公开(公告)号：CN100397657C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200410098350.2

申请日：2004-12-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 土屋义规 ,  入沢寿史 ,  木下敦宽 ,  古贺淳二

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/84 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体器件，包括：硅衬底、形成在所述硅衬底的表面上的n型沟道区、与所述n型沟道区的表面相对形成的n型源区和n型漏区、形成在所述n型源区和所述n型漏区之间的所述n型沟道区的所述表面上的第一栅绝缘膜、形成在所述第一栅绝缘膜上的具有金属元素M和第一IV族半导体元素Si1-aGea(0≤a≤1)的化合物的第一栅极、形成在所述硅衬底的所述表面上的p型沟道区、与所述p型沟道区的表面相对形成的p型源区以及p型漏区、形成在所述p型源区以及所述p型漏区之间的所述p型沟道区的所述表面上的第二栅绝缘膜、形成在所述第二栅绝缘膜上的具有所述金属元素M和第二IV族半导体元素Si1-cGec(0≤c≤1，a≠c)的化合物的第二栅极。

公开(公告)号：CN1838415A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200610068044.3

申请日：2006-03-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 渡边浩志 ,  木下敦宽 ,  高岛章 ,  萩岛大辅

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7881 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324

Abstract: 一种非易失性半导体存储器件，包括半导体衬底；形成在半导体衬底中的多个隔离区域；形成在相邻隔离区域之间的元件形成区域；提供在元件形成区域上的第一栅极绝缘膜；提供在第一栅极绝缘膜上的浮栅电极，在沿着垂直于隔离区域延伸方向的方向上的剖面中，浮栅电极面对元件形成区域的下边缘的宽度小于元件形成区域的宽度；提供在浮栅电极上的第二栅极绝缘膜；和提供在第二栅极绝缘膜上的控制栅极电极。

公开(公告)号：CN1819258A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610004581.1

申请日：2006-02-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木下敦宽 ,  松泽一也

IPC: H01L29/00 ,  H01L27/02 ,  H04L9/32

CPC classification number: H04L63/0853 ,  H04L63/1441 ,  H04W12/06 ,  H04W12/12

Abstract: 本发明使防止“欺骗，并且尽可能有效地不导致附加管理成本成为可能。被认证装置包括：至少一个被认证元件，用于相对于连续的输入信号生成具有在制造时自发变化的特性的输出信号。被认证元件的特性被用作个体所独有的信息。

公开(公告)号：CN1591906A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410068632.8

申请日：2004-09-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木下敦宽 ,  古贺淳二

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/458 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78645

Abstract: 提供一种场效应型晶体管及其制造方法，可以降低源·漏的寄生电阻，抑制短沟道效应且降低泄露电流。该场效应型晶体管，包括：构成沟道区的第一半导体区；在上述第一半导体区上夹着栅绝缘膜形成的栅电极；对应于上述栅电极，在上述第一半导体区的两侧形成的源·漏电极；以及在上述第一半导体区和上述源·漏电极之间分别形成的、杂质浓度比上述第一半导体区高的第二半导体区，且上述第二半导体区的与上述沟道区相接的部分，在无电压施加的状态下在整个沟道长度方向上被耗尽化。沟道长度方向上的厚度小于等于10nm，且形成为比由杂质浓度决定的耗尽层宽度更薄。

公开(公告)号：CN102708073B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201110274966.0

申请日：2011-09-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 辰村光介 ,  木下敦宽 ,  西野弘刚 ,  铃木正道 ,  西义史 ,  丸亀孝生 ,  栗田贵宏

IPC: G06F13/16

CPC classification number: H04L49/253 ,  G06F3/0605 ,  G06F3/0635 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0683 ,  H04L12/6418 ,  H04L45/74

Abstract: 本发明提供一种存储装置、存储系统以及数据处理方法。根据一个实施方式,存储装置包括具备多个输入端口、多个输出端口、选择器、包控制器以及存储器的多个存储器节点。上述选择器将输入到上述输入端口的包输出到上述输出端口。上述包控制器控制上述选择器的输出。上述存储器存储数据。上述存储器节点彼此之间通过上述输入端口以及上述输出端口相互地连接。上述存储器节点具有由物理位置确定的物理地址。上述包控制器在接收了不是发给自身的存储器节点的包的情况下，根据至少包含上述包的发送目的地地址和上述自身的存储器节点的地址的信息，切换输出上述包的上述输出端口。

公开(公告)号：CN102651234B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201210043857.2

申请日：2012-02-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 丸亀孝生 ,  井口智明 ,  杉山英行 ,  石川瑞恵 ,  齐藤好昭 ,  木下敦宽 ,  辰村光介

IPC: G11C15/00 ,  G11C15/04

CPC classification number: G11C15/02 ,  G11C11/161 ,  G11C15/046 ,  H01L27/228

Abstract: 本发明涉及内容可寻址存储器。一个实施例提供一种内容可寻址存储器，包括：自旋MOSFET对，所述自旋MOSFET对包括：第一自旋MOSFET，第一自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置；和第二自旋MOSFET，第二自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置，第二自旋MOSFET与第一自旋MOSFET并联连接；第一布线，第一布线被构造为施加栅电压，以使得第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET中的任何一个根据搜索数据变为导电；和第二布线，第二布线被构造为将电流施加于第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET这二者。

公开(公告)号：CN103942153A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201310384208.3

申请日：2013-08-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐佐木勇辉 ,  栗田贵宏 ,  木下敦宽

IPC: G06F12/06 ,  G06F13/16

CPC classification number: G06F11/1092 ,  G06F12/0238 ,  G06F2212/1048 ,  G06F2212/7208

Abstract: 本发明提供存储装置及存储方法，在存储节点相互连接的构成中，实现高效的数据传送。实施方式的存储装置，具备多个存储节点，其具备包含多个预定大小的存储区域的存储部，并在2个以上不同方向相互连接。多个存储节点构成2个以上的组，每个组具备2个以上的存储节点的，控制部将向存储部的数据的写入目的地按每个存储区域依次分配给不同的组。

公开(公告)号：CN103364016A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310112082.4

申请日：2013-04-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 冈本昌之 ,  丸龟孝生 ,  上野晃嗣 ,  栗田贵宏 ,  木下敦宽 ,  长健太

IPC: G01D9/00

CPC classification number: G06F12/00 ,  G01D9/005

Abstract: 本发明公开一种传感器数据记录装置、方法和程序。根据一个实施例，一种传感器数据记录装置（200）包括下列元件。临时存储单元（203）临时性地存储从传感器获取的传感器数据。数据选择器（204）选择存储在临时存储单元（203）中的用于每个传感器的传感器数据。传感器数据存储单元（205）存储所选择的用于每个传感器的传感器数据。记录方法控制器（202）基于记录状态，控制将传感器数据存储在临时存储单元（203）中的记录方法和将传感器数据存储在传感器数据存储单元（205）中的记录方法两者中的至少一个，所述记录状态是关于在传感器数据存储单元（205）中存储传感器数据的统计信息。

公开(公告)号：CN102651234A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210043857.2

申请日：2012-02-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 丸亀孝生 ,  井口智明 ,  杉山英行 ,  石川瑞恵 ,  齐藤好昭 ,  木下敦宽 ,  辰村光介

IPC: G11C15/00 ,  G11C15/04

CPC classification number: G11C15/02 ,  G11C11/161 ,  G11C15/046 ,  H01L27/228

Abstract: 本发明涉及内容可寻址存储器。一个实施例提供一种内容可寻址存储器，包括：自旋MOSFET对，所述自旋MOSFET对包括：第一自旋MOSFET，第一自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置；和第二自旋MOSFET，第二自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置，第二自旋MOSFET与第一自旋MOSFET并联连接；第一布线，第一布线被构造为施加栅电压，以使得第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET中的任何一个根据搜索数据变为导电；和第二布线，第二布线被构造为将电流施加于第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET这二者。

公开(公告)号：CN101330055A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810125334.6

申请日：2008-06-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山内尚 ,  西义史 ,  木下敦宽 ,  土屋义规 ,  古贺淳二 ,  加藤弘一

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/785

Abstract: 提供在CMIS构造的半导体器件中降低n型以及p型MISFET的界面电阻的半导体器件的制造方法以及半导体器件。该半导体器件的制造方法以及半导体器件的特征在于，在第一半导体区域上形成n型MISFET的栅极绝缘膜和栅电极，在第二半导体区域上形成p型MISFET的栅极绝缘膜和栅电极，对第一半导体区域离子注入As，形成n型扩散层，在第一半导体区域上淀积包含Ni的第一金属之后，通过第一热处理形成第一硅化物层，在第一硅化物层上以及第二半导体区域上淀积包含Ni的第二金属之后，通过第二热处理将第一硅化物层进行厚膜化，并且形成第二硅化物层，对第二硅化物层离子注入B或者Mg之后，施加第三热处理。