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公开(公告)号：CN103023500B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210224176.6
申请日：2012-06-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03M1/12
CPC classification number: H03M1/1061 , H01L27/22 , H01L43/08 , H03M1/365
Abstract: 本发明涉及模数转换器。根据一个实施例，模数转换器包括电压生成单元以及多个比较器。电压生成单元被配置来利用多个可变电阻器对基准电压进行分压，以生成多个比较电压。所述多个比较器中的每一个被配置来将所述多个比较电压中的任意一个与模拟输入电压进行比较，以及基于比较电压和模拟输入电压之间的比较结果输出数字信号。所述多个可变电阻器中的每一个包括串联连接的多个可变电阻性元件，并且所述多个可变电阻性元件中的每一个具有根据外部信号可变地设置的电阻值。
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公开(公告)号：CN103023501A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210224236.4
申请日：2012-06-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03M1/12
CPC classification number: H03M1/1061 , H03F3/45183 , H03F2203/45391 , H03F2203/45392 , H03F2203/45674 , H03K5/2481 , H03M1/365
Abstract: 一种模数转换器，包括电压生成单元和多个比较器。电压生成单元通过多个电阻器将从外部施加的基准电压分压以生成多个比较电压。比较器将比较电压与模拟输入电压相比较并基于比较结果而输出数字信号。每个比较器包含检测比较电压和模拟输入电压之间的电势差的差动对电路。差动对电路包含第一电路部分和第二电路部分。第一电路部分包含：栅极被供给一个输入的第一输入晶体管和与第一输入晶体管串联连接的电阻器。第二电路部分包含：栅极被供给另一个输入并与第一输入晶体管形成差动对的第二输入晶体管；和与第二输入晶体管串联连接的可变电阻器。可变电阻器包含串联连接的多个可变电阻元件，每个可变电阻元件具有根据控制信号被可变地设定的电阻值。
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公开(公告)号：CN103023500A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210224176.6
申请日：2012-06-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03M1/12
CPC classification number: H03M1/1061 , H01L27/22 , H01L43/08 , H03M1/365
Abstract: 本发明涉及模数转换器。根据一个实施例，模数转换器包括电压生成单元以及多个比较器。电压生成单元被配置来利用多个可变电阻器对基准电压进行分压，以生成多个比较电压。所述多个比较器中的每一个被配置来将所述多个比较电压中的任意一个与模拟输入电压进行比较，以及基于比较电压和模拟输入电压之间的比较结果输出数字信号。所述多个可变电阻器中的每一个包括串联连接的多个可变电阻性元件，并且所述多个可变电阻性元件中的每一个具有根据外部信号可变地设置的电阻值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102929793A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210279967.9
申请日：2012-08-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G06F12/06
CPC classification number: G06F17/30982 , G06F12/0246 , G06F17/30097 , G06F17/3012 , G06F2212/7201
Abstract: 公开了包括键-值存储的存储器系统。根据一个实施例，包括键-值存储的存储器系统（10）包括接口（11）、存储块（16）、地址获取电路（14）和控制器（13），键-值存储包含作为键和与键相对应的值的对的键-值数据。接口（11）接收数据写入/读取请求或基于键-值存储的请求。存储块（16）具有用于存储数据的数据区域（161）和包含键-值数据的元数据表（162）。地址获取电路（14）响应于键的输入而获取第一地址。控制器（13）执行对存储块（16）的数据写入/读取请求，以及向存储块（16）输出获取的第一地址并执行基于键-值存储的请求。控制器（13）经由接口（11）输出与键相对应的值。
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公开(公告)号：CN102708073A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201110274966.0
申请日：2011-09-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G06F13/16
CPC classification number: H04L49/253 , G06F3/0605 , G06F3/0635 , G06F3/0656 , G06F3/0658 , G06F3/0683 , H04L12/6418 , H04L45/74
Abstract: 本发明提供一种存储装置、存储系统以及数据处理方法。根据一个实施方式,存储装置包括具备多个输入端口、多个输出端口、选择器、包控制器以及存储器的多个存储器节点。上述选择器将输入到上述输入端口的包输出到上述输出端口。上述包控制器控制上述选择器的输出。上述存储器存储数据。上述存储器节点彼此之间通过上述输入端口以及上述输出端口相互地连接。上述存储器节点具有由物理位置确定的物理地址。上述包控制器在接收了不是发给自身的存储器节点的包的情况下，根据至少包含上述包的发送目的地地址和上述自身的存储器节点的地址的信息，切换输出上述包的上述输出端口。
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公开(公告)号：CN102708073B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201110274966.0
申请日：2011-09-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G06F13/16
CPC classification number: H04L49/253 , G06F3/0605 , G06F3/0635 , G06F3/0656 , G06F3/0658 , G06F3/0683 , H04L12/6418 , H04L45/74
Abstract: 本发明提供一种存储装置、存储系统以及数据处理方法。根据一个实施方式,存储装置包括具备多个输入端口、多个输出端口、选择器、包控制器以及存储器的多个存储器节点。上述选择器将输入到上述输入端口的包输出到上述输出端口。上述包控制器控制上述选择器的输出。上述存储器存储数据。上述存储器节点彼此之间通过上述输入端口以及上述输出端口相互地连接。上述存储器节点具有由物理位置确定的物理地址。上述包控制器在接收了不是发给自身的存储器节点的包的情况下，根据至少包含上述包的发送目的地地址和上述自身的存储器节点的地址的信息，切换输出上述包的上述输出端口。
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公开(公告)号：CN102651234B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201210043857.2
申请日：2012-02-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C15/02 , G11C11/161 , G11C15/046 , H01L27/228
Abstract: 本发明涉及内容可寻址存储器。一个实施例提供一种内容可寻址存储器，包括：自旋MOSFET对，所述自旋MOSFET对包括：第一自旋MOSFET，第一自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置；和第二自旋MOSFET，第二自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置，第二自旋MOSFET与第一自旋MOSFET并联连接；第一布线，第一布线被构造为施加栅电压，以使得第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET中的任何一个根据搜索数据变为导电；和第二布线，第二布线被构造为将电流施加于第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET这二者。
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公开(公告)号：CN102651234A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210043857.2
申请日：2012-02-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C15/02 , G11C11/161 , G11C15/046 , H01L27/228
Abstract: 本发明涉及内容可寻址存储器。一个实施例提供一种内容可寻址存储器，包括：自旋MOSFET对，所述自旋MOSFET对包括：第一自旋MOSFET，第一自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置；和第二自旋MOSFET，第二自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置，第二自旋MOSFET与第一自旋MOSFET并联连接；第一布线，第一布线被构造为施加栅电压，以使得第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET中的任何一个根据搜索数据变为导电；和第二布线，第二布线被构造为将电流施加于第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET这二者。
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