一种双极性光电探测器及光加密通信系统、方法

    公开(公告)号:CN117460269B

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202311792932.X

    申请日:2023-12-25

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种双极性光电探测器及光加密通信系统、方法,涉及光电探测领域,双极性光电探测器包括第一导电层,其厚度为15~25nm;光敏层,其厚度为150~250nm,所述光敏层包覆于所述第一导电层的外部;第二导电层,其设置于所述光敏层的表面;以及,衬底,所述第一导电层、光敏层以及第二导电层依次堆叠在所述衬底上。该光电探测器可以分别在短波带和长波带激发极性相反的响应电流,并且能实现较宽范围的响应、极快的响应速度,可以根据实际需求选择特殊波段探测,探测能力大幅度提升。另外,光加密通信方法基于所述双极性光电探测器,该方法无需外加偏压工作,器件损耗低,且器件独特的双极性使得整个加密方式清晰简单,易于操作,减少了消息泄露的潜在问题。

    一种基于混维异质结光电探测器的性能提升方法及探测器

    公开(公告)号:CN117560976A

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202410034889.9

    申请日:2024-01-10

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于混维异质结光电探测器的性能提升方法及探测器,涉及光电探测器领域,基于混维异质结光电探测器的性能提升方法包括建立评价光电探测器的性能指标,定义为响应度‑带宽积;调控混维异质结光电探测器的陷阱水平使所述光电探测器的所述性能指标达到第一响应度‑带宽积;调控入射光功率密度使所述光电探测器的所述性能指标达到第二响应度‑带宽积;对底部栅极进行调控使所述光电探测器的所述性能指标达到第三响应度‑带宽积;将所述第一响应度‑带宽积、第二响应度‑带宽积、第三响应度‑带宽积中值最大的一个作为所述光电探测器最佳的所述性能指标。本发明通过陷阱效应,光门控效应以及栅极调控三种机制协同作用,突破了光电探测器的响应度与响应时间的权衡,提升了光电探测器的综合性能。

    一种几何-晶体各向异性耦合的光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN117727826B

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202410171689.8

    申请日:2024-02-07

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种几何‑晶体各向异性耦合的光电探测器及其制备方法,涉及半导体光电探测领域,几何‑晶体各向异性耦合的光电探测器包括绝缘层;反射层,其设置于所述绝缘层的底部;以及,耦合组件,其设置于所述绝缘层的顶部,所述耦合组件至少设置有两个且所述耦合组件之间具有间隙;所述耦合组件包括由下往上依次堆叠的金属层、二维材料层以及透明电极层,所述二维材料层具有晶体各向异性;所述二维材料层将所述金属层包覆,所述透明电极层将所述二维材料层包覆。本发明将晶体各向异性与器件几何结构各向异性耦合,将二维材料各向异性的晶体结构及其物理性质与各向异性的几何结构相结合,可显著提高偏振光的性能指标与探测能力。

    一种双极性光电探测器及光加密通信系统、方法

    公开(公告)号:CN117460269A

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202311792932.X

    申请日:2023-12-25

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种双极性光电探测器及光加密通信系统、方法,涉及光电探测领域,双极性光电探测器包括第一导电层,其厚度为15~25nm;光敏层,其厚度为150~250nm,所述光敏层包覆于所述第一导电层的外部;第二导电层,其设置于所述光敏层的表面;以及,衬底,所述第一导电层、光敏层以及第二导电层依次堆叠在所述衬底上。该光电探测器可以分别在短波带和长波带激发极性相反的响应电流,并且能实现较宽范围的响应、极快的响应速度,可以根据实际需求选择特殊波段探测,探测能力大幅度提升。另外,光加密通信方法基于所述双极性光电探测器,该方法无需外加偏压工作,器件损耗低,且器件独特的双极性使得整个加密方式清晰简单,易于操作,减少了消息泄露的潜在问题。

    一种基于混维异质结光电探测器的性能提升方法及探测器

    公开(公告)号:CN117560976B

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202410034889.9

    申请日:2024-01-10

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于混维异质结光电探测器的性能提升方法及探测器,涉及光电探测器领域,基于混维异质结光电探测器的性能提升方法包括建立评价光电探测器的性能指标,定义为响应度‑带宽积;调控混维异质结光电探测器的陷阱水平使所述光电探测器的所述性能指标达到第一响应度‑带宽积;调控入射光功率密度使所述光电探测器的所述性能指标达到第二响应度‑带宽积;对底部栅极进行调控使所述光电探测器的所述性能指标达到第三响应度‑带宽积;将所述第一响应度‑带宽积、第二响应度‑带宽积、第三响应度‑带宽积中值最大的一个作为所述光电探测器最佳的所述性能指标。本发明通过陷阱效应,光门控效应以及栅极调控三种机制协同作用,突破了光电探测器的响应度与响应时间的权衡,提升了光电探测器的综合性能。

    一种几何-晶体各向异性耦合的光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN117727826A

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202410171689.8

    申请日:2024-02-07

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种几何‑晶体各向异性耦合的光电探测器及其制备方法,涉及半导体光电探测领域,几何‑晶体各向异性耦合的光电探测器包括绝缘层;反射层,其设置于所述绝缘层的底部;以及,耦合组件,其设置于所述绝缘层的顶部,所述耦合组件至少设置有两个且所述耦合组件之间具有间隙;所述耦合组件包括由下往上依次堆叠的金属层、二维材料层以及透明电极层,所述二维材料层具有晶体各向异性;所述二维材料层将所述金属层包覆,所述透明电极层将所述二维材料层包覆。本发明将晶体各向异性与器件几何结构各向异性耦合,将二维材料各向异性的晶体结构及其物理性质与各向异性的几何结构相结合,可显著提高偏振光的性能指标与探测能力。

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