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公开(公告)号：CN1740387A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510099956.2
申请日：2002-08-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C23C16/52 , H01L21/203
CPC classification number: H01L21/67253 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/67248
Abstract: 一种半导体器件的制造方法，其特征是包括：将衬底收容进成膜室并由加热装置加热上述衬底，在该衬底上形成膜；利用温度检测装置检测上述成膜室的内部和外部至少一方温度并根据该温度检测装置检测的温度，控制上述加热装置使其以规定温度加热上述衬底；在上述加热装置加热上述衬底以后且在上述温度检测装置检出的温度实质上成为一定之前就由系统控制器决定成膜结束的时间。
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公开(公告)号：CN1644924A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510004779.5
申请日：2002-08-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C23C16/4412
Abstract: 本发明提供一种可以延长寿命、提高生产效率的真空排气系统。包括：具有多个监视区域的排气泵系统(2)；分别设在监视区域上的分别独立地检测监视区域中的排气泵系统(2)的状态的传感器(101、102、103……、104)；分别设在监视区域中加热器(201、202、203……、204)；分别接收来自传感器(101、102、103、……、104)的数据信号(D1、D2、D3、……、Dm)，比较该数据信号与阈值，当来自特定的传感器的数据信号超过了阈值时，只向配置了特定的传感器的监视区域的加热器选择性地供给加热用电力的监视·控制装置(1)。
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公开(公告)号：CN1497180A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03134791.6
申请日：2003-09-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G05B23/0229 , G01H1/003 , G05B23/0283
Abstract: 本发明的课题在于提供一种以廉价的装置，简单、稳定且高精度地对旋转机的寿命进行预测的寿命预测系统。该系统包括：测定旋转机(3)的振动的时间序列加速度数据的振动仪(7)；用含有以包括旋转机的转子的叶片扇数的公式与旋转机固有的基准振动频率的乘积表示的第1解析频率的频带、对所测定的模拟信号的时间序列加速度数据进行滤波的带通滤波器(8)；以及根据经滤波的上述第1解析频率的时间序列加速度数据的特征量，预测上述旋转机的寿命的数据处理单元(6)。
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公开(公告)号：CN1490527A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN03160083.2
申请日：2003-09-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G01M15/12 , G05B23/0221 , G05B23/0283
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有能够进行高灵敏度且稳定的高精度的寿命预测的旋转机的制造装置。在旋转机(3)中，在旋转机的振动的变动不同的位置配置有测定时间序列振动数据的加速度计(36a、36b)。借助频率解析装置(37)，对由加速度计(36a、36b)所测定的时间序列振动数据进行频率解析。在时间序列数据记录部(5)中，根据经频率解析的时间序列振动数据，将与解析对象频率对应的特征量的变动制作成评价用诊断数据，并记录评价用诊断数据。用寿命判定单元(6)，利用评价用诊断数据预测旋转机(3)的寿命。
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公开(公告)号：CN1419265A
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN02160294.8
申请日：2002-08-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67253
Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法和制造装置，不管处理种类如何，难以受到处理环境制约，并且可以适当状态进行处理，可容易地得到优良的半导体器件。将监测装置8配置成监测部29的外侧暴露于反应容器2内，并开始处理，其中监测装置8包括：由可透过和反射包含规定波长的光的材料形成的监测部29；形成为将向该监测部29照射包含规定波长的光的光照射部16、接收监测部29的照射光的反射光的光接收部30、照射光和反射光与反应容器2内的气氛和引入反应容器2内的物质分离的光路保护体15。测定反射光的强度，根据监测部29上淀积的淀积物的淀积量求出晶片3上淀积的膜的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100476663C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN02154759.9
申请日：2002-08-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G05B23/00 , G05B19/418 , H01L21/00 , G06F17/00
CPC classification number: G05B23/024 , Y02P90/86
Abstract: 生产装置的故障诊断方法和故障诊断系统，可在制造多品种工业制品的情况下自动应对进行故障诊断。包括：被诊断生产装置5；测定被诊断生产装置5的特征量的特征量传感器32～37；驱动控制被诊断生产装置5的实时控制控制器531；根据特征量传感器32～37的输出进行故障实时判定的模块533；将参照生产装置的特征量的数据作为装置信息数据库记录的装置信息存储装置103；包含驱动控制被诊断生产装置5的制造过程序列的方法和负荷试验序列的方法的过程管理信息数据库并向实时控制控制器531输出方法的过程管理信息存储装置102。
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公开(公告)号：CN1288277C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN02129077.6
申请日：2002-08-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C23C16/44 , H01L21/306
CPC classification number: H04L12/66 , Y10S438/905
Abstract: 本发明提供一种干洗系统，包括：自动判定装置，根据包括半导体制造设备的累积膜种类信息、累积膜厚信息、批的到达预料时期信息、批的成膜预定膜厚信息、批的紧急度信息、批的后工序设备信息和附带设备动作信息的信息，按照由计算机决定的算法，对于对半导体晶片进行处理的设备、对处理预定的批最佳的设备、实施干洗的设备和维修附带设备的设备自动地进行判定；决定装置，以上述自动判定装置的自动判定为基础，对上述各个设备，进行对半导体晶片的处理的时期、对预定的批进行处理的时期、实施干洗的时期、维修附带设备的时期的决定；输出装置，按照上述决定装置对上述各个时期的决定，输出上述各个设备的下次的处理内容。
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公开(公告)号：CN1277289C
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN03119636.5
申请日：2003-03-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/205 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67017 , Y02P90/28
Abstract: 本发明提供一种需要时可以只供给需要量衬底处理方面直接地或间接地使用的液体、气体或固体等物质，能够实现供给设备或输送设备小型化的半导体制造装置、半导体制造系统和衬底处理方法。半导体制造装置(1)和半导体制造系统具备缓冲部件(4)。缓冲部件(4)是暂时性贮存由外部供给源(20)供给的，衬底处理方面需要的物质，并可将该贮存的物质供给处理室(2)。物质的供给是通过控制部件(6)、LAN(13)由CIM来进行控制。
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公开(公告)号：CN1240108C
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN02160293.X
申请日：2002-08-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G05B19/4065 , G05B2219/37252 , Y02P90/86
Abstract: 提供一种高灵敏度且稳定的半导体制造装置用旋转机的寿命预测方法。方案是测定旋转机(干式泵)的加速度，获得时间系列数据(步骤S101)；将时间系列数据进行频率分析，得到频率频谱(步骤S102)；决定分析对象频率(步骤S103)；将对应于分析对象频率的加速度峰值的基准用时间系列数据和加速度峰值的评价用时间系列数据进行抽样测定(步骤S104)；使用基准用时间系列数据和评价用时间系列数据作成旋转机的寿命评价用数据，在所含步骤(步骤S105)进行旋转机的寿命确定。
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公开(公告)号：CN1199237C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN02149898.9
申请日：2002-08-30
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 中尾隆
CPC classification number: H01L21/67276 , H01L21/67253
Abstract: 一种半导体器件制造方法，可使处理重复性稳定。包括：用于对半导体器件制造装置反应室内的被处理衬底给予规定处理、决定成膜方法的步骤S101；作决定的成膜方法，对被处理衬底进行处理的步骤S102；上述处理中，测定一个以上使上述处理对上述被处理衬底的处理能力变动的工艺参数的步骤S103；上述处理中，根据表示与处理条件对应的处理能力和上述工艺参数的关系的基准状态与处理中测定的工艺参数测定值，求出将处理量作为设定值的新的成膜方法的步骤S104、S105；以及上述处理中，按照新的成膜方法进行上述处理的步骤S105。
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