公开(公告)号：CN104517793B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201410466295.1

申请日：2014-09-12

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 丰田一行 ,  广地志有 ,  山本哲夫 ,  盛满和广 ,  高崎唯史

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67017 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45557 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质，能够使在衬底上形成的膜的特性提高，并且能够使生产能力提高。具有以下工序：向衬底供给原料气体的工序；向等离子体生成区域供给反应气体的工序；向上述等离子体生成区域供给高频电力的工序；以及使供给上述反应气体之前的上述等离子体生成区域内的压力为第一压力，并在供给有上述反应气体和上述高频电力的状态下，调整至比上述第一压力低的第二压力来生成上述反应气体的等离子体的工序。

公开(公告)号：CN106340471A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201510568466.6

申请日：2015-09-08

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 大桥直史 ,  中山雅则 ,  须田敦彦 ,  丰田一行 ,  松井俊

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L21/67138 ,  H01L21/76801 ,  H01L2221/1005

Abstract: 本发明涉及抑制半导体器件特性偏差的半导体器件制造方法、衬底处理系统及衬底处理装置。该方法具有：研磨衬底的工序，衬底在具有多个布线用槽的第一绝缘膜上形成有金属膜；在衬底上形成第二绝缘膜的工序；第二绝缘膜研磨工序；接收第二绝缘膜的衬底面内的膜厚分布数据的工序；基于膜厚分布数据计算处理数据的工序，所述处理数据通过调节形成于研磨后的第二绝缘膜上的第三绝缘膜的膜厚分布来修正由研磨后的第二绝缘膜和第三绝缘膜形成的层合绝缘膜的膜厚分布；和基于处理数据、以使得生成于衬底中心侧的处理气体的活性种浓度和生成于衬底外周侧的处理气体的活性种浓度不同的方式使处理气体活化并形成第三绝缘膜、修正层合绝缘膜膜厚分布的工序。

公开(公告)号：CN105448637A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510535875.6

申请日：2015-08-27

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 西谷英辅 ,  丰田一行

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45574

Abstract: 一种衬底处理装置、气体导入轴以及气体供给板。在进行衬底依次通过多个处理区域的工艺处理的情况下，设为可根据该工艺处理容易且简便地进行各处理区域的大小变更。衬底处理装置，具备：供衬底载置的衬底载置台；气体供给板，将处理空间划分成多个气体供给区域，设置有与各气体供给区域分别连通的气体分配管；以及气体导入轴，其具有多个气体导入管，并且构成为供气体供给板装配，各气体导入管分别经由在气体供给板装配时形成的圆环状的气体排出空间而与气体供给板中的气体分配管连通。

公开(公告)号：CN105374704A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201410504987.0

申请日：2014-09-26

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 丰田一行 ,  松井俊

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/345 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32926 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明的课题在于使形成在衬底上的膜厚和膜的特性在衬底面内不同，并使生产能力提高。本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法，衬底处理装置具有：收纳衬底的处理室；从衬底上方供给第一处理气体的第一处理气体供给部；从衬底上方供给第一反应气体的第一反应气体供给部；从衬底侧方供给第二处理气体的第二处理气体供给部；从衬底侧方供给第二反应气体的第二反应气体供给部；和控制部，其以如下方式控制：在处理气体供给工序和反应气体供给工序中的任一工序或者两个工序中，使向衬底中心侧供给的处理气体供给量与向衬底外周侧供给的处理气体供给量不同、或者使向衬底中心侧供给的反应气体供给量与向衬底外周侧供给的反应气体供给量不同。

公开(公告)号：CN104517819A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410468894.7

申请日：2014-09-15

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 山本哲夫 ,  盛满和广 ,  丰田一行 ,  大野健治 ,  高崎唯史 ,  广濑育男 ,  佐佐木隆史

IPC: H01L21/22

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 在使用了缓冲空间的单片式装置中，也能够抑制缓冲空间的副产物发生。为解决上述课题，提供一种半导体器件的制造方法，具有：将衬底送入处理室的工序；通过喷头的缓冲室将含第一元素气体供给到载置在所述处理室内的衬底的含第一元素气体供给工序；通过所述缓冲室将含第二元素气体供给到所述衬底的含第二元素气体供给工序；和在所述含第一元素气体供给工序和含第二元素气体供给工序之间进行的排气工序，所述排气工序具有：对所述缓冲室内的环境气体进行排气的缓冲室排气工序；和在所述缓冲室排气工序之后对所述处理室内的环境气体进行排气的处理室排气工序。

公开(公告)号：CN104517793A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410466295.1

申请日：2014-09-12

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 丰田一行 ,  广地志有 ,  山本哲夫 ,  盛满和广 ,  高崎唯史

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67017 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45557 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质，能够使在衬底上形成的膜的特性提高，并且能够使生产能力提高。具有以下工序：向衬底供给原料气体的工序；向等离子体生成区域供给反应气体的工序；向上述等离子体生成区域供给高频电力的工序；以及使供给上述反应气体之前的上述等离子体生成区域内的压力为第一压力，并在供给有上述反应气体和上述高频电力的状态下，调整至比上述第一压力低的第二压力来生成上述反应气体的等离子体的工序。

公开(公告)号：CN100477105C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200480007523.3

申请日：2004-03-04

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 丰田一行 ,  岛信人 ,  石丸信雄 ,  金野义和 ,  竹林基成 ,  野田孝晓 ,  水野谦和

IPC: H01L21/31 ,  H01F27/00

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/50 ,  H01F19/08 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置和器件的制造方法。该衬底处理装置能将远程等离子体和在整个处理室产生的等离子体的优点结合起来，实现良好的处理。该衬底处理装置具有：从外侧包围处理空间(1)地设置的、连接在地线上的导电性构件(10)和设置于上述导电性构件内侧的一对电极(4)。绝缘变压器(7)的初级线圈电连接在上述高频电源部(14)上，次级线圈电连接在上述电极(4)上。在连接次级线圈和电极(4)的连接线上连接有切换开关(13)。通过使用切换开关(13)切换连接线与地线的连接/非连接，能切换处理空间(1)中的等离子体产生区域。

公开(公告)号：CN105304525B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201510401574.4

申请日：2015-07-09

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 丰田一行 ,  芦原洋司 ,  佐野敦 ,  赤江尚德 ,  野内英博

IPC: H01L21/67

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/4585

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质。通过本发明，能够提高形成于衬底上的膜的特性和对衬底面内的处理均匀性、以及提高制造生产能力，并抑制颗粒产生。本发明的衬底处理装置具有：处理室，收纳衬底；衬底支承部，支承所述衬底，且外周具有突出部；分隔部，设置在所述处理室内，与所述突出部相接触，分隔所述处理室与输送所述衬底的输送空间；气体供给部，向所述处理室供给处理气体；以及，分隔吹扫气体供给部，向在对所述衬底供给所述处理气体时在所述接触的部位产生的所述突出部与所述分隔部之间的间隙，供给吹扫气体。

公开(公告)号：CN108400092A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201711083530.7

申请日：2017-11-07

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 丰田一行 ,  大桥直史

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/31 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/32183 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/302 ,  H01L21/31 ,  H01L21/67011

Abstract: 提供一种能够提高使膜特性改变的处理后的衬底的特性的衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。包括：收容衬底的处理容器；衬底支承部，在处理容器内支承衬底，具有支承电极；与衬底支承部相对的上部电极；第一阻抗控制部，其一端连接于上部电极；第二阻抗控制部，其一端连接于支承电极；处理气体供给部，向衬底供给处理气体；活化部，其在处理容器的外侧，经由绝缘部连接于电力供给部，使处理气体活化；以及第三阻抗控制部，其一端连接于绝缘部与活化部之间。

公开(公告)号：CN105990086B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201610109193.3

申请日：2016-02-26

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 大桥直史 ,  丰田一行 ,  松井俊

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/68771 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/68764

Abstract: 衬底处理装置及半导体器件的制造方法，为了抑制形成在衬底上的膜的面内均匀性的降低而能够局部调整处理区域的等离子体分布。衬底处理装置，包括：衬底载置部，供衬底载置；分割构造体，在与衬底载置部相对的空间形成处理区域；气体供给部，向分割构造体所形成的处理区域供给处理气体；等离子体生成部，将气体供给部向处理区域供给的处理气体形成为等离子体状态并生成处理气体的活性种，并在形成等离子体状态时，按处理区域的部分而分别独立控制活性种的活性度。