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发明公开
半导体工艺、半导体器件的制作方法和半导体器件无效

公开(公告)号：CN110120342A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201910390853.3

申请日：2019-05-10

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 黄康荣 , 肖婷 , 廖勇波 , 翟焕焕 , 吴佳蒙

IPC: H01L21/3105

Abstract: 本申请提供了一种半导体工艺、半导体器件的制作方法和半导体器件。该半导体工艺包括：提供半导体结构，半导体结构包括非平整表面，非平整表面包括突出区域；在非平整表面的除突出区域之外的区域上设置牺牲阻挡层；对设置有牺牲阻挡层的半导体结构进行第二次机械研磨，直到非平整表面变为平整表面，牺牲阻挡层被去除的速率小于半导体结构的被去除的速率。该半导体工艺中，在通过化学机械研磨对整个非平整表面进行研磨时，未设置有牺牲阻挡层的突出区域会被快速磨平，而其他区域由于牺牲阻挡层的阻挡作用而基本维持不变。该工艺不仅能改善半导体结构的平整度，并且，由于该工艺不需要对半导体结构进行刻蚀，其可控性更好，可行性高。

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