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公开(公告)号：CN101944560B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010167872.9
申请日：2010-04-26
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: C23C16/56 , H01L21/02395 , H01L21/02543 , H01L33/007 , H01L33/46
Abstract: 本发明提供一种半导体光元件基板的制造方法，关于与半导体光元件基板的各层对应的膜的生长速度条件确定，削减了生长速度条件确定项数。其中，当在一个反应室中连续且阶段性地晶体生长出各材料的组分不同的多层膜之前，经使用与MOCVD装置连接的计算机系统执行以下步骤的工序来执行半导体光元件基板的晶体生长。所述步骤包括：定义表示各层间的生长速度的关系的层间生长速度模型；使用单个基板实际进行晶体生长来求出与至少一个以上的层对应的膜的生长速度；根据求出的生长速度，通过层间生长速度模型推定与其他层对应的膜的生长速度；根据实际求出的生长速度以及推定出的生长速度，根据半导体光元件基板的各层的膜厚决定成膜时间。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN101165933A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710182342.X
申请日：2007-10-18
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/0079 , H01L33/02 , H01L33/30 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供了一种不会增加活性层的层厚，不会增厚半导体层，不会增大第一电极的面积，电流分散特性就能得到提高的半导体发光元件。其是在具有第一、第二导电型包覆层(2、3)和活性层(4)的半导体发光元件(1)中，在第一导电型包覆层(2)与活性层(4)之间、在活性层(4)与第二导电型包覆层(3)之间，分别设置对上述光线是透明的，且带隙比活性层(4)大，并与活性层晶格匹配的多层膜层(9、10)。
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公开(公告)号：CN101944560A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010167872.9
申请日：2010-04-26
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: C23C16/56 , H01L21/02395 , H01L21/02543 , H01L33/007 , H01L33/46
Abstract: 本发明提供一种半导体光元件基板的制造方法，关于与半导体光元件基板的各层对应的膜的生长速度条件确定，削减了生长速度条件确定项数。其中，当在一个反应室中连续且阶段性地晶体生长出各材料的组分不同的多层膜之前，经使用与MOCVD装置连接的计算机系统执行以下步骤的工序来执行半导体光元件基板的晶体生长。所述步骤包括：定义表示各层间的生长速度的关系的层间生长速度模型；使用单个基板实际进行晶体生长来求出与至少一个以上的层对应的膜的生长速度；根据求出的生长速度，通过层间生长速度模型推定与其他层对应的膜的生长速度；根据实际求出的生长速度以及推定出的生长速度，根据半导体光元件基板的各层的膜厚决定成膜时间。
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公开(公告)号：CN100502072C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710182342.X
申请日：2007-10-18
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/0079 , H01L33/02 , H01L33/30 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供了一种不会增加活性层的层厚，不会增厚半导体层，不会增大第一电极的面积，电流分散特性就能得到提高的半导体发光元件。其是在具有第一、第二导电型包覆层(2、3)和活性层(4)的半导体发光元件(1)中，在第一导电型包覆层(2)与活性层(4)之间、在活性层(4)与第二导电型包覆层(3)之间，分别设置对上述光线是透明的，且带隙比活性层(4)大，并与活性层晶格匹配的多层膜层(9、10)。
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