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公开(公告)号：CN113053750A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911375713.5
申请日：2019-12-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本公开提供了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域，所述方法包括：在衬底上依次形成叠置的多个外延层，每个外延层和所述衬底具有第一导电类型，每个外延层包括掺杂区，相邻的外延层中的所述掺杂区彼此邻接，其中：形成每个外延层包括：对外延层进行掺杂以形成初始掺杂区，所述初始掺杂区具有与第一导电类型不同的第二导电类型；执行退火，以使得所述初始掺杂区变为中间掺杂区；对所述中间掺杂区的边缘部分进行刻蚀，以形成贯穿所述中间掺杂区的沟槽，所述中间掺杂区的剩余部分作为所述掺杂区；和在所述沟槽中形成填充材料。
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公开(公告)号：CN112992821A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911285690.9
申请日：2019-12-13
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L21/50 , H01L21/603
Abstract: 本发明涉及一种芯片封装结构及其封装方法，包括壳体以及伸入所述壳体内部的管脚，所述壳体内部一侧固定设置有芯片，所述壳体内部与所述芯片相对的另一侧固定连接有弹性件；所述弹性件将所述管脚压在所述芯片上以使所述芯片固定在所述壳体内部。采用了弹簧式封装方式，使管脚与芯片在弹性件作用下相贴合，芯片不再与管脚采用金属结合方式，因此芯片可通过使弹性件与管脚的分离而拆卸并重新取出，以重新进行晶圆级测试和再次封装。并且封装过程中不采用塑封料填充，而使壳体内部处于真空环境，使得芯片能够更容易地从壳体中取出，并且能够使壳体的内部结构不易受到腐蚀，使用寿命更长。
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公开(公告)号：CN110767623B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201910872432.4
申请日：2019-09-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种基材及其制备方法与电路基板，涉及电子器件领域。该基材包括：用于贴装金属片的贴片区和包围所述贴片区的隔离区；其中，所述隔离区的至少一个表面设有锯齿槽。该基材能够解决现有技术中小型化的功率模块击穿率高的问题，利用该基材制备的功率器件能够提高功率器件的绝缘性能，降低击穿率。
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公开(公告)号：CN111243952B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202010062843.X
申请日：2020-01-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供了一种IGBT的制作方法。该制作方法包括：步骤S1，在晶圆基片的正面上设置硬掩膜层；步骤S2，在硬掩膜层的保护下对晶圆基片进行图形化处理，得到多个沿第一方向排列的沟槽；步骤S3，在沟槽中设置沟槽栅结构，沟槽栅结构的裸露表面与硬掩膜层的顶表面在同一平面上；步骤S4，去除硬掩膜层，使沟槽栅结构突出于晶圆基片的表面；步骤S5，在沟槽栅结构周围的晶圆基片中形成P阱区；步骤S6，对晶圆基片进行单边或双边的N型离子倾斜注入，利用沟槽栅结构的遮挡效应在P阱区中形成位于沟槽栅结构一侧或两侧的N+发射极，N型离子倾斜注入的注入方向与第一方向的夹角θ为锐角或钝角。避免了改版、简化了工艺、节约了成本。
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公开(公告)号：CN112864220A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201911102156.X
申请日：2019-11-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种元胞结构及其制造方法以及功率器件，涉及功率半导体领域。元胞结构，包括：第一绝缘部，第一绝缘部具有一端开口的容纳槽；第一介质部，第一介质部设置于容纳槽的底部；第二介质部，第二介质部设置于容纳槽内，且位于第一介质部远离底面的一侧；第二绝缘部，设置于第一介质部和第二介质部之间。本发明提供的元胞结构，在容纳槽内设有被第二绝缘部隔开且相互绝缘的第一介质部和第二介质部。如此，第一介质部相当于在容纳槽的底部设置了一个额外的电极板，使整个沟槽底部区域的电场分布较为平缓，有效的解决了沟槽底部电场集中的问题，使得此处发生电场击穿的概率大大降低，有效的提高了器件的可靠性和稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112829200A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201911158920.5
申请日：2019-11-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请涉及注塑成型技术领域，特别涉及一种注塑模具。包括：下模；所述下模包括多个侧壁，多个所述侧壁围成的空间内设有用于支撑基板的浮动板；上模，所述上模位于所述下模的上方，并与所述侧壁及所述浮动板之间形成有注塑空间；弹性组件，所述弹性组件用于为所述浮动板提供向所述上模方向的弹力。本申请中的塑模具，在弹性组件弹力的作用下，使浮动板能够与设置于该浮动板上方的基板紧密贴合时，即不影响基板的散热，不会对基板产生损坏。
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公开(公告)号：CN112768413A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201911002045.1
申请日：2019-10-21
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种封装基板及半导体芯片封装结构，涉及半导体封装技术领域。其中封装基板包括：基板本体，所述基板本体包括靠近注塑口的第一端及靠近注塑排气口的第二端；所述第一端设置有允许塑封料缓冲的第一避让结构。本申请中第一避让结构的设置，使得从注塑口一经注入的塑封料胶体不会直接冲击在基板本体处被阻挡而改变流向，而是能够在第一避让结构处得到一个缓冲，随后更均匀的流向基板本体的两侧封装面，改善塑封料在基板本体上下流量不一致的问题，使得塑封料更均匀的流向两侧封装面；从而保证封装产品的外观。
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公开(公告)号：CN112635430A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201910951438.0
申请日：2019-10-08
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L25/18
Abstract: 本发明公开了一种智能功率模块及具有其的电子设备；智能功率模块包括陶瓷基板和分别连接于所述陶瓷基板两侧第一框架和第二框架，所述陶瓷基板包括沿预设方向依次设置的多个陶瓷板块，相邻两个所述陶瓷板块通过连接组件连接。根据本发明提供的智能功率模块，将陶瓷基板分割多个陶瓷板块，多个陶瓷板块通过连接组件拼接形成一整体，避免应力集中，防止陶瓷基板在安装时因受力不均匀而产生裂痕。
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公开(公告)号：CN112564461A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910919129.5
申请日：2019-09-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种功率开关电路系统，包括：智能功率模块，包括上桥臂驱动芯片、下桥臂驱动芯片、由位于多个桥臂上的多绝缘栅双极型晶体管IGBT组成的功率开关器件，每个桥臂上的IGBT包括与上桥臂驱动芯片连接的上桥臂IGBT，及与下桥臂驱动芯片连接的下桥臂IGBT；保护电路，外接于智能功率模块中上桥臂驱动芯片的输出端和下桥臂驱动芯片的输出端，包括用于将输出端的电压稳定在设定电压范围的稳压保护电路；和/或用于将输出端的位移电流旁路到地线的稳流保护电路。本发明可以在IPM模块中连接稳压保护电路和/或稳流保护电路，减小栅极振荡及寄生导通，增加器件使用率及可靠性。
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