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公开(公告)号：CN113049542A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110491003.X
申请日：2021-05-06
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N21/45
Abstract: 本发明属光学传感技术领域，提出一种基于反射干涉光谱技术的硅基光学传感器及制备方法，沿着复合光入射方向依次包括有序硅纳米线阵列层、无序多孔硅层、平面硅基底；每根纳米线内部设置有随机分布的纳米孔；无序多孔硅层处于有序硅纳米线阵列层下方，该层设有呈树枝状随机分布的纳米孔。用于反射干涉传感测试时，小分子可以渗透到无序多孔硅层，而目标小分子和干扰大分子可同时渗入有序硅纳米线阵列层；与双层无序多孔硅结构相比，本方案不仅明显增强了待测液的流通性和传感器灵敏度，还降低了响应时间；与单层有序硅纳米线阵列结构或单层无序多孔硅结构相比，具有同时检测目标小分子和干扰大分子的优势。
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公开(公告)号：CN109659387A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811581248.6
申请日：2018-12-24
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光电探测和传感技术领域，为解决现有技术中基于金属吸收的光探测器的制备成本偏高、光吸收不高和吸收波段调制困难的问题提出一种基于杂化型等离子共振增强的红外探测器，利用金属微纳米孔阵列层/半导体薄膜/金属薄膜复合结构构筑基于金属吸收的热电子红外探测器；通过激发顶层金属微纳米孔阵列的局域等离子共振、底层金属薄膜的表面等离激元，以及将两者耦合起来形成的杂化型等离子共振来极大增加金属对入射光的吸收，并将上下两层金属吸收光产生的热载流子均注入到中间半导体层，从而得到可观的光响应度；通过调控顶层微纳米孔的周期和直径、中间半导体层的厚度和折射率可以实现从近红外到中红外的可调光谱吸收。
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公开(公告)号：CN104075973B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201410235322.4
申请日：2014-05-30
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N15/08
Abstract: 本发明公开了一种无损测量纳米线阵列比表面积和密集度的装置，所述纳米线阵列垂直设于导电基底层顶面，该装置包括电解池，设于所述导电基底层底面的背电极，设于所述纳米线阵列对应侧的对电极，以及覆盖于所述导电基底层顶面未生长纳米线区域的绝缘层；所述纳米线阵列和所述对电极浸入所述电解池中的电解液内，同时所述导电基底层和所述背电极与所述电解液绝缘设置，最后在所述背电极和所述对电极之间加上偏压U形成电解池回路结构，其优点在于，本发明测量纳米线阵列比表面积和密集度的方法为无损测量，同时适用于大面积一维纳米结构阵列的比表面积和密集度测量，且不会破坏纳米线阵列的完整性。
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公开(公告)号：CN104075973A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410235322.4
申请日：2014-05-30
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N15/08
Abstract: 本发明公开了一种无损测量纳米线阵列比表面积和密集度的装置，所述纳米线阵列垂直设于导电基底层顶面，该装置包括电解池，设于所述导电基底层底面的背电极，设于所述纳米线阵列对应侧的对电极，以及覆盖于所述导电基底层顶面未生长纳米线区域的绝缘层；所述纳米线阵列和所述对电极浸入所述电解池中的电解液内，同时所述导电基底层和所述背电极与所述电解液绝缘设置，最后在所述背电极和所述对电极之间加上偏压U形成电解池回路结构，其优点在于，本发明测量纳米线阵列比表面积和密集度的方法为无损测量，同时适用于大面积一维纳米结构阵列的比表面积和密集度测量，且不会破坏纳米线阵列的完整性。
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公开(公告)号：CN119803691B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510286678.9
申请日：2025-03-12
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供一种自驱动异质结波长传感方法及波长传感器，其包括：搭建能够实现自驱动异质结波长传感的异质结波长传感器，之后使待测光依次经过第一异质结光电探测器、基底及第二异质结光电探测器，第一异质结光电探测器吸收部分待测光，且其透射率随着波长逐渐增加，第二异质结光电探测器吸收透过第一异质结光电探测器的光；之后检测第一异质结光电探测器中光电流响应强度Iph1以及第二异质结光电探测器中光电流响应强度Iph2；最后通过Iph1及Iph2的比值拟合出待测波长范围内具有单调性的光电流比‑波长曲线，以完成光波传感。本发明兼具工艺简单、成本低廉、无需外加偏压、分辨率高及波长传感灵敏稳定等优势，为波长传感器的设计提供新的思路及方向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115314107B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202111074527.5
申请日：2021-09-14
Applicant: 苏州大学
IPC: H04B10/116 , G02B19/00
Abstract: 本申请公开一种用于可见光通信的带通聚光器及可见光通信系统，包括：壳体，所述壳体内具有腔体，所述腔体填充有介质，所述壳体的一侧设有向腔体内凹陷的凹球面的光入射口，所述壳体的与光入射口相对侧设置有光出射口，所述光出射口的远离腔体侧配置具有滤波功能的多层介质膜。该带通聚光器对于传统CPC聚光器，可实现更大的视场角，即在更大入射角范围内实现1倍以上的光增益，从而显著提高可见光通信系统的通信效果。可在不增加光学天线空间体积的前提下显著降低整体质量，同时实现滤波功能。采用本方案所述聚光器的可见光通信系统，能明显增加系统的通信距离、带宽和单个光电探测器的接收视场角，可降低系统的整体复杂性和成本。
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公开(公告)号：CN116465948B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310302552.7
申请日：2023-03-27
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N27/416
Abstract: 发明涉及一种微流控光电化学传感器及微流控光电化学传感装置，包括：工作电极；印刷电极，包括衬底、参比电极和对电极，参比电极和对电极设置在衬底之上，参比电极与对电极之间设有溶液通过孔，溶液通过孔为通孔；微流控层，设有进液口、排液口以及连通进液口和排液口的流体微通道；流体微通道跨设在参比电极和对电极上且与溶液通过孔连通；微流控注液机构，包括自动注射部和溶液收集部，自动注射部与进液口连通，溶液收集部与排液口连通；工作电极、印刷电极、微流控层自下至上依次紧密贴合在一起；参比电极、对电极以及工作电极，三者形成三电极体系且分别与电化学工作站电连接。发明提高灵敏度。
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公开(公告)号：CN114460151B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202210208747.0
申请日：2022-03-04
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/30
Abstract: 本发明属光电化学领域，公开了一种无偏压酶促型葡萄糖光电化学传感电极及其制备方法，沿光的入射方向依次包括葡萄糖氧化酶层、金属纳米颗粒层、n型半导体薄膜层、金属薄膜层、平面绝缘基底；金属薄膜层与n型半导体薄膜层形成欧姆接触；金属纳米颗粒层与n型半导体薄膜层形成肖特基接触；所述的金属薄膜层、n型半导体薄膜层和金属纳米颗粒层之间形成光学谐振腔。光源照射传感电极时，金属纳米颗粒层和n型半导体薄膜层均能产生有效光吸收，分别产生热电子空穴对和光生电子空穴对；在肖特基结的作用下，热空穴和光生空穴经过葡萄糖酶的催化作用转移至葡萄糖分子；通过监测光电流的变化，实现葡萄糖浓度的检测。
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公开(公告)号：CN118157760A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410389409.0
申请日：2024-04-02
Applicant: 苏州大学
IPC: H04B10/116 , H04B10/291 , H04B10/50
Abstract: 本发明公开了一种用于可见光中继通信的LED驱动电路，涉及光电探测领域，用于可见光中继通信的LED驱动电路包括级联放大单元，其包括互相串联的第一放大模块和第二放大模块；场效应晶体管驱动单元，其包括互相并联的第一路射极跟随器和第二路射极跟随器；开关单元，其包括第十七电容、MOS管和LED模块，所述第十七电容的两端分别与所述场效应晶体管驱动单元的输出端以及所述MOS管的栅极连接，所述LED模块的两端分别与所述MOS管的漏极以及第六直流电源连接；所述场效应晶体管驱动单元用于驱动开关单元。本发明的LED驱动电路不仅可以抑制低频信号，改善信号质量，还可以通过调节电路中关键元器件的参数，调整系统的频率响应，以适应不同需求。
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公开(公告)号：CN117460269A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311792932.X
申请日：2023-12-25
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种双极性光电探测器及光加密通信系统、方法，涉及光电探测领域，双极性光电探测器包括第一导电层，其厚度为15~25nm；光敏层，其厚度为150~250nm，所述光敏层包覆于所述第一导电层的外部；第二导电层，其设置于所述光敏层的表面；以及，衬底，所述第一导电层、光敏层以及第二导电层依次堆叠在所述衬底上。该光电探测器可以分别在短波带和长波带激发极性相反的响应电流，并且能实现较宽范围的响应、极快的响应速度，可以根据实际需求选择特殊波段探测，探测能力大幅度提升。另外，光加密通信方法基于所述双极性光电探测器，该方法无需外加偏压工作，器件损耗低，且器件独特的双极性使得整个加密方式清晰简单，易于操作，减少了消息泄露的潜在问题。
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