公开(公告)号：CN103681673A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310425396.X

申请日：2013-09-12

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 砂村润 ,  金子贵昭 ,  古武直也 ,  齐藤忍 ,  林喜宏

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件包括：p型金属氧化物半导体层；与p型金属氧化物半导体层连接的源极电极；与p型金属氧化物半导体层连接的漏极电极；以及被布置为与p型金属氧化物半导体层的一部分相对的栅极电极。在俯视图中栅极电极和漏极电极相互分离。

公开(公告)号：CN103415920A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201280012204.6

申请日：2012-03-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 金子贵昭 ,  井上尚也 ,  林喜宏

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/0285 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/552 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0296 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件，所述半导体器件包括：半导体器件形成于其上的半导体衬底；第一焊盘及第二焊盘；形成于半导体衬底之上的第一绝缘膜；嵌入到设置于第一绝缘膜内的沟槽中的多个布线线路；设置为覆盖第一绝缘膜和多个布线线路的第二绝缘膜；形成于第二绝缘膜之上的半导体层；与半导体层连接的源电极；以及与半导体层连接的漏电极。多个布线线路包括设置于与半导体层相对的位置的栅电极。半导体层、源电极、漏电极和栅电极构成ESD保护器件以释放由ESD浪涌导致的从第一焊盘到第二焊盘的电流。

公开(公告)号：CN103247620A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310040124.8

申请日：2013-02-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 砂村润 ,  井上尚也 ,  金子贵昭

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L23/53228 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/101 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1082 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/1116 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/2436 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7889 ,  H01L29/7926 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件和用于制造半导体器件的方法。提供一种容易地可制造的半导体器件，其包括具有彼此不同的特性的两个晶体管。该半导体器件包括：衬底；多层布线层，该多层布线层被设置在衬底上；第一晶体管，该第一晶体管被设置在多层布线层中；以及第二晶体管，该第二晶体管被设置在多层布线层的与包括被设置在其中的第一晶体管的层不同的层中，并且具有与第一晶体管的特性不同的特性。这能够提供容易制造的半导体器件，其包括具有彼此不同特性的两个晶体管。

公开(公告)号：CN103178048A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210544128.5

申请日：2012-12-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 井上尚也 ,  金子贵昭 ,  林喜宏

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76814 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/522 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/5329 ,  H01L28/60 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及制造该半导体器件的方法。公开了一种半导体器件，其被提供有在多层互连层中的有源元件并且减小了芯片面积。在第一互连层上方提供第二互连层。在第一互连层中提供第一层间绝缘层。半导体层提供在第二互连层中并且与第一层间绝缘层接触。在半导体层上方提供栅极绝缘膜。在栅极绝缘膜上方提供栅电极。至少两个第一通路提供在第一互连层中并且通过它们的上端与半导体层接触。

公开(公告)号：CN103165605A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210545318.9

申请日：2012-12-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 金子贵昭 ,  井上尚也 ,  林喜宏

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1259 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/28 ,  H01L21/44 ,  H01L21/465 ,  H01L21/47635 ,  H01L23/522 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件和制造该半导体器件的方法，该半导体器件在互连层中具有晶体管。形成层间绝缘膜。然后在层间绝缘膜中掩埋第一栅电极和第二栅电极。然后，在层间绝缘膜上方、在第一栅电极上方并且在第二栅电极上方形成防扩散膜。然后，在存在于第一栅电极上方的防扩散膜上方形成第一半导体层。然后，在第一半导体层的上表面上方和侧面上并且在防扩散膜上方形成绝缘覆盖膜。然后，在绝缘覆盖膜上方形成半导体膜。然后，选择性地去除半导体膜以留下位于第二栅电极上方的部分，从而形成第二半导体层。