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公开(公告)号：CN101328615A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810072867.2
申请日：2008-04-28
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发制备Ⅱ－Ⅵ族半导体化合物CdTe纳米结构的方法。通过使用金属Bi粉末做催化剂，以CdTe粉末为原料，在真空度为2×10－2－2×10－3Pa的真空环境下，热蒸发原料，在衬底上催化生长纳米结构的CdTe薄膜。该方法操作简单易行，无需载气，具有沉积面积大、形貌较均匀、适用于多种衬底的特点。
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公开(公告)号：CN101967681B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201010532027.7
申请日：2010-11-04
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助下真空热蒸发法生长ZnTe六次对称多分枝分级纳米结构的方法，是通过以下工艺过程实现的：将ZnTe粉和金属Bi粉按摩尔比为1∶0.05-1∶0.06的比例均匀混合作为原料，置于钼片为材料制成的电阻加热舟中，并在舟上方1.0厘米至1.2厘米处放置ITO玻璃衬底。密闭蒸发炉，当真空蒸发炉真空度达到7×10-3-8×10-3Pa，加热舟电流为120A-125A保持10分钟沉积，可得到ZnTe六次对称多分枝分级纳米结构。本发明制备出的碲化锌纳米线为立方相结构的ZnTe。本发明的特点是：所得的碲化锌六次对称多分枝分级纳米结构形貌新颖，且制备方法简单，易于推广。
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公开(公告)号：CN103864064A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410079966.9
申请日：2014-03-06
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种新型制备氮掺杂石墨烯的新方法，是通过以下工艺过程实现的：将经过表面去污处理的商业购买的SiC晶片置于高温管式炉的中心位置，密闭管式炉，在Ar气保护下加热到1500oC后，通入200sccm的NH3反应15-120min，随后在Ar气保护下冷却至室温，在SiC晶片的表面得到了氮掺杂的石墨烯。本发明的特点是：在常压、氨气环境下在SiC晶片表面一步得到了氮掺杂的石墨烯，氮掺杂的石墨烯可作为一种优异的光电材料。
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公开(公告)号：CN103818961A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410087035.3
申请日：2014-03-11
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以在常压下大量制备二硫化钼纳米片的方法。具体步骤如下：称取一定直接商业购买的五氯化钼（MoCl5）置于方形陶瓷舟中，并将陶瓷舟放在一长度为90cm的水平管式炉中间部位，称取一定的硫粉置于另一方形陶瓷舟中，并将该方舟放于水平管式炉氩气入口处，密封水平管式炉后抽真空，通满氩气并保持一定流速，升温到预设温度，保持该温度30min，最后在氩气保护下自然冷却至室温，在盛放五氯化钼原料的陶瓷舟中收集得到的产物。
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公开(公告)号：CN103787284A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410080171.X
申请日：2014-03-06
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种制备碲化铋纳米片的方法，是通过以下流程实现：将粉末状Bi2Te3（99.98%）和Li2CO3依次加入40ml的苯甲醇中，剧烈搅拌30分钟后，将混合物转移到45ml的反应釜中，密封加热至200℃存放48小时，然后让其在室温下自然冷却，将得到的产物用丙酮多次清洗，真空干燥。取30mg的产物放入二甲基甲酰胺与去离子水1：1的溶剂中，密封超声12小时分散，所得到的分散体用离心机以600rmp（转/分）离心30分钟，收集上层清液，再用离心机以8000rpm（转/分）离心5分钟，所得产物用3%盐酸洗两遍，用去离子水多次清洗至中性，再用乙醇洗涤，真空干燥收集。本发明的特点是：该方法条件不苛刻降低了生产成本，且方法简单易行，易于推广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103274373A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310207534.7
申请日：2013-05-30
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了Ge掺杂GaN室温铁磁性纳米粉体的制备方法，属于纳米材料及其制备的技术领域。采用直接氮化反应法制备了Ge掺杂GaN粉体。以高纯Ga2O3粉、高纯Ge粉或GeO2粉、NH3气分别作为Ga源、Ge源和N源。将Ga2O3粉和Ge粉或GeO2粉充分混合后置于水平管式炉加热区。将管式炉抽真空至9×10-3Pa，通入Ar气，并对管式炉进行加热。当管式炉加热区的温度达到1000-1100℃时，通入100-250sccm的NH3气并保温1-4h。关掉NH3气，自然冷却到室温，得到样品。本发明的特点是：方法简单，成本低，产率高，对环境危害小，易于推广。
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公开(公告)号：CN102912300A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210439190.8
申请日：2012-11-07
Applicant: 新疆大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种无催化剂辅助真空热蒸发制备SnS纳米片的方法，是通过以下工艺过程实现的：将S粉和金属Sn屑按1mol∶1mol的比例配制，先后置于钼片制成的电阻加热舟中作为蒸发源，并在舟上方0.9厘米-1.1厘米处放置ITO玻璃衬底，密闭蒸发炉，当真空蒸发炉内真空度达到1.8×10-2Pa～2.0×10-2Pa，加热电流达到130A，保持15分钟，即可得到SnS纳米片。本发明的特点是：所得的SnS纳米片形貌均一、产量大、无催化剂、制备方法简单、易于推广且适合大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN102633305A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210145655.9
申请日：2012-05-11
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种表面活性剂辅助溶剂热法生长半导体化合物ZnMnS纳米线的制备方法，是通过以下工艺过程实现的：以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为表面活性剂，其量为0.3g。用水合肼作溶剂，其量为40ml。以醋酸锌Zn(CH3COO)2·2H2O作为锌源，以硫脲（NH2）2CS作为硫源，以MnCl2·4H2O为锰源，取锌、锰为一系列摩尔比19:1--1:2，取硫为定摩尔数(锌，锰和的4倍)依次加入溶有表面活性剂的水合肼中，然后将反应釜置于烘箱中，保持36h，反应温度为160℃-180℃；自然冷却至室温，先后在无水乙醇，去离子水反复清洗5次，置于60℃的真空干燥箱烘干并收集产物。在此温度和时间条件下得到了纤锌矿结构的ZnMnS纳米线。本发明方法简单，易于推广，适合于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN101693550B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200910113485.4
申请日：2009-10-19
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发生长II-VI族半导体化合物CdO纳米线束的方法，是通过以下工艺过程实现的：将CdO粉末和金属Bi粉末按摩尔比为1∶0.02-1∶0.3的比例均匀混合作为原料，置于钼片为材料制成的电阻加热舟中，并在舟上方3毫米-4厘米处放置各种衬底。密闭蒸发炉，当内置上述蒸发沉积系统的真空蒸发炉腔体达到2×10-2-5×10-3Pa的真空环境后，电阻加热舟通电流为110-180A，保持5-15分钟进行蒸发沉积。本发明制备出的氧化镉纳米棒为晶态的立方相结构的CdO。且所得的氧化镉纳米线束具有适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀的特点；本发明的方法简单，易于推广，适合大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN102263036A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110182882.4
申请日：2011-07-01
Applicant: 新疆大学
IPC: H01L21/363 , B82Y40/00 , C23C14/26 , C23C14/06
Abstract: 本发明属于纳米线异质结制备领域，是一种在催化剂辅助下用真空热蒸发法生长CdS纳米线，并在其径向包覆ZnS的方法。具体实施工艺如下：第一步，将CdS和Bi粉按1∶0.05mol的比例均匀混合作为原料，置于钼片制成的电阻加热舟中，舟上方1.0cm-2.0cm处放置衬底。蒸发过程中蒸发炉内真空度保持在5×10-3Pa-5×10-2Pa，加热电流为100A-120A，沉积时间为2min-10min，制备出CdS纳米线。第二步，以ZnS粉为原料，置于舟中，以CdS纳米线为衬底。将衬底置于舟上方1.0cm-2.0cm处，蒸发过程中蒸发炉内真空度保持在5×10-3Pa-5×10-2Pa，沉积电流为120A-140A，沉积时间为2min-10min，在CdS纳米线上包覆ZnS。最终得到CdS/ZnS纳米线径向异质结。本发明所得的CdS/ZnS纳米线异质结具有光学特性好、形貌均匀等特点；且方法简单，易于推广，适合大规模工业生产。
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