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公开(公告)号：CN113640644A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110845639.X
申请日：2021-07-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本申请涉及一种功率芯片缺陷检测方法、系统、设备及存储介质，涉及芯片测试领域。该功率芯片缺陷检测方法包括：对功率芯片进行电流测试，获得测试结果，其中，电流测试中施加到功率芯片上的测试电流大于功率芯片的额定电流，根据测试结果，检测出有缺陷的功率芯片。本申请用以解决通过晶圆测试和成品测试对功率芯片的缺陷检测不准确的问题。
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公开(公告)号：CN112086502A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201910509312.8
申请日：2019-06-13
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L21/82 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了一种半导体功率器件的制造方法，所述半导体功率器件包括硅衬底晶圆，该方法包括：在所述硅衬底晶圆上形成元胞有源区和终端环区；在所述元胞有源区和所述终端环区上形成位于所述终端环区的正硅酸乙酯氧化层；在所述硅衬底晶圆的元胞有源区形成位于所述元胞有源区的沟槽；在所述元胞有源区形成栅极和发射极；在所述硅衬底晶圆的元胞有源区形成具有接触孔图形的层间介质氧化层；在所述硅衬底晶圆上依次形成金属层和钝化层。本发明在制造时在元胞有源区和终端环区同时光刻，相对于现有的采用不同光刻分别对硅衬底晶圆上的终端环区和元胞有源区进行制造的方式减少了光刻次数，从而大大的降低了成本。
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公开(公告)号：CN110120342A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910390853.3
申请日：2019-05-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/3105
Abstract: 本申请提供了一种半导体工艺、半导体器件的制作方法和半导体器件。该半导体工艺包括：提供半导体结构，半导体结构包括非平整表面，非平整表面包括突出区域；在非平整表面的除突出区域之外的区域上设置牺牲阻挡层；对设置有牺牲阻挡层的半导体结构进行第二次机械研磨，直到非平整表面变为平整表面，牺牲阻挡层被去除的速率小于半导体结构的被去除的速率。该半导体工艺中，在通过化学机械研磨对整个非平整表面进行研磨时，未设置有牺牲阻挡层的突出区域会被快速磨平，而其他区域由于牺牲阻挡层的阻挡作用而基本维持不变。该工艺不仅能改善半导体结构的平整度，并且，由于该工艺不需要对半导体结构进行刻蚀，其可控性更好，可行性高。
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公开(公告)号：CN119947139A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411917791.4
申请日：2024-12-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体器件、一种半导体器件的制备方法和一种芯片，该半导体器件包括：N+型衬底，具有高掺杂浓度，从而具有较低的电阻率，能够提供低电阻的电流路径；N型外延层，包括N型外延层本体和第一沟槽，N型外延层本体设于N+型衬底一侧的表面，第一沟槽设于N型外延层本体中，可以降低导通电阻，同时保持较高的电学性能，提高了半导体器件的效率；第一P+区，设于N型外延层本体的第一沟槽中，用于提供空穴；第二沟槽，形成于第一P+区，用于填充欧姆接触金属，从而增大欧姆金属接触面积，提高半导体器件的抗浪涌能力，减小反向漏电；第二P+区，设于第二沟槽下方，用于增加半导体器件的抗浪涌电流能力。
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公开(公告)号：CN119361562A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411374833.4
申请日：2024-09-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/14 , H01L23/15 , H01L23/492 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 本发明实施例提供了一种直接键合铜基底、绝缘栅双极晶体管封装模块及制备工艺，直接键合铜基底可以包括：第一覆铜层；陶瓷层，一面与第一覆铜层的一面连接，陶瓷层添加有增韧物质；第二覆铜层，一面与陶瓷层的另一面连接。通过在陶瓷层添加增韧物质来对陶瓷层进行增韧，从而避免绝缘栅双极晶体管封装模块因为陶瓷层开裂而失效的问题。
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公开(公告)号：CN119317165A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411239611.1
申请日：2024-09-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种晶体管及制作方法、装置、电子设备及介质，通过在晶体管的第一面设置栅极沟槽，晶体管的第二面设置辅助沟槽，且辅助沟槽设置在与栅极沟槽相对应的位置，辅助沟槽和栅极沟槽之间形成第一浮空区。通过本发明实施例，实现了通过辅助沟槽形成浮空区，进而能够优化晶体管中的电流路径，从而改善电场集中效应，提升功率器件的可靠性，避免限制功率器件在更高电场电压下的应用。
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公开(公告)号：CN113640644B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110845639.X
申请日：2021-07-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本申请涉及一种功率芯片缺陷检测方法、系统、设备及存储介质，涉及芯片测试领域。该功率芯片缺陷检测方法包括：对功率芯片进行电流测试，获得测试结果，其中，电流测试中施加到功率芯片上的测试电流大于功率芯片的额定电流，根据测试结果，检测出有缺陷的功率芯片。本申请用以解决通过晶圆测试和成品测试对功率芯片的缺陷检测不准确的问题。
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公开(公告)号：CN112928109A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201911243260.0
申请日：2019-12-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/082 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及半导体功率器件技术领域，特别涉及一种沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备。该沟道型功率器件版图结构包括：多个版图单元；每个版图单元具有栅极区以及四个环绕栅极区分布的沟道区；沿行方向或列方向，任意两个相邻的沟道区的沟道相互垂直。不论是行方向还是列方向，相邻的两个沟道区的沟道相互垂直，可以改善沟道结构的晶圆的应力分布，有利于消除晶圆的翘曲；而沟道区环绕栅极区设置，方便晶圆在测试中扎针，也方便晶圆的上芯封装。
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公开(公告)号：CN112701080A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201911007775.0
申请日：2019-10-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种通孔形成方法，首先在半导体衬底上沉积光刻胶层，通过图案化光刻胶层，去除除预设通孔的预设位置以外的光刻胶，在通孔的预设位置处形成了光刻胶凸起，再沉积层间介质层覆盖形成有光刻胶凸起的半导体衬底。紧接着对沉积的层间介质层进行刻蚀，至暴露出光刻胶凸起，最后，去除光刻胶，即可在预设位置形成通孔。将原需要靠刻蚀直接在层间介质层形成的通孔，通过在通孔位置预先用光刻胶覆盖，保证了一定的开孔率，改善了通孔的形貌，有益于后续的金属填充并能减少漏电，增加半导体器件产出良率，提高半导体器件性能。
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公开(公告)号：CN112310188A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910668739.2
申请日：2019-07-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L21/266
Abstract: 本申请涉及功率半导体领域，具体而言，涉及一种横向变掺杂终端结构的制造方法及其制备得到的横向变掺杂终端结构。横向变掺杂终端结构的制造方法包括以下步骤：在衬底上生长的氧化层上刻蚀出一阶梯状区域；在氧化层的阶梯状区域上方向衬底内注入掺杂离子，然后高温推进；在结构表面生长一层隔离氧化层；在隔离氧化层表面形成场板。通过控制终端氧化层的刻蚀厚度，形成阶梯渐变结构，离子注入推进后，实现终端离子注入剂量的沿着阶梯渐变方向的变掺杂，实现了终端窗口的大角度倾斜边缘和阶梯渐变结构，综合了结终端扩展结构和横向变掺杂结构的特点，解决了现有技术在实现横向变掺杂结构中由于终端环注入离子断开而出现漏电的问题。
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