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公开(公告)号：CN101820042B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201010119537.1
申请日：2010-02-20
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/0079 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供一种发光元件，其能提高发光输出。发光元件(1)包括：具有第1半导体层、第2半导体层、在第1半导体层和第2半导体层之间的活性层(105)的半导体层叠结构(10)，具有设置在半导体层叠结构(10)的一个面上的中心电极、从中心电极外周开始延伸的细线电极的表面电极(110)，具有在半导体层叠结构(10)的另一个面的除了表面电极(110)的正下方以外的部分上沿着细线电极平行设置的、形成和细线电极之间最短电流通路的多个第1区域、连接多个第1区域的第2区域的接触部(120)；对于表面电极(110)，中心电极和接触部(120)之间最短电流通路比细线电极和第1区域之间最短电流通路更长，细线电极的端部和接触部之间最短电流通路具有细线电极和第1区域之间最短电流通路以上的长度。
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公开(公告)号：CN101714595A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910178220.2
申请日：2009-09-27
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/387
Abstract: 一种发光元件包括半导体层压结构、在所述半导体层压结构的一侧表面上的第一电极、在所述半导体层压结构的另一侧表面上用于反射由活性层发出的光的导电反射层、在所述半导体层压结构和所述导电反射层之间局部形成的且与所述半导体层压结构欧姆接触的接触部、以及在所述半导体层压结构上的导电反射层的部分表面上未与所述的半导体层压结构接触的且用于向接触部供给电流的第二电极，所述半导体层压结构包括第一导电型的第一半导体层、不同于第一导电型的第二导电型的第二半导体层以及夹在第一和第二半导体层之间的活性层。
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公开(公告)号：CN101515614A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910004338.3
申请日：2009-02-06
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/387 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体发光元件包括支撑结构体和发光结构体。所述支撑结构体包括支撑基板和设置在所述支撑基板的一个表面上的支撑基板侧接合层。所述发光结构体包括与所述支撑基板侧接合层接合的发光结构侧接合层；在所述发光结构侧接合层的所述支撑基板侧的相反侧上设置的反射区域；以及半导体多层结构，其包括设置在所述反射区域的所述发光结构侧接合层侧的相反侧上用于发射具有预定波长的光的发光层和设置在所述发光层的所述反射区域侧的相反侧用于漫反射光的光提取表面。所述反射区域包括由具有比所述半导体多层结构低的折射率的材料构成的透明层和由金属材料构成的反射层。所述透明层具有使得可以抑制由入射到所述透明层的光的多次反射所引起的干涉的厚度。
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公开(公告)号：CN100461477C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610139303.7
申请日：2006-09-22
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02546 , H01L33/02 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供了高亮度、低驱动电压而且能在驱动半导体发光元件的过程中抑制光辐射输出随时间而降低以及驱动电压上升的半导体发光元件。本发明的半导体发光元件是，在半导体衬底(1)上形成至少由n型包层(4)、活性层(5)、p型包层(6)构成的发光部，在上述发光部的上部形成添加了高浓度的p型掺杂剂Zn的As系接触层(7)，再在上述接触层(7)的上部形成由金属氧化物材料的透明导电膜构成的电流扩展层，其特征是，在上述接触层(7)和上述p型包层(6)之间，具有由至少2层或2层以上的缓冲层部构成并且邻接的缓冲层部彼此间的材料或组成不同的缓冲层。
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公开(公告)号：CN101393956B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810127244.0
申请日：2008-06-30
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供一种发光装置，其可以提高光取出效率、使活性层发光区域的亮度和发热均一、抑制元件间驱动电压和寿命的参差不齐。本发明的发光装置具备：含有发光层的半导体层叠结构；在半导体层叠结构的一个表面上形成的上部电极；在中心与上部电极的中心对应、除了上部电极正下方区域的半导体层叠结构的另一表面的区域上，形成至少一部分具有与上部电极的外周相似形状的部分的界面电极；在除了形成界面电极的半导体层叠结构的其他表面上的区域上形成的、可透过发光层发出的光的电流阻止层；与界面电极电连接，使透过电流阻止层的光反射至半导体层叠结构的一个表面侧的反射层；在反射层的半导体层叠结构的相反侧，与半导体层叠结构电连接的导电性支撑基板。
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公开(公告)号：CN1976074A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610139303.7
申请日：2006-09-22
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02546 , H01L33/02 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供了高亮度、低驱动电压而且能在驱动半导体发光元件的过程中抑制光辐射输出随时间而降低以及驱动电压上升的半导体发光元件。本发明的半导体发光元件是，在半导体衬底(1)上形成至少由n型包层(4)、活性层(5)、p型包层(6)构成的发光部，在上述发光部的上部形成添加了高浓度的p型掺杂剂Zn的As系接触层(7)，再在上述接触层(7)的上部形成由金属氧化物材料的透明导电膜构成的电流扩展层，其特征是，在上述接触层(7)和上述p型包层(6)之间，具有由至少2层或2层以上的缓冲层部构成并且邻接的缓冲层部彼此间的材料或组成不同的缓冲层。
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公开(公告)号：CN1941444A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610159934.5
申请日：2006-09-26
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供除了高亮度和低驱动电压之外，能够抑制长时间后发光输出下降以及驱动电压上升的半导体发光元件。该半导体发光元件具有：在半导体衬底上形成的至少由n型包覆层、活性层和p型包覆层构成的发光部；在所述发光部上形成的、添加了大于等于1×1019/cm3的p型掺杂剂的As系接触层；在所述接触层7上形成的、由金属氧化物材料构成的电流扩展层；其中，在所述接触层和所述p型包覆层之间或者在所述p型包覆层中，形成了由V族元素的主要成分为P(磷)的未掺杂的III/V族半导体所构成的缓冲层。
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公开(公告)号：CN1835252A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200510108290.2
申请日：2005-10-10
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 在把含高浓度p型掺杂物的接触层作为最上层的半导体发光元件中，获得除了有效抑制来自上述接触层的掺杂物扩散、且是高亮度而且低驱动电压之外，在驱动半导体发光元件方面，还能预防出现时效性的发光输出降低以及驱动电压上升的结构。提供一种半导体发光元件，它在半导体基板(1)上结晶生长至少n型包层(3)、活性层(4)、p型包层(5)，进而在这些层的最上层上层叠添加了大于等于1×1019/cm3的p型掺杂物的As系接触层(7)，进而在其上形成由ITO膜(8)组成的电流分散层；在所述接触层(7)和p型包层(5)之间，设置由作为V族元素包含磷、而且对于所述半导体基板(1)结晶的晶格不匹配率在±0.3％以内的III－V族半导体构成的缓冲层6。
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公开(公告)号：CN101515614B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200910004338.3
申请日：2009-02-06
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/387 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体发光元件包括支撑结构体和发光结构体。所述支撑结构体包括支撑基板和设置在所述支撑基板的一个表面上的支撑基板侧接合层。所述发光结构体包括与所述支撑基板侧接合层接合的发光结构侧接合层；在所述发光结构侧接合层的所述支撑基板侧的相反侧上设置的反射区域；以及半导体多层结构，其包括设置在所述反射区域的所述发光结构侧接合层侧的相反侧上用于发射具有预定波长的光的发光层和设置在所述发光层的所述反射区域侧的相反侧用于漫反射光的光提取表面。所述反射区域包括由具有比所述半导体多层结构低的折射率的材料构成的透明层和由金属材料构成的反射层。所述透明层具有使得可以抑制由入射到所述透明层的光的多次反射所引起的干涉的厚度。
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