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公开(公告)号：CN112803373A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011474538.8
申请日：2020-12-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H02H7/20
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件保护电路、控制方法、存储介质以及设备，其包括关断模块、保护模块和控制模块。其中，控制模块配置为响应于用于指示功率半导体器件短路的指令而控制关断模块动作以断开关断电路，从而能够在功率半导体器件失效或者外界原因造成门阴极短路后，仍能保护关断电路上的器件；另外，还控制保护模块动作以接通保护电路，确保实现门阴极短路，有效提高功率半导体器件的承压能力以及升压速率，并可以在外部因素导致门阴极短路的情况下可以快速接通保护电路，保护整个功率半导体驱动关断电路的安全性，同时提高功率半导体器件的可适用性、可靠性以及重复应用性。
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公开(公告)号：CN112363040A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011187514.4
申请日：2020-10-29
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请提供的一种功率半导体器件门极驱动检测电路及其控制方法，该电路包括门阴极电压检测单元，用于检测所述功率半导体器件的门极和阴极之间的电压差；高压检测单元，用于检测所述功率半导体器件的阳极和阴极之间的电压差；逻辑单元，用于在接收到所述外部控制系统发出的外部控制信号时输出第一控制信号，以及接收所述第一检测信号和所述第二检测信号并分别对所述第一检测信号和所述第二检测信号对应的电压差进行判断；触发单元，用于根据所述逻辑单元输出的控制信号生成触发信号，以控制所述功率半导体器件导通。检测电路组成元件简洁、可靠，不仅降低了驱动电路的复杂程度，还节约成本，可广泛应用于功率半导体型器件的驱动电路中。
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公开(公告)号：CN111834451A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910332896.6
申请日：2019-04-23
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/749 , H01L29/745 , H01L29/08 , H01L21/332
Abstract: 本发明公开了一种逆阻型门极换流晶闸管及其制造方法。晶闸管的层状结构竖直方向自下而上依次包括：P+阳极发射区、P阳极区、N-基区、P基区、P+基区、半埋于所述P+基区顶部的多个N+发射区；其中，在从正上方俯视晶闸管的方向上，多个N+发射区在以晶闸管的芯片中心为圆心的多个同心圆内沿圆弧均匀排布；P+阳极发射区包括P1+阳极发射区和水平方向环绕P1+阳极发射区的P2+阳极发射区，所述P2+阳极发射区位于所述P+阳极发射区的在远离门极引出端位置的N+发射区下方的区域以及所述P+阳极发射区的在所述晶闸管边缘终端位置的区域。
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公开(公告)号：CN118041332A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211386747.6
申请日：2022-11-07
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H03K17/687 , H02M1/08 , H02M1/32 , H02M7/06
Abstract: 本公开提供一种功率半导体开关的门极驱动电路、功率半导体器件和电子设备。该门极驱动电路包括：触发电路、保护电路、控制电路、第一供电电路和第二供电电路；其中，第一供电电路包括：依次连接的感应线圈、整流电路和第一稳压电路，感应线圈用于套设在交流电线外侧，整流电路用于对感应线圈两端的交流电压进行整流，第一稳压电路用于将整流电路整流后的电压进行稳压后为控制电路、触发电路和保护电路供电；第二供电电路用于提取功率半导体开关的阴极和阳极之间的电压，对提取的电压进行分压和稳压后控制电路、触发电路和保护电路供电。
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公开(公告)号：CN116013980A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211600204.X
申请日：2022-12-12
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本公开提供一种功率半导体器件，包括：从下至上依次设置的第一P型区、第一N型区、第二P型区和第二N型区，第二N型区嵌入第二P型区，第二N型区与第二P型区的顶表面共面，第二P型区包括：P基区以及位于P基区上方的第一子基区、第二子基区和第三子基区，第二子基区位于第二N型区下方且沿水平方向不超出第二N型区，第三子基区环绕第二子基区，第一子基区环绕第三子基区，第三子基区至少与第二N型区的侧部接触，P基区的掺杂浓度记为n0，第一子基区的掺杂浓度记为n1，第二子基区的掺杂浓度记为n2，第三子基区的掺杂浓度记为n3，满足：n2＞n1＞n3＞n0。可实现器件关断损耗与导通损耗的独立设计，增大器件设计灵活性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111834451B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910332896.6
申请日：2019-04-23
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/749 , H01L29/745 , H01L29/08 , H01L21/332
Abstract: 本发明公开了一种逆阻型门极换流晶闸管及其制造方法。晶闸管的层状结构竖直方向自下而上依次包括：P+阳极发射区、P阳极区、N‑基区、P基区、P+基区、半埋于所述P+基区顶部的多个N+发射区；其中，在从正上方俯视晶闸管的方向上，多个N+发射区在以晶闸管的芯片中心为圆心的多个同心圆内沿圆弧均匀排布；P+阳极发射区包括P1+阳极发射区和水平方向环绕P1+阳极发射区的P2+阳极发射区，所述P2+阳极发射区位于所述P+阳极发射区的在远离门极引出端位置的N+发射区下方的区域以及所述P+阳极发射区的在所述晶闸管边缘终端位置的区域。
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公开(公告)号：CN114220850A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111539836.5
申请日：2021-12-15
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/745
Abstract: 本申请提供一种功率半导体器件的元胞结构及功率半导体器件，所述元胞结构包括衬底，其中，所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；位于所述衬底内的第一导电类型第一基区；其中，所述第一基区于所述元胞结构中心位置设置有向靠近所述第二表面方向延伸的第一凸台；位于所述第一基区与所述第二表面之间的阳极区；其中，所述阳极区靠近所述第一基区的一侧于与所述第一凸台对应的位置处形成凹部。该凹部处的阳极区的结深远小于其它区域，既可降低该处逆阻阳极发射效率，又能在该处形成芯片关断时载流子快速抽取通道，从而降低芯片关断拖尾时间和反向恢复时间，降低关断损耗。
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公开(公告)号：CN112271215A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011286706.0
申请日：2020-11-17
Applicant: 国家电网有限公司 , 国网经济技术研究院有限公司 , 株洲中车时代半导体有限公司 , 国网江苏省电力有限公司经济技术研究院
IPC: H01L29/744 , H01L29/423 , H01L29/417
Abstract: 本发明涉及一种全控型晶闸管芯片及其设计方法，其特征在于，包括：门极电极和若干阴极电极，所述门极电极与所述阴极电极相互隔离，且各所述阴极电极单元通过外部导电片连接，所述门极电极通过同一铝层直接相连；所述阴极电极呈蜂巢状排布，其包括围绕芯片圆心等间距循环往外扩展排布的多个类六边形结构，且每一个所述类六边形结构均包括多个呈正六边形的阴极电极单元，且各所述阴极电极单元均匀排布在所述类六边形结构的每条边上，使得各所述阴极电极单元中心连线形成正六边形结构。本发明可以广泛应用于器件设计领域。
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公开(公告)号：CN111933705A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010620956.7
申请日：2020-06-30
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/06 , H01L21/332
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件及其制作方法，解决了现有逆阻型IGCT由于阻断能力漏电较大、反向恢复关断能力低及通流能力低问题。对第二导电类型的衬底进行离子注入在上表面形成第一导电类型第一基区、在背面形成第一导电类型阳极发射区；高温推进在第一导电类型第一基区远离衬底上表面形成第一导电类型第二基区，在第一导电类型阳极发射区远离衬底下表面形成第一导电类型第三基区；在第一导电类型第一基区上表面形成第二导电类型阴极区；在第一导电类型阳极发射区上形成阳极；在第二导电类型阴极区上形成阴极，在第一导电类型第一基区上形成门极；处理衬底边缘形成台面；对台面终端局部辐照形成辐照区。
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公开(公告)号：CN221727056U
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202323413473.8
申请日：2023-12-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种用于IGCT组件的压装装置，涉及功率器件加工技术领域。本实用新型提供的压装组件包括：底座，底座安装有下压板，下压板用于支撑叠设的压装单元；架体，架体的底部与底座相连，架体的顶部设有加压件，加压件连接有上压板，加压件可驱动上压板上下移动，上压板与下压板相对设置，且位于压装单元的上方，上压板用于压装压装单元形成功率器件；安装于架体的分离机构，分离机构用于将部分功率器件升高，并使升高的功率器件与下方的功率器件分离。可将压装好的功率器件一部分抬高与下方的功率器件分离，降低了工作人员单次取件的总量，减轻了工作人员的取件难度。
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