公开(公告)号：CN1741249A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510093088.7

申请日：2005-08-25

Applicant: 株式会社东芝 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 宫崎邦浩 ,  火口隆司 ,  中岛俊贵

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/306 ,  F24J1/00 ,  F28D7/10

CPC classification number: B08B3/14 ,  B08B3/00 ,  B08B3/08

Abstract: 一种用于清洗半导体衬底的半导体制造装置，包括：高温循环型化学试剂槽(11)，填充有用于清洗半导体衬底(13)的化学试剂(12)，并且其中所述化学试剂(12)被循环和再利用；排放机构(21)，将所述化学试剂槽(11)中的所述化学试剂(12)从其中排出；辅助液体供应机构(32)，向被视为废化学试剂的已排出化学试剂(12)添加辅助液体，从而加热所述废化学试剂；热量交换器(31)，在其中暂时存储所述加热的废化学试剂和允许新化学试剂流入，并且通过热量交换，冷却所述废化学试剂，并升高所述新化学试剂的温度；以及导管，在其中向所述化学试剂槽(11)供应所述新化学试剂，所述新化学试剂具有在所述热量交换器中被升高的温度。

公开(公告)号：CN1277289C

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN03119636.5

申请日：2003-03-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中尾隆 ,  宫崎邦浩

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67017 ,  Y02P90/28

Abstract: 本发明提供一种需要时可以只供给需要量衬底处理方面直接地或间接地使用的液体、气体或固体等物质，能够实现供给设备或输送设备小型化的半导体制造装置、半导体制造系统和衬底处理方法。半导体制造装置(1)和半导体制造系统具备缓冲部件(4)。缓冲部件(4)是暂时性贮存由外部供给源(20)供给的，衬底处理方面需要的物质，并可将该贮存的物质供给处理室(2)。物质的供给是通过控制部件(6)、LAN(13)由CIM来进行控制。

公开(公告)号：CN1445822A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN03119636.5

申请日：2003-03-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中尾隆 ,  宫崎邦浩

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67017 ,  Y02P90/28

Abstract: 本发明提供一种需要时可以只供给需要量衬底处理方面直接地或间接地使用的液体、气体或固体等物质，能够实现供给设备或输送设备小型化的半导体制造装置、半导体制造系统和衬底处理方法。半导体制造装置1和半导体制造系统具备缓冲部件4。缓冲部件4是暂时性贮存由外部供给源20供给的，衬底处理方面需要的物质，并可将该贮存的物质供给处理室2。物质的供给是通过控制部件6、LAN13由CIM来进行控制。

公开(公告)号：CN1076121C

公开(公告)日：2001-12-12

申请号：CN96102745.2

申请日：1996-03-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 深泽雄二 ,  宫崎邦浩

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/02052

Abstract: 本发明提供可抑制基板表面的不平坦度，无处理液的金属逆污染，去除粒子和金属杂质性能优良且在常温下进行的半导体基板表面处理液、表面处理方法和表面处理装置。其特征是应用含有浓度为0.01到1%的HF水溶液与浓度为0.1ppm到20ppm的臭氧水的混合液进行半导体基板表面处理。该混合液无金属逆污染，可除去Cu等重金属。

公开(公告)号：CN1137687A

公开(公告)日：1996-12-11

申请号：CN96102745.2

申请日：1996-03-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 深泽雄二 ,  宫崎邦浩

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/02052

Abstract: 本发明提供一种可抑制基板表面的不平坦度，无洗液的金属逆污染，粒子和金属杂质去除性能优良且在常温下进行处理的半导体基板的表面处理液，表面处理方法的表面处理装置。其构成特征是应用含有浓度为0.01％到1％的HF水溶液与浓度为0.1ppm到20ppm的臭氧水的混合液进行半导体基板的表面处理。可以常温处理故不会成为超净房间的污染源，洗后的臭氧水易于地分解，故废液处理等变得简单，也可减轻环境污染。通过调整混合液的HF浓度与臭氧水溶度，可以同时清洗半导体基板的表面和氧化膜。

公开(公告)号：CN100364059C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200510091987.3

申请日：2005-08-15

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 松尾弘之 ,  中岛俊贵 ,  宫崎邦浩

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/66575

Abstract: 本发明公开了一种用含有氟化氢和臭氧的蚀刻剂蚀刻基础材料的蚀刻方法。基础材料具有用作为主材料的硅构成的第一区域和用作为主材料的SiO2构成的第二区域。该蚀刻方法包括下述步骤：准备基础材料；将蚀刻剂供应到基础材料上，以利用蚀刻剂对硅的蚀刻速率高于蚀刻剂对SiO2的蚀刻速率这一特征在第一区域和第二区域之间形成台阶，使第一区域的表面高度低于第二区域的表面高度。

公开(公告)号：CN1741263A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510109849.3

申请日：2005-08-26

Applicant: 株式会社东芝 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 宫崎邦浩 ,  松尾弘之 ,  中岛俊贵

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/306 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/30608 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0805 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7853

Abstract: 一种制造半导体器件的方法。在所述方法中，在具有(100)向晶面的硅(Si)衬底(11)上形成薄膜(12)，去除位于元件隔离区上的所述薄膜(12)的部分。然后，通过利用所述薄膜(12)作为掩膜以及氢氟酸和臭氧水的混合溶液，对所述Si衬底(11)进行选择性蚀刻，在所述衬底(11)中形成沟槽(15)以隔离元件。

公开(公告)号：CN1734722A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510091987.3

申请日：2005-08-15

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 松尾弘之 ,  中岛俊贵 ,  宫崎邦浩

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/66575

Abstract: 本发明公开了一种用含有氟化氢和臭氧的蚀刻剂蚀刻基础材料的蚀刻方法。基础材料具有用作为主材料的硅构成的第一区域和用作为主材料的SiO2构成的第二区域。该蚀刻方法包括下述步骤：准备基础材料；将蚀刻剂供应到基础材料上，以利用蚀刻剂对硅的蚀刻速率高于蚀刻剂对SiO2的蚀刻速率这一特征在第一区域和第二区域之间形成台阶，使第一区域的表面高度低于第二区域的表面高度。

公开(公告)号：CN1591779A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410083298.3

申请日：2004-09-03

Applicant: 株式会社东芝 ,  大日本斯克林制造株式会社 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 宫崎邦浩 ,  火口隆司 ,  中岛俊贵 ,  松尾弘之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67057 ,  G01N27/06

Abstract: 公开了一种晶片清洗方法，其包括将清洁水供给用化学溶液清洗的晶片(2)，测量包括化学溶液和清洁水的溶液(6)的电阻率，并将该测量值对时间微分，以及用清洁水持续清洗晶片(2)，直到电阻率的时间微分值等于或小于预定值，并在该预定值保持预定时间。