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公开(公告)号：CN101673798A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910173133.8
申请日：2009-09-11
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光元件的制造成品率高的发光元件。本发明中的发光元件1包括具有第一导电型的第一半导体层、与第一导电型不同的第二导电型的第二半导体层、夹入第一半导体层和第二半导体层之间的有源层105的半导体层压结构10、设置在半导体层压结构10的一个表面侧的对有源层105发出的光进行反射的反射层132、在反射层132的半导体层压结构10侧的相反侧通过金属接合层支撑半导体层压结构10的支撑衬底20、与支撑衬底20的金属接合层侧的相反侧的面接触设置的密合层200、与密合层200的接触支撑衬底20的面的相反侧的面接触设置的，隔着密合层与支撑衬底20之间合金化的背面电极210。
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公开(公告)号：CN100499191C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710163077.0
申请日：2007-09-29
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/025 , H01L33/10 , H01L33/30 , H01L33/40
Abstract: 本发明提供一种AlGaInP系结构的、能够减小发光亮度的降低、低功耗化且能获得高可靠性的发光二极管。该发光二极管(10)设有在GaAs基板(1)上形成的发光部(4)、由AlGaInP组成的中间层(5)及电流扩散层(6)。发光部4的结构是在GaAs基板(1)上依次形成由AlGaInP组成的下部包覆层(41)、由AlGaInP组成的发光层(42)以及上部包覆层(43)。使发光部(4)的各层中所含氢的浓度为2×1017cm-3以下、碳的浓度为2×1016cm-3以下及氧的浓度为2×1016cm-3以下，进而使电流扩散层6的部分或全部区域中的氢的浓度为5×1017cm-3以下、碳的浓度为5×1017cm-3以下及氧的浓度为2×1016cm-3以下。
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公开(公告)号：CN101393956A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810127244.0
申请日：2008-06-30
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供一种发光装置，其可以提高光取出效率、使活性层发光区域的亮度和发热均一、抑制元件间驱动电压和寿命的参差不齐。本发明的发光装置具备：含有发光层的半导体层叠结构；在半导体层叠结构的一个表面上形成的上部电极；在中心与上部电极的中心对应、除了上部电极正下方区域的半导体层叠结构的另一表面的区域上，形成至少一部分具有与上部电极的外周相似形状的部分的界面电极；在除了形成界面电极的半导体层叠结构的其他表面上的区域上形成的、可透过发光层发出的光的电流阻止层；与界面电极电连接，使透过电流阻止层的光反射至半导体层叠结构的一个表面侧的反射层；在反射层的半导体层叠结构的相反侧，与半导体层叠结构电连接的导电性支撑基板。
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公开(公告)号：CN100466311C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200610137536.3
申请日：2006-10-25
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2224/14
Abstract: 本发明提供一种具有高效率，且能通过大电流的发光二极管。该发光二极管具有：在高导热性基片(10)的表面侧至少叠层p型包层(4)、活性层(3)、n型包层(2)的发光层部，在上述发光层部上的中央部分地形成的电流阻止部(14)，在上述n型包层及上述电流阻止部表面形成的电流扩展层(15)，在上述电流扩展层表面形成的上部电极(16)，在上述高导热性基片背面形成的下部电极(13)，其特征是，还具有：形成在上述高导热性基片与上述发光层部之间的光反射层(7)，在位于上述光反射层的表面上的上述电流阻止部下方的部分上形成的部分电极(6)，在形成上述部分电极的部分以外的上述光反射层的表面上形成的电流阻止部(5)。
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公开(公告)号：CN100466310C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200610001106.9
申请日：2006-01-11
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供把在分布布拉格反射器的近红外光的发光减少到可忽视的水平，进而降低在分布布拉格反射器的光的吸收率的高亮度发光二极管。为了达到该目的，通过对AlGaInP系发光二极管的分布布拉格反射器使用AlGaAs层和AlInP层的组合，并将其膜厚规定为下述(1)、(2)、(3)式的关系：(AlGaAs层的膜厚[nm])＝{λ0/(4×n1)}×α…(1)，(AlInP层的膜厚[nm])＝{λ0/(4×n2)}×(2-α)…(2)，λ0：需要反射的光的波长[nm]，n1：对需要反射的光的波长的AlGaAs层的折射率，n2：对需要反射的光的波长的AlInP层的折射率，0.5＜α＜0.9…(3)。
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公开(公告)号：CN100448036C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200410030617.4
申请日：2004-03-30
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种不会发生透明导电膜剥离、能以低工作电压发光而且可实现高亮度的发光二极管。发光二极管包括：半导体基板；在层叠于上述半导体基板上的第1导电型复合层与第2导电型复合层之间设活性层的发光部；设在该发光部的上部，由金属氧化物构成的透明导电膜；形成于上述透明导电膜的表面一侧的第1电极；和形成于上述半导基板的背面全面或背面的一部分的第2电极；其中，在上述发光部与上述透明导电膜之间还具有由至少含铝的化合物半导体构成的透明导电膜剥离防止层。
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公开(公告)号：CN101159306A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710163077.0
申请日：2007-09-29
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/025 , H01L33/10 , H01L33/30 , H01L33/40
Abstract: 本发明提供一种AlGaInP系结构的、能够减小发光亮度的降低、低功耗化且能获得高可靠性的发光二极管。该发光二极管(10)设有在GaAs基板(1)上形成的发光部(4)、由AlGaInP组成的中间层(5)及电流扩散层(6)。发光部4的结构是在GaAs基板(1)上依次形成由AlGaInP组成的下部包覆层(41)、由AlGaInP组成的发光层(42)以及上部包覆层(43)。使发光部(4)的各层中所含氢的浓度为2×1017cm－3以下、碳的浓度为2×1016cm－3以下及氧的浓度为2×1016cm－3以下，进而使电流扩散层6的部分或全部区域中的氢的浓度为5×1017cm－3以下、碳的浓度为5×1017cm－3以下及氧的浓度为2×1016cm－3以下。
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公开(公告)号：CN1988195A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610137536.3
申请日：2006-10-25
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2224/14
Abstract: 本发明提供一种具有高效率，且能通过大电流的发光二极管。该发光二极管具有：在高导热性基片(10)的表面侧至少叠层p型包层(4)、活性层(3)、n型包层(2)的发光层部，在上述发光层部上的中央部分地形成的电流阻止部(14)，在上述n型包层及上述电流阻止部表面形成的电流扩展层(15)，在上述电流扩展层表面形成的上部电极(16)，在上述高导热性基片背面形成的下部电极(13)，其特征是，还具有：形成在上述高导热性基片与上述发光层部之间的光反射层(7)，在位于上述光反射层的表面上的上述电流阻止部下方的部分上形成的部分电极(6)，在形成上述部分电极的部分以外的上述光反射层的表面上形成的电流阻止部(5)。
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