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公开(公告)号：CN102956446A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210290813.X
申请日：2012-08-15
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L33/02 , H01L29/06 , C23C16/448
CPC classification number: H01L21/0262 , C30B25/08 , C30B25/14 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02581 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/36
Abstract: 本发明提供抑制了不希望的杂质的混入的金属氯化物气体发生装置、氢化物气相生长装置、和氮化物半导体模板。作为金属氯化物气体发生装置的HVPE装置具有：筒状的反应炉，其在上游侧具有收容Ga（金属）的槽（收容部），在下游侧具有配置生长用的基板的生长部；透光性的气体导入管，其按照从具有气体导入口的上游侧端部起经由槽到达生长部的方式配置，从上游侧端部导入气体，供给至槽，并将气体与槽内的Ga反应而生成的金属氯化物气体供给至生长部；隔热板，其配置在反应炉内，对气体导入管的上游侧端部侧和生长部侧进行热阻断，气体导入管具有在上游侧端部与隔热板之间弯曲的构造。
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公开(公告)号：CN100461477C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610139303.7
申请日：2006-09-22
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02546 , H01L33/02 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供了高亮度、低驱动电压而且能在驱动半导体发光元件的过程中抑制光辐射输出随时间而降低以及驱动电压上升的半导体发光元件。本发明的半导体发光元件是，在半导体衬底(1)上形成至少由n型包层(4)、活性层(5)、p型包层(6)构成的发光部，在上述发光部的上部形成添加了高浓度的p型掺杂剂Zn的As系接触层(7)，再在上述接触层(7)的上部形成由金属氧化物材料的透明导电膜构成的电流扩展层，其特征是，在上述接触层(7)和上述p型包层(6)之间，具有由至少2层或2层以上的缓冲层部构成并且邻接的缓冲层部彼此间的材料或组成不同的缓冲层。
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公开(公告)号：CN101859854A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200910253359.9
申请日：2009-12-07
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/10
Abstract: 本发明提供一种发光元件，其能抑制不必要波长的光的放射。本发明所涉及的发光元件(1)，其具有：在其上方设置有活性层(220)的半导体基板(10)；第1反射层(260)，其设置于半导体基板(10)与活性层(220)之间，反射活性层(220)所发出的光；第2反射层(262)，其设置于半导体基板(10)第1反射层(260)之间，反射与第1反射层(260)所反射的光的波长不同的光。
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公开(公告)号：CN101826584A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010122250.4
申请日：2010-03-02
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/26
CPC classification number: H01L33/325 , H01L33/025
Abstract: 一种发光器件外延片包括n-型衬底、层叠在所述n-型衬底上的n-型包覆层、层叠在所述n-型包覆层上的包含量子阱结构的发光层以及层叠在所述发光层上的p-型包覆层。所述n-型包覆层包括掺杂有包含Si的两种以上n-型掺杂剂的混合物的外延层，并且厚度不小于250nm且不超过750nm。或者，一种发光器件外延片包括n-型衬底、层叠在所述n-型衬底上的n-型包覆层、层叠在所述n-型包覆层上的发光层以及层叠在所述发光层上的p-型包覆层。所述n-型包覆层包括含Si的两种以上n-型杂质。
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公开(公告)号：CN100428515C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200610159993.2
申请日：2006-09-29
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/025 , H01L33/30 , H01L33/42
Abstract: 本发明涉及一种除了高亮度和低驱动电压外，还能抑制长时间后发光输出下降以及驱动电压上升的半导体发光元件。所述半导体发光元件为在半导体衬底(1)上由晶体生长来至少形成n型包层(3)、活性层(4)、p型包层(5)、p型缓冲层(6)、p型接触层(7)，再在p型接触层上形成由ITO膜(8)构成的电流分散层的半导体发光元件，通过将Mg浓度为3.0×1017/cm3以下的低Mg浓度缓冲层(11)或不掺杂的缓冲层(12)做成以50nm以上的厚度设置到Mg掺杂的上述p型缓冲层中的一部分或全部上的结构，由此，可以有效抑制p型接触层(7)的掺杂剂Zn的扩散。
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公开(公告)号：CN1271965A
公开(公告)日：2000-11-01
申请号：CN00108101.2
申请日：2000-04-27
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L33/025 , H01L33/14
Abstract: 通过在P型AlGaInP夹层和P型GaP窗口层之间,插入一层带隙能量低于P型AlGaInP夹层带隙能量的插入层,可以防止在这两层之间的异质介面上形成高势垒。该插入层起到降低正向电压的作用,所以LED的正向电压得到了降低。
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公开(公告)号：CN103305917A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310054997.4
申请日：2013-02-20
Applicant: 日立电线株式会社
Abstract: 本发明提供一种能廉价且高效率地制造与使用有机金属气相生长法的情况同等以上的高品质的氮化镓模板基板的氮化镓模板基板的制造方法和氮化镓模板基板。氮化镓模板基板（10）的制造方法是在作为衬底基板（11）的蓝宝石基板上，通过氢化物气相生长法至少依次生长包含氮化铝（AlN）的成核层（12）和包含氮化镓（GaN）的缓冲层（13），且在生长成核层（12）时使V族原料与III族原料的摩尔比（V/III比）为0.5以上3以下。
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公开(公告)号：CN1941444B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200610159934.5
申请日：2006-09-26
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供除了高亮度和低驱动电压之外，能够抑制长时间后发光输出下降以及驱动电压上升的半导体发光元件。该半导体发光元件具有：在半导体衬底上形成的至少由n型包覆层、活性层和p型包覆层构成的发光部；在所述发光部上形成的、添加了大于等于1×1019/cm3的p型掺杂剂的As系接触层；在所述接触层7上形成的、由金属氧化物材料构成的电流扩展层；其中，在所述接触层和所述p型包覆层之间或者在所述p型包覆层中，形成了由V族元素的主要成分为P(磷)的未掺杂的III/V族半导体所构成的缓冲层。
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