公开(公告)号：CN104075973B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201410235322.4

申请日：2014-05-30

Applicant: 苏州大学

Inventor： 李孝峰 ,  吴绍龙 ,  程国安 ,  詹耀辉 ,  杨阵海 ,  曹国洋

IPC: G01N15/08

Abstract: 本发明公开了一种无损测量纳米线阵列比表面积和密集度的装置，所述纳米线阵列垂直设于导电基底层顶面，该装置包括电解池，设于所述导电基底层底面的背电极，设于所述纳米线阵列对应侧的对电极，以及覆盖于所述导电基底层顶面未生长纳米线区域的绝缘层；所述纳米线阵列和所述对电极浸入所述电解池中的电解液内，同时所述导电基底层和所述背电极与所述电解液绝缘设置，最后在所述背电极和所述对电极之间加上偏压U形成电解池回路结构，其优点在于，本发明测量纳米线阵列比表面积和密集度的方法为无损测量，同时适用于大面积一维纳米结构阵列的比表面积和密集度测量，且不会破坏纳米线阵列的完整性。

公开(公告)号：CN104075973A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410235322.4

申请日：2014-05-30

Applicant: 苏州大学

Inventor： 李孝峰 ,  吴绍龙 ,  程国安 ,  詹耀辉 ,  杨阵海 ,  曹国洋

IPC: G01N15/08

Abstract: 本发明公开了一种无损测量纳米线阵列比表面积和密集度的装置，所述纳米线阵列垂直设于导电基底层顶面，该装置包括电解池，设于所述导电基底层底面的背电极，设于所述纳米线阵列对应侧的对电极，以及覆盖于所述导电基底层顶面未生长纳米线区域的绝缘层；所述纳米线阵列和所述对电极浸入所述电解池中的电解液内，同时所述导电基底层和所述背电极与所述电解液绝缘设置，最后在所述背电极和所述对电极之间加上偏压U形成电解池回路结构，其优点在于，本发明测量纳米线阵列比表面积和密集度的方法为无损测量，同时适用于大面积一维纳米结构阵列的比表面积和密集度测量，且不会破坏纳米线阵列的完整性。