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公开(公告)号：CN102148055B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201010509925.0
申请日：2010-10-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C14/0081
Abstract: 本发明提供使用自旋MOS晶体管的非易失性存储器电路，其具备：第一p沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第一电极和作为另一个的第二电极；第二p沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第三电极和作为另一个的第四电极；第一n沟道自旋MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第五电极和作为另一个的第六电极；第二n沟道自旋MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第七电极和作为另一个的第八电极；第一n沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第九电极和作为另一个的第十电极；以及第二n沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第十一电极和作为另一个的第十二电极。
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公开(公告)号：CN103364016A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310112082.4
申请日：2013-04-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01D9/00
Abstract: 本发明公开一种传感器数据记录装置、方法和程序。根据一个实施例，一种传感器数据记录装置（200）包括下列元件。临时存储单元（203）临时性地存储从传感器获取的传感器数据。数据选择器（204）选择存储在临时存储单元（203）中的用于每个传感器的传感器数据。传感器数据存储单元（205）存储所选择的用于每个传感器的传感器数据。记录方法控制器（202）基于记录状态，控制将传感器数据存储在临时存储单元（203）中的记录方法和将传感器数据存储在传感器数据存储单元（205）中的记录方法两者中的至少一个，所述记录状态是关于在传感器数据存储单元（205）中存储传感器数据的统计信息。
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公开(公告)号：CN105117355A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510449201.4
申请日：2012-08-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G06F13/16
CPC classification number: G06F17/30587 , G06F12/0292 , G06F13/1694 , G06F2213/16
Abstract: 公开了一种存储器、存储器系统及其数据处理方法。根据一个实施例，包括键-值存储(该存储包含键-值数据作为键和对应于该键的值的对)的存储器系统包括第一存储器(14)、控制电路(11)以及第二存储器(12)。第一存储器(14)被配置成包含用于存储数据的数据区域以及包含键-值数据的表区域。控制电路(11)被配置成通过寻址来执行对第一存储器(14)的写入和读取，并执行基于键-值存储的请求。第二存储器(12)被配置成根据来自控制电路(11)的指令而存储键-值数据。控制电路(11)通过使用存储在所述第一存储器(14)中的键-值数据以及存储在所述第二存储器(12)中的键-值数据来执行集合操作。
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公开(公告)号：CN103106158A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210279821.4
申请日：2012-08-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F17/30587 , G06F12/0292
Abstract: 公开了一种包括键-值存储的存储器系统。根据一个实施例，包括键-值存储（该存储包含键-值数据作为键和对应于该键的值的对）的存储器系统包括第一存储器（14）、控制电路（11）以及第二存储器（12）。第一存储器（14）被配置成包含用于存储数据的数据区域以及包含键-值数据的表区域。控制电路（11）被配置成通过寻址来执行对第一存储器（14）的写入和读取，并执行基于键-值存储的请求。第二存储器（12）被配置成根据来自控制电路（11）的指令而存储键-值数据。控制电路（11）通过使用存储在所述第一存储器（14）中的键-值数据以及存储在所述第二存储器（12）中的键-值数据来执行集合操作。
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公开(公告)号：CN114975627A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202111001524.9
申请日：2021-08-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L27/115 , G11C11/40 , G06N3/08 , G06N3/04
Abstract: 本发明的实施方式涉及非易失性存储器件。本发明所要解决的技术问题在于提供一种能够高精度化的非易失性存储器件。实施方式的非易失性存储器件具有分别是场效应型且具有栅极电极的多个晶体管。栅极电极包括隧道绝缘膜、第一集电体膜、离子传导体膜、第一电极膜、第二电极膜和第二集电体膜。隧道绝缘膜覆盖沟道区域。第一集电体膜相对于隧道绝缘膜被配置于沟道区域的相反侧。离子传导体膜配置于隧道绝缘膜与第一集电体膜之间。第一电极膜配置于隧道绝缘膜与离子传导体膜之间。第一电极膜与离子传导体膜接触。第二电极膜配置于离子传导体膜与第一集电体膜之间。第二电极膜与离子传导体膜接触。第二集电体膜配置于隧道绝缘膜与第二电极膜之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108345935A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201710755161.5
申请日：2017-08-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G06N3/06
CPC classification number: G06N3/0445 , G06N3/0472
Abstract: 一种积和运算器，谋求积和运算的高速化及低功耗。实施方式所涉及的积和运算器具备系数存储部、控制部、高位乘法部、高位累积部、低位乘法部和输出部。高位乘法部针对N个输入值的每个输入值计算将对应的输入值、对应的系数中对象位的值、和对象位的权重相乘后的高位乘法值。高位累积部计算将高位乘法值累积相加后的高位累积值。低位乘法部针对N个输入值的每个输入值计算将对应的输入值和对应的系数中小于停止位的位的值相乘后的低位乘法值。输出部在高位累积值超过边界值的情况下，将超过边界值后的范围的值作为乘法累加运算值进行输出。
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公开(公告)号：CN103106158B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201210279821.4
申请日：2012-08-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F17/30587 , G06F12/0292
Abstract: 公开了一种包括键‑值存储的存储器系统。根据一个实施例，包括键‑值存储（该存储包含键‑值数据作为键和对应于该键的值的对）的存储器系统包括第一存储器（14）、控制电路（11）以及第二存储器（12）。第一存储器（14）被配置成包含用于存储数据的数据区域以及包含键‑值数据的表区域。控制电路（11）被配置成通过寻址来执行对第一存储器（14）的写入和读取，并执行基于键‑值存储的请求。第二存储器（12）被配置成根据来自控制电路（11）的指令而存储键‑值数据。控制电路（11）通过使用存储在所述第一存储器（14）中的键‑值数据以及存储在所述第二存储器（12）中的键‑值数据来执行集合操作。
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公开(公告)号：CN102194848B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201010294132.1
申请日：2010-09-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/66984 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/1677 , G11C11/1697 , H01L27/224 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供一种自旋存储器和自旋晶体管，该自旋存储器具备包括铁磁性层叠膜的存储器单元，所述铁磁性层叠膜具有由第1铁磁性层、第1非磁性层、第2铁磁性层、第2非磁性层以及第3铁磁性层按该顺序或者相反顺序层叠而成的层叠结构，第3铁磁性层和第2铁磁性层经由第2非磁性层而反铁磁性地交换耦合，在铁磁性层叠膜中从第1铁磁性层向第3铁磁性层流通单一方向的电流，根据电流的大小对第1铁磁性层进行不同磁化状态的写入，并且进行从第1铁磁性层的读出。
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公开(公告)号：CN102194848A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010294132.1
申请日：2010-09-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/66984 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/1677 , G11C11/1697 , H01L27/224 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供一种自旋存储器和自旋晶体管，该自旋存储器具备包括铁磁性层叠膜的存储器单元，所述铁磁性层叠膜具有由第1铁磁性层、第1非磁性层、第2铁磁性层、第2非磁性层以及第3铁磁性层按该顺序或者相反顺序层叠而成的层叠结构，第3铁磁性层和第2铁磁性层经由第2非磁性层而反铁磁性地交换耦合，在铁磁性层叠膜中从第1铁磁性层向第3铁磁性层流通单一方向的电流，根据电流的大小对第1铁磁性层进行不同磁化状态的写入，并且进行从第1铁磁性层的读出。
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公开(公告)号：CN102148055A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010509925.0
申请日：2010-10-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C14/0081
Abstract: 本发明提供使用自旋MOS晶体管的非易失性存储器电路，其具备：第一p沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第一电极和作为另一个的第二电极；第二p沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第三电极和作为另一个的第四电极；第一n沟道自旋MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第五电极和作为另一个的第六电极；第二n沟道自旋MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第七电极和作为另一个的第八电极；第一n沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第九电极和作为另一个的第十电极；以及第二n沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第十一电极和作为另一个的第十二电极。
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