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公开(公告)号：CN110907792A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911193449.3
申请日：2019-11-28
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本发明公开了一种DLTS结合DLOS确定GaN辐照缺陷能级的方法及装置。在DLTS测试系统上添加光学系统，成为DLTS与DLOS耦合的测试系统，可以同时改变待测样品所处环境的温度和光子能量条件，分别获得不同测试条件下的待测样品的电容值，根据电容值变化分析判断辐照缺陷能级，使得在确定GaN辐照缺陷能级上不受温度的影响，大幅缩短测试时间，并且对被测材料的能级具有选择性。
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公开(公告)号：CN108597557A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810317130.6
申请日：2018-04-10
Applicant: 湘潭大学
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明公开了一种以质子为辐射源检测存储器单粒子扰动的测试方法，包括以下步骤：选取存储器样品；对选取的存储器样品进行加电全参数测试，验证存储器样品的功能；在中高能质子加速器上选择具有一定能量以及注量率的质子束流；将存储器和电路板连接好，进行再一次加电测试；向所有的存储器中填入数据；从存储器中回读数据，待测试系统稳定时打开满足要求的质子束流，对单个存储器进行辐照；将后续的存储器依次移动至束流出束位置，更换质子束流的能量，直至将所有的能量点测完。本发明以质子为辐射源检测抗单粒子扰动的效果，相对于其他辐照源更加可靠和简便，并且在提高效率的同时保证了数据提取的准确性。
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公开(公告)号：CN106940422A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201611076252.8
申请日：2016-11-29
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种辐射效应通用测试系统及测试方法。该系统包括控制器、多个仪器模块以及PXIe机箱；所述多个仪器模块包括高速数字IO、任意波形发生器、高速模拟采集卡、高精模拟采集卡、矩阵开关、精密电流电压源；该系统的方法主要包括以下步骤：1)封装所有仪器模块底层驱动命令，形成仪器模块操作；2)拆分仪器模块操作流程；3)根据仪器模块操作流程创建操作列表；4)添加仪器模块操作；5)创建测试任务；6)形成测试任务列表；7)根据测试任务列表执行被测目标物的测试。本发明不仅能实现多种数字、模拟、数模混合半导体器件辐射效应测试的通用，并且测试精度、速度都明显提高。
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公开(公告)号：CN114624561B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202210252228.4
申请日：2022-03-15
Applicant: 湘潭大学
IPC: G01R31/26 , G01N23/2255 , G01N23/2202
Abstract: 本发明公开了一种增强型氮化镓器件位移损伤效应的测试方法及系统，该方法包括：将待测器件进行分组编号，得到增强型氮化镓器件组和耗尽型氮化镓器件组；将增强型氮化镓器件组和耗尽型氮化镓器件组进行电学性能测试，并记录第一测试结果；将增强型氮化镓器件组和耗尽型氮化镓器件组进行质子辐照；将质子辐照后的增强型氮化镓器件组和耗尽型氮化镓器件组进行电学性能测试，并记录第二测试结果；基于增强型氮化镓器件组的第二测试结果和第一测试结果的比较分析，得到第一比较结果；基于耗尽型氮化镓器件组的第二测试结果和第一测试结果的比较分析，得到第二比较结果；基于第一比较结果和第二比较结果确定待测器件对位移损伤效应电荷收集的敏感区域。
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公开(公告)号：CN118688597A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410702646.8
申请日：2024-05-31
Applicant: 湘潭大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种实时检测功率器件单粒子烧毁效应敏感性的方法，包括：响应于用户的第一输入，获取待测试器件的第一电学特性曲线；在第一预设偏置电压和辐照源的辐照下，响应于用户的第二输入，关闭该辐照源，并检测该待测试器件的电学特性，得到第二电学特性曲线；该第二输入是在监测到检测电路中的出现脉冲电流时发出的；根据该第一电学特性曲线和该第二电学特性曲线，确定该待测试器件是否发生单粒子效应；所述单粒子效应至少包括单粒子烧毁或者单粒子栅穿。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114624561A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210252228.4
申请日：2022-03-15
Applicant: 湘潭大学
IPC: G01R31/26 , G01N23/2255 , G01N23/2202
Abstract: 本发明公开了一种增强型氮化镓器件位移损伤效应的测试方法及系统，该方法包括：将待测器件进行分组编号，得到增强型氮化镓器件组和耗尽型氮化镓器件组；将增强型氮化镓器件组和耗尽型氮化镓器件组进行电学性能测试，并记录第一测试结果；将增强型氮化镓器件组和耗尽型氮化镓器件组进行质子辐照；将质子辐照后的增强型氮化镓器件组和耗尽型氮化镓器件组进行电学性能测试，并记录第二测试结果；基于增强型氮化镓器件组的第二测试结果和第一测试结果的比较分析，得到第一比较结果；基于耗尽型氮化镓器件组的第二测试结果和第一测试结果的比较分析，得到第二比较结果；基于第一比较结果和第二比较结果确定待测器件对位移损伤效应电荷收集的敏感区域。
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公开(公告)号：CN113901702A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111235714.7
申请日：2021-10-22
Applicant: 湘潭大学
IPC: G06F30/25
Abstract: 本发明公开了一种LET值仿真方法，包括：建立器件模型，器件模型包含灵敏体积区域；建立粒子输运模型；设置粒子源、及粒子源中粒子入射LET值，向器件模型发射N个粒子；计算N个粒子在器件模型灵敏体积区域的沉积能量ΔE、径迹长度Δl，及在灵敏体积区域的有效LET值Leff，Leff计算公式为其中ρ为灵敏体积区域材料的密度。本发明提出的技术方案，通过建立器件模型及粒子输运模型，计算粒子在器件灵敏体积区域的有效LET值，缓解了采用粒子入射LET值计算单粒子翻转截面难以表征实际物理过程的技术问题。
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公开(公告)号：CN112164418A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011073590.2
申请日：2020-10-09
Applicant: 湘潭大学
IPC: G11C29/56
Abstract: 本申请公开了一种存储器单粒子效应的测试系统、方法及装置，所述测试系统包括辐照板，其上设置有存储器；测试板，其上设置有FPGA器件，所述FPGA器件与所述存储器电连接，对所述存储器进行数据写入和/或数据读出；发射装置，用于发射重离子微束；控制平台，用于控制所述辐照板相对所述发射装置进行水平和/或上下位移；其中，所述FPGA器件上设置有第一反馈线路和第二反馈线路，分别用于输出不同的单粒子效应反馈信号。本申请实施例通过为不同单粒子效应设置不同的反馈线路和反馈机制，使得被测器件上的单粒子翻转效应区域和单粒子瞬态效应区域能够得到快速识别。
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公开(公告)号：CN111554354A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010317961.0
申请日：2020-04-21
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 一种偏置电场下重离子辐射碳化硅二极管的损伤分析方法，包括：基于碳化硅二极管的基本结构和材料组成，通过Geant4构建碳化硅二极管的仿真模型，并在Geant4中设定偏置电场的大小和入射粒子的种类、能量；在Geant4中进行仿真模拟：将入射粒子射入碳化硅二极管，模拟不同偏置电场下入射粒子在碳化硅二极管内的粒子运动轨迹及碳化硅二极管的初始缺陷损伤分布；基于仿真模型和初始缺陷损伤分布，通过TCAD软件模拟碳化硅二极管的缺陷损伤演化过程，以分析缺陷损伤对碳化硅二极管的电学性能的影响。揭示偏置电场与辐射损伤的相互作用关系，对碳化硅器件的辐射效应机理分析和可靠性评估提供了技术基础。
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