上设置有第一引脚和第二引脚，第一引脚与外部电路电性连接，第二引脚与负载侧的源线分离；功率芯片具有源极，功率芯片的源极通过第一引线连接至基板上的第一引脚；功率芯片的源极通过第二引线连接至基板上的第二引脚。利用本申请实施例提供的智能功率器件，通过在基板上设置第一引脚和第二引脚，第一引脚与外部电路电性连接，第二引脚与负载侧的源线分离，这样可以减少功率芯片的源极连接电感，不易受到驱动电压的影响，使功率芯片实现高开关速度。将智能功率器件应用于变频设备中，提高中型至大型功率开关电源的效率。