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公开(公告)号：CN105374662B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201510412194.0
申请日：2015-07-14
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45551 , C23C16/34 , C23C16/45519 , C23C16/45591 , C23C16/4584 , H01L21/28562 , H01L21/32051
Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及衬底处理方法。本发明提供能对衬底均匀地供给高暴露量的气体、并且能以高生产量进行处理的技术。在处理室内被划分为形成第一处理气体气氛的第一处理区域和形成第二处理气体气氛的第二处理区域的衬底处理装置中，在其中的至少一个区域内，设置有：具有形成为管线状的开口部并向区域内进行气体供给的管线状气体供给部、和在开口部的周围从处理室的顶面朝向衬底侧突出的空隙保持部件。
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公开(公告)号：CN1762044A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200480007523.3
申请日：2004-03-04
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: H01L21/67253 , C23C16/50 , H01F19/08 , H01J37/32082 , H01J37/32174
Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置和器件的制造方法。该衬底处理装置能将远程等离子体和在整个处理室产生的等离子体的优点结合起来，实现良好的处理。该衬底处理装置具有：从外侧包围处理空间(1)地设置的、连接在地线上的导电性构件(10)和设置于上述导电性构件内侧的一对电极(4)。绝缘变压器(7)的初级线圈电连接在上述高频电源部(14)上，次级线圈电连接在上述电极(4)上。在连接次级线圈和电极(4)的连接线上连接有切换开关(13)。通过使用切换开关(13)切换连接线与地线的连接/非连接，能切换处理空间(1)中的等离子体产生区域。
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公开(公告)号：CN105374662A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510412194.0
申请日：2015-07-14
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45551 , C23C16/34 , C23C16/45519 , C23C16/45591 , C23C16/4584 , H01L21/28562 , H01L21/32051 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/67011
Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及衬底处理方法。本发明提供能对衬底均匀地供给高暴露量的气体、并且能以高生产量进行处理的技术。在处理室内被划分为形成第一处理气体气氛的第一处理区域和形成第二处理气体气氛的第二处理区域的衬底处理装置中，在其中的至少一个区域内，设置有：具有形成为管线状的开口部并向区域内进行气体供给的管线状气体供给部、和在开口部的周围从处理室的顶面朝向衬底侧突出的空隙保持部件。
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公开(公告)号：CN100477105C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200480007523.3
申请日：2004-03-04
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: H01L21/67253 , C23C16/50 , H01F19/08 , H01J37/32082 , H01J37/32174
Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置和器件的制造方法。该衬底处理装置能将远程等离子体和在整个处理室产生的等离子体的优点结合起来，实现良好的处理。该衬底处理装置具有：从外侧包围处理空间(1)地设置的、连接在地线上的导电性构件(10)和设置于上述导电性构件内侧的一对电极(4)。绝缘变压器(7)的初级线圈电连接在上述高频电源部(14)上，次级线圈电连接在上述电极(4)上。在连接次级线圈和电极(4)的连接线上连接有切换开关(13)。通过使用切换开关(13)切换连接线与地线的连接/非连接，能切换处理空间(1)中的等离子体产生区域。
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