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公开(公告)号：CN101515614B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200910004338.3
申请日：2009-02-06
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/387 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体发光元件包括支撑结构体和发光结构体。所述支撑结构体包括支撑基板和设置在所述支撑基板的一个表面上的支撑基板侧接合层。所述发光结构体包括与所述支撑基板侧接合层接合的发光结构侧接合层；在所述发光结构侧接合层的所述支撑基板侧的相反侧上设置的反射区域；以及半导体多层结构，其包括设置在所述反射区域的所述发光结构侧接合层侧的相反侧上用于发射具有预定波长的光的发光层和设置在所述发光层的所述反射区域侧的相反侧用于漫反射光的光提取表面。所述反射区域包括由具有比所述半导体多层结构低的折射率的材料构成的透明层和由金属材料构成的反射层。所述透明层具有使得可以抑制由入射到所述透明层的光的多次反射所引起的干涉的厚度。
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公开(公告)号：CN1941444B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200610159934.5
申请日：2006-09-26
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供除了高亮度和低驱动电压之外，能够抑制长时间后发光输出下降以及驱动电压上升的半导体发光元件。该半导体发光元件具有：在半导体衬底上形成的至少由n型包覆层、活性层和p型包覆层构成的发光部；在所述发光部上形成的、添加了大于等于1×1019/cm3的p型掺杂剂的As系接触层；在所述接触层7上形成的、由金属氧化物材料构成的电流扩展层；其中，在所述接触层和所述p型包覆层之间或者在所述p型包覆层中，形成了由V族元素的主要成分为P(磷)的未掺杂的III/V族半导体所构成的缓冲层。
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公开(公告)号：CN101673797A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910173068.9
申请日：2009-09-10
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/387 , H01L33/46
Abstract: 本发明提供一种制造成品率高的发光元件。该发光元件具有：半导体层叠结构(10)，其具有第1导电型的第1半导体层、与所述第1导电型不同的第2导电型的第2半导体层、夹持于所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的活性层(105)；反射层(132)，其设置于所述半导体层叠结构(10)的一侧的表面，反射所述活性层(105)所发出的光；支撑衬底(20)，在所述反射层(132)的与所述半导体层叠结构(10)一侧相反的一侧隔着金属接合层支撑所述半导体层叠结构(10)，由硅或锗形成；背面电极(210)，其含有金，设置于所述支撑衬底(20)的所述金属结合层的相反一侧，通过所述金与所述支撑衬底(20)之间的合金化而具有比金更高的硬度。
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公开(公告)号：CN1941445A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610159993.2
申请日：2006-09-29
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/025 , H01L33/30 , H01L33/42
Abstract: 本发明涉及一种除了高亮度和低驱动电压外，还能抑制长时间后发光输出下降以及驱动电压上升的半导体发光元件。所述半导体发光元件为在半导体衬底(1)上由晶体生长来至少形成n型包层(3)、活性层(4)、p型包层(5)、p型缓冲层(6)、p型接触层(7)，再在p型接触层上形成由ITO膜(8)构成的电流分散层的半导体发光元件，通过将Mg浓度为3.0×1017/cm3以下的低Mg浓度缓冲层(11)或不掺杂的缓冲层(12)做成以50nm以上的厚度设置到Mg掺杂的上述p型缓冲层中的一部分或全部上的结构，由此，可以有效抑制p型接触层(7)的掺杂剂Zn的扩散。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN101989641A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN201010236813.2
申请日：2010-07-23
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光元件，其发光效率高并且可靠性高。本发明的发光元件(1)具备：具有第1导电型的第1半导体层、与第1导电型不同的第2导电型的第2半导体层、夹入于第1半导体层和第2半导体层的活性层(100)的发光层(10)，设置于发光层(10)的一个表面侧并反射活性层(100)所发出的光的反射层(120)，在反射层(120)的发光层(10)侧的相反侧通过接合层(200)而支撑发光层(10)的支撑衬底(20)，设置于反射层(120)的一部分并将反射层(120)和发光层(10)电连接的欧姆接触部(135)，在发光层(10)的另一个表面侧和发光层(10)的侧面分别形成的凹凸部(140)，覆盖发光层(10)的另一个表面的凹凸部(140)和发光层(10)的侧面的凹凸部(140)的绝缘膜(150)。
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公开(公告)号：CN101673798A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910173133.8
申请日：2009-09-11
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光元件的制造成品率高的发光元件。本发明中的发光元件1包括具有第一导电型的第一半导体层、与第一导电型不同的第二导电型的第二半导体层、夹入第一半导体层和第二半导体层之间的有源层105的半导体层压结构10、设置在半导体层压结构10的一个表面侧的对有源层105发出的光进行反射的反射层132、在反射层132的半导体层压结构10侧的相反侧通过金属接合层支撑半导体层压结构10的支撑衬底20、与支撑衬底20的金属接合层侧的相反侧的面接触设置的密合层200、与密合层200的接触支撑衬底20的面的相反侧的面接触设置的，隔着密合层与支撑衬底20之间合金化的背面电极210。
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公开(公告)号：CN1941442A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610159353.1
申请日：2006-09-27
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种除了高亮度和低驱动电压外，还能抑制长时间后发光输出下降以及驱动电压上升的半导体发光元件。所述半导体发光元件，在衬底上形成至少由n型包覆层、活性层、p型包覆层形成的发光部；发光部的上部中的p型掺杂剂浓度为大于等于1×1019/cm3；形成薄膜的As系p型接触层，其中添加的掺杂剂不同于在所述p型包覆层中添加的掺杂剂；在p型接触层的上部形成由金属氧化物材料构成的电流扩展层；在p型包覆层和p型接触层之间，具有由III/V族半导体构成的缓冲层；缓冲层为p型导电性，同时含有故意的或者不可避免的H(氢)或C(碳)；所述缓冲层的膜厚大于等于p型接触层中添加的掺杂剂的扩散深度L。
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