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公开(公告)号：CN100421273C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200610101877.5
申请日：2006-07-12
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及在外延成长后不追加工序而提供高成品率、高光取出效率的发光二极管用外延片和发光二极管。对于该发光二极管用外延片，在n型GaAs衬底(2)上，通过MOVPE法依次成长n型AlGaInP包覆层(3)、AlGaInP活性层(4)和p型AlGaInP包覆层(5)，在p型AlGaInP包覆层(5)上，通过MOVPE成长以Mg为掺杂剂的p型GaP电流扩散层(6)，通过使p型GaP电流扩散层(6)的表面粗糙化，从而提高了光取出效率。
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公开(公告)号：CN1670114A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510055710.5
申请日：2005-03-18
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/30625 , B24B37/044 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/02013
Abstract: 本发明的目的是在化合物半导体晶片或半导体晶片等的研磨工序中，提高研磨速度、平坦度、晶片形状的随时间性稳定性。使用在介质中凝集了平均粒径为0.005μm～0.1μm的一次粒子的球形度为0.5～0.75的研磨用磨料、凝集粒子分散时的平均粒径为1μm～30μm的研磨用磨料的研磨液。
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公开(公告)号：CN101944560B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010167872.9
申请日：2010-04-26
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: C23C16/56 , H01L21/02395 , H01L21/02543 , H01L33/007 , H01L33/46
Abstract: 本发明提供一种半导体光元件基板的制造方法，关于与半导体光元件基板的各层对应的膜的生长速度条件确定，削减了生长速度条件确定项数。其中，当在一个反应室中连续且阶段性地晶体生长出各材料的组分不同的多层膜之前，经使用与MOCVD装置连接的计算机系统执行以下步骤的工序来执行半导体光元件基板的晶体生长。所述步骤包括：定义表示各层间的生长速度的关系的层间生长速度模型；使用单个基板实际进行晶体生长来求出与至少一个以上的层对应的膜的生长速度；根据求出的生长速度，通过层间生长速度模型推定与其他层对应的膜的生长速度；根据实际求出的生长速度以及推定出的生长速度，根据半导体光元件基板的各层的膜厚决定成膜时间。
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公开(公告)号：CN101859854A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200910253359.9
申请日：2009-12-07
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/10
Abstract: 本发明提供一种发光元件，其能抑制不必要波长的光的放射。本发明所涉及的发光元件(1)，其具有：在其上方设置有活性层(220)的半导体基板(10)；第1反射层(260)，其设置于半导体基板(10)与活性层(220)之间，反射活性层(220)所发出的光；第2反射层(262)，其设置于半导体基板(10)第1反射层(260)之间，反射与第1反射层(260)所反射的光的波长不同的光。
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公开(公告)号：CN1832116A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610008029.X
申请日：2006-02-23
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02052
Abstract: 本发明提供可有效除去晶片表面的Mg、Ca的半导体晶片的洗涤方法以及由该方法得到的晶片。在该半导体晶片的洗涤方法中，采用具有极弱的蚀刻作用的洗涤液有机碱系洗涤液洗涤后，为了除去晶片表面的Ca、Mg，用高纯度有机溶剂例如异丙醇进行洗涤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101944560A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010167872.9
申请日：2010-04-26
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: C23C16/56 , H01L21/02395 , H01L21/02543 , H01L33/007 , H01L33/46
Abstract: 本发明提供一种半导体光元件基板的制造方法，关于与半导体光元件基板的各层对应的膜的生长速度条件确定，削减了生长速度条件确定项数。其中，当在一个反应室中连续且阶段性地晶体生长出各材料的组分不同的多层膜之前，经使用与MOCVD装置连接的计算机系统执行以下步骤的工序来执行半导体光元件基板的晶体生长。所述步骤包括：定义表示各层间的生长速度的关系的层间生长速度模型；使用单个基板实际进行晶体生长来求出与至少一个以上的层对应的膜的生长速度；根据求出的生长速度，通过层间生长速度模型推定与其他层对应的膜的生长速度；根据实际求出的生长速度以及推定出的生长速度，根据半导体光元件基板的各层的膜厚决定成膜时间。
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公开(公告)号：CN1941435A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610101877.5
申请日：2006-07-12
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及在外延成长后不追加工序而提供高成品率、高光取出效率的发光二极管用外延片和发光二极管。对于该发光二极管用外延片，在n型GaAs衬底2上，通过MOVPE法依次成长n型AlGaInP包覆层3、AlGaInP活性层4和p型AlGaInP包覆层5，在p型AlGaInP包覆层5上，通过MOVPE成长以Mg为掺杂剂的p型GaP电流扩散层6，通过使p型GaP电流扩散层6的表面粗糙化，从而提高了光取出效率。
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公开(公告)号：CN1670114B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200510055710.5
申请日：2005-03-18
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/30625 , B24B37/044 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/02013
Abstract: 本发明的目的是在化合物半导体晶片或半导体晶片等的研磨工序中，提高研磨速度、平坦度、晶片形状的随时间性稳定性。使用在介质中凝集了平均粒径为0.005μm～0.1μm的一次粒子的球形度为0.5～0.75的研磨用磨料、凝集粒子分散时的平均粒径为1μm～30μm的研磨用磨料的研磨液。
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公开(公告)号：CN100466310C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200610001106.9
申请日：2006-01-11
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供把在分布布拉格反射器的近红外光的发光减少到可忽视的水平，进而降低在分布布拉格反射器的光的吸收率的高亮度发光二极管。为了达到该目的，通过对AlGaInP系发光二极管的分布布拉格反射器使用AlGaAs层和AlInP层的组合，并将其膜厚规定为下述(1)、(2)、(3)式的关系：(AlGaAs层的膜厚[nm])＝{λ0/(4×n1)}×α…(1)，(AlInP层的膜厚[nm])＝{λ0/(4×n2)}×(2-α)…(2)，λ0：需要反射的光的波长[nm]，n1：对需要反射的光的波长的AlGaAs层的折射率，n2：对需要反射的光的波长的AlInP层的折射率，0.5＜α＜0.9…(3)。
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公开(公告)号：CN1825642A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610001106.9
申请日：2006-01-11
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供把在分布布拉格反射器的近红外光的发光减少到可忽视的水平，进而降低在分布布拉格反射器的光的吸收率的高亮度发光二极管。为了达到该目的，通过对AlGaInP系发光二极管的分布布拉格反射器使用AlGaAs层和AlInP层的组合，并将其膜厚规定为下述(1)、(2)、(3)式的关系。(AlGaAs层的膜厚[nm])＝{λ0/(4×n1)}×α…(1)，(AlInP层的膜厚[nm])＝{λ0/(4×n2)}×(2－α)…(2)，λ0：需要反射的光的波长[nm]，n1：对需要反射的光的波长的AlGaAs层的折射率，n2：对需要反射的光的波长的AlInP层的折射率，0.5＜α＜0.9…(3)。
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