公开(公告)号：CN1505138A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310119538.6

申请日：2003-11-28

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  株式会社东芝 ,  罗姆股份有限公司

Inventor： 根本义彦 ,  谷田一真 ,  高桥健司

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L27/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明得到易制造的半导体器件。具备：互相相向配置的第1和第2半导体衬底1、2；在第1半导体衬底1的相向面上形成、由第1半导体电路3和第1电极7构成的第1半导体元件5；在第2半导体衬底2的相向面上形成、由第2半导体电路4和第2电极8构成的第2半导体元件6；夹在第1与第2电极7、8之间的布线层9；及贯通第1半导体衬底1，经布线层9与第1和第2电极7、8连接的贯通电极12，第2半导体衬底2在贯通电极12的侧面方向隔开配置，从第1半导体衬底1突出的贯通电极12的侧面和第2半导体元件6的侧面被绝缘材料13覆盖，贯通电极12的一端从第1半导体衬底1背面露出，另一端位于与第2半导体衬底2背面相同的高度，并从绝缘材料13露出。

公开(公告)号：CN1950939B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200580014582.8

申请日：2005-07-21

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 谷田一真 ,  宫田修

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/52 ,  H01L23/562 ,  H01L24/01 ,  H01L24/17 ,  H01L24/28 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L51/5246 ,  H01L2224/01 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/153 ,  H01L2924/183 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 提供一种半导体装置(1、21)，包括：固体装置(2、22)；半导体芯片(3)，其具有形成了功能元件(4)的功能面(3a)，使该功能面相面对于上述固体装置的表面，在与上述固体装置的表面之间保持规定的间隔而接合；绝缘膜(6)，其设置于上述固体装置的与上述半导体芯片的相对面(2a、22a)，并具有开口(6a)，该开口(6a)在垂直俯视该相对面的俯视中，形成为比上述半导体芯片大的尺寸；以及密封层(7)，其对上述固体装置和上述半导体芯片之间进行密封。

公开(公告)号：CN100411127C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200410049534.X

申请日：2004-06-16

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  罗姆股份有限公司

Inventor： 梅本光雄 ,  谷田一真

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01078

Abstract: 一种半导体器件。在将有电极的多个半导体芯片之间介由低熔点金属构件连接的安装结构中，实现电极间的良好电气及机械连接。在第一半导体芯片(1)的表面上形成凸点电极(3)。在第二半导体芯片(10)中，形成通孔(11)，形成在该通孔(11)的中央有空隙(13)的贯通电极(12)。在凸点电极(3)和贯通电极(12)的接合面中，夹置低熔点金属构件(4)，同时使低熔点金属构件(4)的一部分在熔融时流入到贯通电极(12)的空隙(13)中。由此，可以防止因在相邻的凸点电极(3、3)之间供给过剩的低熔点金属构件(4)而导致凸点电极(3、3)间的短路。

公开(公告)号：CN101002313A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200580026766.6

申请日：2005-09-01

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 谷田一真 ,  宫田修

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05099

Abstract: 本发明提供一种半导体装置(1、21、31、31A)，具备：固体装置(2、33)，该固体装置具有连接面(2a、33a)，在该连接面上突出形成有由金属制成的连接电极(13、46)；半导体芯片(3、34)，该半导体芯片具有功能面(3a、34a)，在该功能面上突出形成有由金属制成的突起电极(13、46)，使该功能面与所述固体装置的所述连接面相面对，并在所述功能面与所述连接面之间保持规定间隔(D3、D6、D9)而接合；连接部件(15、22、47)，该连接部件含有具有比所述连接电极及所述突起电极的固相线温度更低的低熔点的金属，并连接所述固体装置的所述连接电极和所述半导体芯片的所述突起电极。在所述功能面与所述连接面的对置方向上，所述连接电极的高度(D1、D4、D7)与所述突起电极的高度(D2、D5、D8)之和为所述规定间隔的二分之一以上。

公开(公告)号：CN101015053B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200580029878.7

申请日：2005-10-17

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 谷田一真 ,  宫田修

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/56

Abstract: 一种半导体装置(1、21)的制造方法，包括：准备由多个布线基板(2)制成，在至少一表面(2a)具有跨相互邻接的上述布线基板的边界而形成的导电构件(13)的原基板(11)的工序；使具有形成有功能元件(4)的功能面(3a)的半导体芯片(3)对着各布线基板，使其功能面与上述一表面隔有规定间隔而相对地连接的芯片连接工序；在此芯片连接工序后，在上述原基板与上述半导体芯片的间隙，以及上述导电构件上形成密封树脂层(7)的密封树脂层形成工序；在该密封树脂层形成工序之后，使上述原基板和切割工具(B)相对移动，以使该切割工具从与上述原基板的上述一表面呈相反侧的另一表面(2b)穿到上述一表面，由此沿着互相邻接的上述布线基板的边界切割上述原基板的切割工序。

公开(公告)号：CN100470770C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200580025765.X

申请日：2005-10-06

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 谷田一真 ,  樋口晋吾 ,  门口卓矢

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/13 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体装置(1，1A，21，31，41，51)，包括：具有形成了第一功能元件(3a)的第一功能面(3F)的第一半导体芯片(3)；形成于上述第一功能面上的保护树脂层(12)；形成于上述第一功能面上的周缘部，具有：从位于上述保护树脂层的与上述第一功能层相反侧的底面(12B)露出的底露出面(10B，19BB)、和从上述保护树脂层的侧面(12S)露出的侧露出面(10S，19BS)，用于与外部电连接的外部连接端子(10，19，52)。

公开(公告)号：CN1993825A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200580025765.X

申请日：2005-10-06

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 谷田一真 ,  樋口晋吾 ,  门口卓矢

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/13 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体装置(1，1A，21，31，41，51)，包括：具有形成了第一功能元件(3a)的第一功能面(3F)的第一半导体芯片(3)；形成于上述第一功能面上的保护树脂层(12)；形成于上述第一功能面上的周缘部，具有：从位于上述保护树脂层的与上述第一功能层相反侧的底面(12B)露出的底露出面(10B，19BB)、和从上述保护树脂层的侧面(12S)露出的侧露出面(10S，19BS)，用于与外部电连接的外部连接端子(10，19，52)。

公开(公告)号：CN1551312A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410044584.9

申请日：2004-05-13

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  三菱电机株式会社 ,  株式会社日立制作所

Inventor： 谷田一真 ,  根本义彦 ,  田中直敬

IPC: H01L21/44 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种半导体芯片的制造方法，包括：从具有表面及背面且在表面上形成有功能元件的半导体基板的表面，形成沿该半导体基板的厚度方向延伸的表面侧凹处的工序；向该表面侧凹处内供给金属材料，形成与功能元件电连接的表面侧电极的表面侧电极形成工序；从背面去除半导体基板，将半导体基板薄形化至比表面侧凹处的深度大的所定厚度的薄型化工序；在该薄型化工序之后，通过在半导体基板的背面形成与表面侧凹处连通的背面侧凹处，从而形成包括表面侧凹处和背面侧凹处在内的连续的贯通孔的背面侧凹处形成工序；向背面侧凹处供给金属材料，形成与表面侧电极电连接的、与表面侧电极一起构成贯通半导体基板的贯通电极的背面侧电极形成工序。

公开(公告)号：CN1906757A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200580001557.6

申请日：2005-06-09

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 谷田一真 ,  森藤忠洋 ,  宫田修

IPC: H01L23/12 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/20 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体装置，包括：第1半导体芯片，其具有形成有第1功能元件的第1功能面及与该第1功能面相反侧的面即第1背面；第2半导体芯片，其具有第2功能面，该第2功能面形成第2功能元件，并具有与所述第1半导体芯片的第1功能面相对的相对区域和该相对区域以外的区域即非相对区域；连接构件，其在所述第1功能面与所述第2功能面的相对部分，将所述第1功能元件和所述第2功能元件电连接；绝缘膜，其按照覆盖所述第2半导体芯片的非相对区域以及所述第1半导体芯片的第1背面的方式连续形成；重新布线层，其形成在该绝缘膜的表面，与所述第2功能元件电连接；覆盖所述重新布线层的保护树脂；和由所述重新布线层贯通所述保护树脂而被竖立设置的外部连接端子。

公开(公告)号：CN1291469C

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200410034639.8

申请日：2004-04-19

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  罗姆股份有限公司

Inventor： 梅本光雄 ,  谷田一真

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/58 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，可实现高可靠性的半导体芯片的电极和衬底的电连接。在衬底(2)上未形成第一电极(3)的区域涂敷密封树脂(4)。准备端部形成有第二电极(7)的半导体芯片(6)，使该半导体芯片(6)的表面与衬底(2)的表面相对配置，自其背面使第一可动板(8a)向下动，按压半导体芯片(6)的端部，从而将第二电极(7)与第一电极(3)压接。然后，自其背面使第二可动板(8b)向下动，按压半导体芯片(6)的中央部，将密封树脂(4)填充在衬底(2)和半导体芯片(6)之间的空间中。