公开(公告)号：CN100565922C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200710089064.3

申请日：2007-03-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 手塚勉 ,  入沢寿史

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明一个实施例的场效应晶体管，具有：含有Si原子的半导体衬底，形成在上述半导体衬底上、含有Si原子和Ge原子的突起结构，形成在上述突起结构内、含有Ge原子的沟道区域，形成在上述突起结构中上述沟道区域的下部、含有的Si原子和Ge原子中Ge的组成比从上述沟道区域侧到上述半导体衬底侧连续变化的沟道下部区域，形成在上述沟道区域上的栅绝缘膜，隔着上述栅绝缘膜形成在上述沟道区域上的栅极。

公开(公告)号：CN102694026A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201110361360.0

申请日：2011-11-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池田圭司 ,  入沢寿史 ,  沼田敏典 ,  手塚勉

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/6656

Abstract: 根据实施例的场效应晶体管包括：半导体层；在半导体层中相互以一定距离形成的源极区和漏极区；在半导体层的一部分上形成的栅绝缘膜，该部分位于源极区和漏极区之间；在栅绝缘膜上形成的栅电极；和在栅电极的至少一个侧面上形成的栅侧壁，所述侧面位于源极区侧和漏极区侧，所述栅侧壁由高介电材料制成。源极区和漏极区与栅电极的相应侧面分开设置。

公开(公告)号：CN100397657C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200410098350.2

申请日：2004-12-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 土屋义规 ,  入沢寿史 ,  木下敦宽 ,  古贺淳二

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/84 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体器件，包括：硅衬底、形成在所述硅衬底的表面上的n型沟道区、与所述n型沟道区的表面相对形成的n型源区和n型漏区、形成在所述n型源区和所述n型漏区之间的所述n型沟道区的所述表面上的第一栅绝缘膜、形成在所述第一栅绝缘膜上的具有金属元素M和第一IV族半导体元素Si1-aGea(0≤a≤1)的化合物的第一栅极、形成在所述硅衬底的所述表面上的p型沟道区、与所述p型沟道区的表面相对形成的p型源区以及p型漏区、形成在所述p型源区以及所述p型漏区之间的所述p型沟道区的所述表面上的第二栅绝缘膜、形成在所述第二栅绝缘膜上的具有所述金属元素M和第二IV族半导体元素Si1-cGec(0≤c≤1，a≠c)的化合物的第二栅极。

公开(公告)号：CN101097954A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710089064.3

申请日：2007-03-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 手塚勉 ,  入沢寿史

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明一个实施例的场效应晶体管，具有：含有Si原子的半导体衬底，形成在上述半导体衬底上、含有Si原子和Ge原子的突起结构，形成在上述突起结构内、含有Ge原子的沟道区域，形成在上述突起结构中上述沟道区域的下部、含有的Si原子和Ge原子中Ge的组成比从上述沟道区域侧到上述半导体衬底侧连续变化的沟道下部区域，形成在上述沟道区域上的栅绝缘膜，隔着上述栅绝缘膜形成在上述沟道区域上的栅极。

公开(公告)号：CN100463192C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200610087750.2

申请日：2006-05-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 入沢寿史 ,  沼田敏典 ,  手塚勉 ,  杉山直治 ,  高木信一

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78687

Abstract: 一种半导体器件包括形成在绝缘层(12)上的半导体层上的n沟道MIS晶体管和p沟道MIS晶体管，其中，n沟道MIS晶体管的沟道由具有双轴拉应变的应变硅层(22)构成，而p沟道MIS晶体管的沟道由沿沟道长度方向具有单轴压应变的应变硅锗层(31)构成。

公开(公告)号：CN1873990A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610087750.2

申请日：2006-05-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 入沢寿史 ,  沼田敏典 ,  手塚勉 ,  杉山直治 ,  高木信一

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78687

Abstract: 一种半导体器件包括形成在绝缘层(12)上的半导体层上的n沟道MIS晶体管和p沟道MIS晶体管，其中，n沟道MIS晶体管的沟道由具有双轴拉应变的应变硅层(22)构成，而p沟道MIS晶体管的沟道由沿沟道长度方向具有单轴压应变的应变硅锗层(31)构成。

公开(公告)号：CN1624932A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410098350.2

申请日：2004-12-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 土屋义规 ,  入沢寿史 ,  木下敦宽 ,  古贺淳二

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/84 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体器件，包括：硅衬底、形成在所述硅衬底的表面上的n型沟道区、与所述n型沟道区的表面相对形成的n型源区和n型漏区、形成在所述n型源区和所述n型漏区之间的所述n型沟道区的所述表面上的第一栅绝缘膜、形成在所述第一栅绝缘膜上的具有金属元素M和第一IV族半导体元素 Si1－aGea(0≤a≤1)的化合物的第一栅极、形成在所述硅衬底的所述表面上的p型沟道区、与所述p型沟道区的表面相对形成的p型源区以及p型漏区、形成在所述p型源区以及所述p型漏区之间的所述p型沟道区的所述表面上的第二栅绝缘膜、形成在所述第二栅绝缘膜上的具有所述金属元素M和第二IV族半导体元素Si1－cGec(0≤c≤1，a≠c)的化合物的第二栅极。