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公开(公告)号：CN1310360C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200310118695.5
申请日：2003-11-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01M8/00
CPC classification number: H01M8/0263 , H01M8/0258 , H01M8/04186 , H01M8/1011 , H01M8/241 , H01M8/2455 , H01M8/2483 , Y02E60/523
Abstract: 提供了一种直接型燃料电池发电装置。由多个膜电极构成的直接型甲醇燃料电池发电装置至少具有2个设置了含阳极催化剂层的阳极、含阴极催化剂层的阴极、及配置于上述阳极与上述阴极间的电解质膜的膜电极单位；同时，还具有收容燃料的燃料容器和用于将燃料供给上述膜电极单位的燃料流路；上述燃料流路(3)为从上述燃料容器经由第1膜电极单位和第2膜电极单位再次返回到第1膜电极单位的流路，具有不在其间进行分支的流路。这样，可进行各膜电极单位的输出的偏差少的稳定的燃料供给。
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公开(公告)号：CN1519967A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200310118695.5
申请日：2003-11-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01M8/00
CPC classification number: H01M8/0263 , H01M8/0258 , H01M8/04186 , H01M8/1011 , H01M8/241 , H01M8/2455 , H01M8/2483 , Y02E60/523
Abstract: 提供了一种直接型燃料电池发电装置。由多个电偶部分构成的直接型甲醇燃料电池发电装置至少具有2个设置了含阳极催化剂层的阳极、含阴极催化剂层的阴极、及配置于上述阳极与上述阴极间的电解质膜的电偶部分单位；同时，还具有收容燃料的燃料容器和用于将燃料供给上述电偶部分单位的燃料流路；上述燃料流路(3)为从上述燃料容器经由第1电偶部分单位和第2电偶部分单位再次返回到第1电偶部分单位的流路，具有不在其间进行分支的流路。这样，可进行各电偶部分单位的输出的偏差少的稳定的燃料供给。
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公开(公告)号：CN101330055A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810125334.6
申请日：2008-06-20
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
CPC classification number: H01L21/823814 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/823835 , H01L21/823842 , H01L29/785
Abstract: 提供在CMIS构造的半导体器件中降低n型以及p型MISFET的界面电阻的半导体器件的制造方法以及半导体器件。该半导体器件的制造方法以及半导体器件的特征在于，在第一半导体区域上形成n型MISFET的栅极绝缘膜和栅电极，在第二半导体区域上形成p型MISFET的栅极绝缘膜和栅电极，对第一半导体区域离子注入As，形成n型扩散层，在第一半导体区域上淀积包含Ni的第一金属之后，通过第一热处理形成第一硅化物层，在第一硅化物层上以及第二半导体区域上淀积包含Ni的第二金属之后，通过第二热处理将第一硅化物层进行厚膜化，并且形成第二硅化物层，对第二硅化物层离子注入B或者Mg之后，施加第三热处理。
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公开(公告)号：CN101093805A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710112100.3
申请日：2007-06-22
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/823814 , H01L21/26513 , H01L21/28097 , H01L21/823835 , H01L29/665 , H01L29/6659 , H01L29/66628 , H01L29/66636
Abstract: 一种半导体器件，包括：其中形成有沟道区的第一导电类型的第一半导体区；在该沟道区上形成的栅绝缘膜；在沟道区两侧的SixGe1－x(0＜x＜1)层；在SixGe1－x层上形成的第二导电类型的具有从1021～1022原子/cm3范围的受控杂质浓度的一对第二半导体区；和在第二半导体区上形成的含镍的硅化物层。还公开了该半导体器件的制造方法。
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