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公开(公告)号：CN101304065A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810095239.6
申请日：2008-05-05
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 秋元克弥
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L2224/48137 , H01L2224/4823 , H01L2924/01025 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明提供一种发光元件，其在抑制放射角产生的发光强度和波长的分散同时，可提高光取出效率。在基板(1)上具有含有发光层(4)的化合物半导体层的发光元件(10)，该发光元件在含有作为所述化合物半导体层的光取出面的主表面的部分上具备介电率变化结构(11)，该介电率变化结构为，对于介电率不同的两种以上的物质以二维点阵状周期性地交互排列在所述主表面内(6a)的光子晶体结构，随机变动所述介电率的二维点阵状的周期性，从而得到非旋转对称性的介电率分布。
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公开(公告)号：CN101304065B
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200810095239.6
申请日：2008-05-05
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 秋元克弥
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L2224/48137 , H01L2224/4823 , H01L2924/01025 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明提供一种发光元件，其在抑制放射角产生的发光强度和波长的分散同时，可提高光取出效率。在基板(1)上具有含有发光层(4)的化合物半导体层的发光元件(10)，该发光元件在含有作为所述化合物半导体层的光取出面的主表面的部份上具备介电率变化结构(11)，该介电率变化结构为，对于介电率不同的两种以上的物质以二维点阵状周期性地交互排列在所述主表面内(6a)的光子晶体结构，随机变动所述介电率的二维点阵状的周期性，从而得到非旋转对称性的介电率分布。
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公开(公告)号：CN101399308B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200810174337.9
申请日：2006-10-25
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2224/14
Abstract: 本发明提供一种具有高效率，且能通过大电流的发光二极管。该发光二极管具有：在高导热性基片(10)的表面侧至少叠层p型包层(4)、活性层(3)、n型包层(2)的发光层部，在上述发光层部上的中央部分地形成的电流阻止部(14)，在上述n型包层及上述电流阻止部表面形成的电流扩展层(15)，在上述电流扩展层表面形成的上部电极(16)，在上述高导热性基片背面形成的下部电极(13)，其特征是，还具有：形成在上述高导热性基片与上述发光层部之间的光反射层(7)，在位于上述光反射层的表面上的上述电流阻止部下方的部分上形成的部分电极(6)，在形成上述部分电极的部分以外的上述光反射层的表面上形成的电流阻止部(5)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101399308A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810174337.9
申请日：2006-10-25
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2224/14
Abstract: 本发明提供一种具有高效率，且能通过大电流的发光二极管。该发光二极管具有：在高导热性基片(10)的表面侧至少叠层p型包层(4)、活性层(3)、n型包层(2)的发光层部，在上述发光层部上的中央部分地形成的电流阻止部(14)，在上述n型包层及上述电流阻止部表面形成的电流扩展层(15)，在上述电流扩展层表面形成的上部电极(16)，在上述高导热性基片背面形成的下部电极(13)，其特征是，还具有：形成在上述高导热性基片与上述发光层部之间的光反射层(7)，在位于上述光反射层的表面上的上述电流阻止部下方的部分上形成的部分电极(6)，在形成上述部分电极的部分以外的上述光反射层的表面上形成的电流阻止部(5)。
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公开(公告)号：CN101989641A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN201010236813.2
申请日：2010-07-23
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光元件，其发光效率高并且可靠性高。本发明的发光元件(1)具备：具有第1导电型的第1半导体层、与第1导电型不同的第2导电型的第2半导体层、夹入于第1半导体层和第2半导体层的活性层(100)的发光层(10)，设置于发光层(10)的一个表面侧并反射活性层(100)所发出的光的反射层(120)，在反射层(120)的发光层(10)侧的相反侧通过接合层(200)而支撑发光层(10)的支撑衬底(20)，设置于反射层(120)的一部分并将反射层(120)和发光层(10)电连接的欧姆接触部(135)，在发光层(10)的另一个表面侧和发光层(10)的侧面分别形成的凹凸部(140)，覆盖发光层(10)的另一个表面的凹凸部(140)和发光层(10)的侧面的凹凸部(140)的绝缘膜(150)。
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公开(公告)号：CN100466311C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200610137536.3
申请日：2006-10-25
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2224/14
Abstract: 本发明提供一种具有高效率，且能通过大电流的发光二极管。该发光二极管具有：在高导热性基片(10)的表面侧至少叠层p型包层(4)、活性层(3)、n型包层(2)的发光层部，在上述发光层部上的中央部分地形成的电流阻止部(14)，在上述n型包层及上述电流阻止部表面形成的电流扩展层(15)，在上述电流扩展层表面形成的上部电极(16)，在上述高导热性基片背面形成的下部电极(13)，其特征是，还具有：形成在上述高导热性基片与上述发光层部之间的光反射层(7)，在位于上述光反射层的表面上的上述电流阻止部下方的部分上形成的部分电极(6)，在形成上述部分电极的部分以外的上述光反射层的表面上形成的电流阻止部(5)。
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公开(公告)号：CN1988195A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610137536.3
申请日：2006-10-25
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2224/14
Abstract: 本发明提供一种具有高效率，且能通过大电流的发光二极管。该发光二极管具有：在高导热性基片(10)的表面侧至少叠层p型包层(4)、活性层(3)、n型包层(2)的发光层部，在上述发光层部上的中央部分地形成的电流阻止部(14)，在上述n型包层及上述电流阻止部表面形成的电流扩展层(15)，在上述电流扩展层表面形成的上部电极(16)，在上述高导热性基片背面形成的下部电极(13)，其特征是，还具有：形成在上述高导热性基片与上述发光层部之间的光反射层(7)，在位于上述光反射层的表面上的上述电流阻止部下方的部分上形成的部分电极(6)，在形成上述部分电极的部分以外的上述光反射层的表面上形成的电流阻止部(5)。
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公开(公告)号：CN1941442A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610159353.1
申请日：2006-09-27
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种除了高亮度和低驱动电压外，还能抑制长时间后发光输出下降以及驱动电压上升的半导体发光元件。所述半导体发光元件，在衬底上形成至少由n型包覆层、活性层、p型包覆层形成的发光部；发光部的上部中的p型掺杂剂浓度为大于等于1×1019/cm3；形成薄膜的As系p型接触层，其中添加的掺杂剂不同于在所述p型包覆层中添加的掺杂剂；在p型接触层的上部形成由金属氧化物材料构成的电流扩展层；在p型包覆层和p型接触层之间，具有由III/V族半导体构成的缓冲层；缓冲层为p型导电性，同时含有故意的或者不可避免的H(氢)或C(碳)；所述缓冲层的膜厚大于等于p型接触层中添加的掺杂剂的扩散深度L。
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